例文 (5件) |
トレリーフを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
化学増幅型フォトレジスト組成物および前記組成物を用いたフォトレジストレリーフ画像の形成方法例文帳に追加
CHEMICALLY AMPLIFIED PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PHOTORESIST RELIEF IMAGE BY USING THE COMPOSITION - 特許庁
トポグラフィーを有する基体上にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法であって、(a)約8、000以下の分子量を有するポリマーを含む反射防止組成物の層を基体上に適用し、(b)該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、および(c)活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、露光したフォトレジスト層を現像する、ことを含む、フォトレジストレリーフイメージを形成する方法。例文帳に追加
When a photoresist relief image is formed on a substrate having a topography, (a) a layer of antireflection composition containing polymer having molecular weight of at most about 8,000 is applied on the substrate, (b) the layer of a photoresist composition is applied on the antireflection composition layer, and (c) the photoresist layer is exposed to activated radiant rays, and the exposed photoresist layer is developed. - 特許庁
(a)基体上にフォトレジスト組成物を適用し;(b)フォトレジスト組成物を活性化する放射線でフォトレジスト層を液浸露光し;(c)露光されたフォトレジスト層の水接触角を調節し;および(d)処理されたフォトレジスト層を現像してフォトレジストレリーフ像を提供する;ことを含む、フォトレジスト組成物を処理する方法。例文帳に追加
The method for processing a photoresist composition includes: (a) applying on a substrate a photoresist composition; (b) subjecting the photoresist layer to immersion exposure to radiation activating for the photoresist composition; (c) adjusting a contact angle with water of the exposed photoresist layer; and (d) developing the processed photoresist layer to provide a photoresist relief image. - 特許庁
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