例文 (2件) |
埋込みキーの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
半導体装置の埋込み層形成方法、ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING BURIED LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
ショットキーコンタクトなどのゲートコンタクトを形成する前にゲート埋込み部のアニーリングを行うことにより、ゲートリークが低減され、かつ/またはトランジスタなどの半導体デバイス内に高品質のゲートコンタクトを提供することができる。例文帳に追加
A gate leakage can be reduced by performing annealing of a gate buried part before forming a gate contact such as a Schottky contact and/or a high quality gate contact can be provided in a semiconductor device such as a transistor. - 特許庁
例文 (2件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |