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"外部ベース抵抗"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
真性ベース層へ加熱処理の影響を与えることなく外部ベース抵抗を低減し、かつベース、コレクタ接合面積を小さく保つことで一層の高速化が可能な半導体集積回路装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device which can be further accelerated by reducing an external base resistance without imparting an influence of a heat treatment to an intrinsic base layer and holding base and collector connecting areas small. - 特許庁
外部ベース抵抗を増大させることなく、コレクタ/ベース接合面積を小さくして、最大発信周波数を向上させたセルフアライン構造のバイポーラトランジスタ構造及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a bipolar transistor structure having a self-aligned structure which is improved in the maximum oscillation frequency by reducing a bonding area between the collector and the base without increasing an external base resistance, and also to provide its manufacturing method. - 特許庁
外部ベース層のうち下敷き酸化膜11の下方に位置するリンク領域Rlinkが傾斜SiGeベース層8からSiキャップ層9に亘って形成されているので、外部ベース抵抗が低減する。例文帳に追加
Since a link area Rlink positioned below the mat oxide film 11 in an outer base layer is formed from the inclined SiGe base layer 8 to the Si cap layer 9, the outer base resistance is reduced. - 特許庁
外部ベース抵抗が低く、ベース抵抗のばらつきが少なく、コレクタ・ベース間の容量が小さい高速動作が可能なバイポーラトランジスタ,その製造方法,該バイポーラトランジスタを用いた電子回路装置,光通信システムの提供。例文帳に追加
To enable high-speed operation for a bipolar transistor by lowering the external base resistance and lessen the dispersion of base resistance, and making the capacity between a collector and a base small. - 特許庁
外部ベース抵抗、即ち外部ベース層の抵抗および外部ベース層とベースとの接触部の抵抗が共に小さく、高速性能に優れたバイポーラ・トランジスタを有する半導体装置を、安定して得ることが可能な製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a manufacturing method capable of stably obtaining a semiconductor device including a bipolar transistor with high speed performance wherein the resistance of an external base resistor, that is, a resistor of an external base layer and the resistance of a contact part between the external base layer and a base are both small. - 特許庁
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