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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "X-ray rocking curve"に関連した英語例文

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"X-ray rocking curve"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 8



例文

The gallium oxide(β-Ga_2O_3) single crystal shows a half-value width of X-ray rocking curve obtained by X-ray rocking curve measurement using a radiated light as an X-ray source of ≤0.08°.例文帳に追加

放射光をX線源としたX線ロッキングカーブ測定により得られるX線ロッキングカーブの半値幅が0.08°以下であることを特徴とする酸化ガリウム(β-Ga_2O_3)単結晶である。 - 特許庁

Thus, a X-ray rocking curve half-width on the surface (100) of the III group nitride film is made 800 seconds or less, and a X-ray rocking curve half-width on the surface (002) is made 200 seconds or less.例文帳に追加

その結果、前記III族窒化物膜の(100)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅を800秒以下とし、(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅を200秒以下とすることができる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate having a favorable half-value width in an X-ray rocking curve and inducing no degradation of the crystallinity of an epitaxial layer when the epitaxial layer is grown on the substrate.例文帳に追加

上層にエピタキシャル層を成長させた場合に、その結晶性を劣化させることのない、X線ロッキングカーブ半値幅が良好な窒化物系半導体基板を提供する。 - 特許庁

The half-value width of the X-ray rocking curve of the first AlGaN layer 13 on the (0002) plane and the (10-12) plane is less than 1000 [arcsec].例文帳に追加

第1のAlGaN層13の(0002)面及び(10−12)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅は、1000[arcsec]未満である。 - 特許庁

例文

A group III nitride base layer including at least alminum and having a dislocation density of 1 X 10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともAlを含み、転位密度が1×10^11/cm^2以下であり、(002)面のX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下であるIII族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁


例文

A group III nitride base layer including at least aluminum and having a dislocation density of10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともAlを含み、転位密度が1×10^11/cm^2以下であり、(002)面のX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下であるIII族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁

This nitride semiconductor self-supporting substrate has a mirror-finished surface of the substrate, and the half-value width of the nitride semiconductor crystal (0002) plane from the result obtained by X-ray rocking curve measurement for the nitride semiconductor self-supporting substrate is 15 sec or more but less than 30 sec.例文帳に追加

本発明に係る窒化物半導体自立基板は、該基板の表面が鏡面であり、前記窒化物半導体自立基板に対するX線ロッキングカーブ測定により得られる結果で窒化物半導体結晶の(0002)面の半値幅が15 sec以上30 sec未満であることを特徴とする。 - 特許庁

例文

A layer of a nitride of group III elements containing at least Al having ≤1×10^11/cm^2 dislocation density and ≤200 sec half value width of an X-ray rocking curve in a (002) plane is formed on a base material having600 μm thickness to form the epitaxial substrate.例文帳に追加

厚さが600μm以上の基材上に、転位密度が1×10^11/cm^2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブ半値幅が200秒以下であり、少なくともAlを含むIII族窒化物層を形成してエピタキシャル基板を作製する。 - 特許庁

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