superlattice interfaceとは 意味・読み方・使い方

A contact interface of a p-type superlattice layer 1 and a light active layer 2 is nonparallel, especially vertical to a laminating plane of the p-type superlattice layer 1.例文帳に追加

ｐ型超格子層１と光能動層２との接触界面を、ｐ型超格子層１の積層面と非平行に、特に、垂直にする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a superlattice semiconductor structure capable of embodying excellent interface characteristics and evenness.例文帳に追加

優れた界面特性と均一性が具現できる超格子半導体構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one superlattice layer having a thickness of approximately 10 nm or smaller is formed at the interface of Si and SiC, or Si and SiGeC-based layer, thus increasing crystallinity further.例文帳に追加

また、ＳｉとＳｉＣまたはＳｉＧｅＣ系層の界面に、厚み１０ｎｍ程度以下の超格子層を１層以上入れることで、結晶性をさらに高くする。 - 特許庁

Holes migrate along an interface of two kinds of semiconductor layers constituting the superlattice layer 1 and are injected into the light active layer 2, this reducing the element resistance.例文帳に追加

正孔はｐ型超格子層１を構成する２種類の半導体層の界面に沿って移動して、光能動層２に注入されるので素子抵抗を低減することができる。 - 特許庁

In a semiconductor device or a semiconductor light-emitting element containing a hetero interface where two nitride III-V compound semiconductor layers different from each other are in contact with each other and a band discontinuity exists, a superlattice layer or a composition gradient layer extinguishing or decreasing the band discontinuity falsely is inserted in the hetero interface.例文帳に追加

互いに異なる二つの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、そのヘテロ界面に、バンド不連続を擬似的に消滅または低減する超格子層または組成傾斜層を挿入する。 - 特許庁