「"wall length"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Further, the side wall length D of the pair of side walls 4, 5 is changeable.例文帳に追加

また、一対の側壁４、５の側壁長さＤを変更可能とした。 - 特許庁

A number of breaking cuts 8, 8... are arranged in two lines in the side wall length direction on a pair of side walls 2 and 4 facing each other.例文帳に追加

一対の対向する側壁２、４に多数個の破断用切目８、８…を側壁の長さ方向に２列に整列させる。 - 特許庁

After the gate length and the offset side wall length are actually measured, on the basis of the shift amounts of the actual measurement values of the gate length and the offset side wall length from the design values thereof and the predetermined correlation, the dosage of the source/drain extension region is adjusted so that the shift amounts of the transistor characteristics from the design values are within a predetermined range.例文帳に追加

ゲート長及びオフセットサイドウォール長を実測した後、ゲート長及びオフセットサイドウォール長のそれぞれの実測値の設計値からのズレ量、並びに前記相関関係に基づいて、ソース／ドレイン・エクステンション領域のドーズ量を、トランジスタの特性の設計値からのズレ量が所定の範囲内に収まるように調整する。 - 特許庁

There is provided a thick film gate side wall insulating film 34 having a side wall length in response to the film thickness of the thick film gate electrode 33 on a side wall of the thick film gate electrode 33.例文帳に追加

厚膜ゲート電極３３の側壁部分には、それぞれ、厚膜ゲート電極３３の膜厚に応じた側壁長を有する厚膜ゲート側壁絶縁膜３４が設けられている。 - 特許庁

A correlation between a shift amount from each of design values of a gate length and an offset side wall length and a dosage of a source/drain extension region to set transistor characteristics as design values is determined in advance.例文帳に追加

ゲート長及びオフセットサイドウォール長のそれぞれの設計値からのズレ量と、トランジスタの特性を設計値に設定するためのソース／ドレイン・エクステンション領域のドーズ量との相関関係を予め求めておく。 - 特許庁