「相補型集積回路」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

所定の外部インタフェース回路のインタフェース端子にその動作電源電圧よりもレベルの高い電圧が印加されても不所望な電流が流れ込むことを抑制可能な相補型ＭＯＳ集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a complementary MOS IC which can suppress the inflow of unwanted current even if a voltage having a higher level than the operating supply voltage of a predetermined external interface circuit is applied to an interface terminal of the external interface circuit. - 特許庁

ＮＰＮトランジスタと縦型ＰＮＰトランジスタの誘電体分離型の相補型バイポーラトランジスタにおいて、トランジスタの高耐圧化を実現するための半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device and a production method therefor for improving the voltage resistance of transistors in the dielectric separated complementary bipolar transistor of an NPN transistor and a longitudinal PNP transistor. - 特許庁

ＮＰＮトランジスタと縦型ＰＮＰトランジスタの誘電体分離型の相補型バイポーラトランジスタにおいて、トランジスタの高耐圧化を実現するための半導体集積回路装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method for semiconductor integrated circuit device for improving the breakdown voltage of transistors in the dielectric separated complementary bipolar transistor of an NPN transistor and a longitudinal PNP transistor. - 特許庁

半導体集積回路装置における、相補型ＭＯＳを横型Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ３６とＮ型ＭＯＳＦＥＴ３７で構成し、出力ドライバーを、トレンチ構造のＰ型縦型ＭＯＳＦＥＴ３８で構成し、それぞれのＭＯＳＦＥＴのゲート電極の導電型をＰ型とした。例文帳に追加

A complementary MOS of the semiconductor integrated circuit device is composed of a horizontal P-type MOSFET 36 and an N-type MOSFET 37, and the output driver is composed of a P-type vertical MOSFET 38 in a trench structure, and the conductivity types of the gate electrodes of the respective MOSFETs are set as a P-type. - 特許庁

この構成により、大口径半導体基板での高温かつ長時間の熱処理でより顕著となる、半導体基板の反りやスリップを生じさせることなく、相補型の高耐圧ＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置を提供することが可能となる。例文帳に追加

Because of this configuration, a semiconductor integrated circuit apparatus having the complementary high breakdown voltage MISFET can be provided without causing warpages and slips of the semiconductor substrate which become more remarkable by the high-temperature and long-time heat treatment in the large diameter semiconductor substrate. - 特許庁

本発明のＴＴＬストロボ調光装置では、制御部６が、共通の半導体基板上に形成された相補型ＭＯＳ集積回路の製造プロセスに起因する寄生バイポーラトランジスタ７を含む対数圧縮部４と、サブスレッショルド領域で作動するＭＯＳトランジスタ８を含む指数伸長部５の少なくともいずれか一方を含むことを特徴とする。例文帳に追加

In this TTL strobe light control device, a control part 6 includes at least either a logarithm compression part 4 including a parasitic bipolar transistor 7 due to the production process of a complementary MOS integrated circuit formed on a common semiconductor substrate or an index extension part 5 including an MOS transistor 8 actuated in a sub threshold area. - 特許庁