例文 (6件) |
相補型トランジスタ論理の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
相補型パス・トランジスタ論理回路および半導体装置例文帳に追加
COMPLEMENTARY PASS TRANSISTOR LOGIC CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
論理回路領域192は、相補型電界効果型トランジスタを含む。例文帳に追加
The logic circuit region 192 includes a complementary field effect transistor. - 特許庁
共通ゲートを備える相補型金属酸化物半導体薄膜トランジスタ、それを備える論理素子及びそのトランジスタの製造方法例文帳に追加
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM TRANSISTOR COMPRISING COMMON GATE, LOGIC DEVICE COMPRISING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR - 特許庁
論理回路領域において、第3のゲート電極膜40と第1のゲート電極膜37を積層し、N型トランジスタ及びP型トランジスタ共に表面チャネル領域を持つような相補型MOS論理回路を構成する。例文帳に追加
In the logic circuit domain, a third gate electrode film 40 and a first gate electrode film 37 are laminated to form a complementary MOS logic circuit including the surface channel domain in both n-type transistor and p-type transistor. - 特許庁
通常のゲート電極の他に、閾値電圧を制御するための第2のゲート電極が備えられたnチャネル型トランジスタ、或いはpチャネル型トランジスタを、相補型の論理回路に用いる。例文帳に追加
In addition to an ordinary gate electrode, an n-channel transistor or a p-channel transistor provided with a second gate electrode for controlling threshold voltage is used in a complementary logic circuit. - 特許庁
第1の薄膜トランジスタ3および第2の薄膜トランジスタ4のうちの少なくとも一部のもの同士は、互いに接続されて相補型論理回路を構成している。例文帳に追加
At least parts of the first and second thin film transistors 3 and 4 are connected to each other to constitute a complementary logic circuit. - 特許庁
例文 (6件) |
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