BAND-GAPの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1149件
BAND GAP CONSTANT-VOLTAGE CIRCUIT例文帳に追加
バンドギャップ定電圧回路 - 特許庁
BAND GAP CONSTANT VOLTAGE CIRCUIT例文帳に追加
バンドギャップ定電圧回路 - 特許庁
PHOTONIC BAND GAP OPTICAL FIBER例文帳に追加
フォトニックバンドギャップ光ファイバ - 特許庁
WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
ワイドバンドギャップ半導体素子 - 特許庁
BAND-GAP RADIATION DETECTOR例文帳に追加
バンドギャップ放射線検出器 - 特許庁
WIDE BAND-GAP SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ワイドバンドギャップ半導体装置 - 特許庁
WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ワイドバンドギャップ半導体装置 - 特許庁
BAND-GAP REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT例文帳に追加
バンドギャップ基準電圧発生回路 - 特許庁
BAND-GAP REFERENCE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT例文帳に追加
バンドギャップ基準電圧形成回路 - 特許庁
BAND GAP REFERENCE VOLTAGE GENERATION CIRCUIT例文帳に追加
バンドギャップ基準電圧発生回路 - 特許庁
LOW-VOLTAGE CMOS BAND GAP REFERENCE例文帳に追加
低電圧ＣＭＯＳバンドギャップ基準 - 特許庁
PHOTONIC BAND GAP FIBER AND FIBER LASER例文帳に追加
フォトニックバンドギャップファイバ及びファイバレーザ - 特許庁
SOLID PHOTONIC BAND GAP FIBER, AND FIBER MODULE, FIBER AMPLIFIER, AND FIBER LASER EMPLOYING SOLID PHOTONIC BAND GAP FIBER例文帳に追加
ソリッドフォトニックバンドギャップファイバおよび該ファイバを用いたファイバモジュールおよびファイバアンプ、ファイバレーザ - 特許庁
ELECTROMAGNETIC WAVE RADIATION ELEMENT USING INCLINED BAND GAP例文帳に追加
傾斜バンドギャップを用いた電磁波放射素子 - 特許庁
The band gap of the second quantum well layer is larger than the band gap of the first quantum well layer.例文帳に追加
第２の量子井戸層のバンドギャップが該第１の量子井戸層のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁
Defects in a band tail level and a band gap are reduced as much as possible, whereby optical absorption of energy in the vicinity of the band gap or less than or equal to the band gap is reduced.例文帳に追加
バンドすそ準位とバンドギャップ内の欠陥を極力低減することにより、バンドギャップ近傍若しくはそれ以下のエネルギーの光吸収を低減させる。 - 特許庁
BAND GAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT WITH TEMPERATURE COMPENSATION例文帳に追加
温度補償されたバンドギャップ電圧基準回路 - 特許庁
SECURITY CODE RECOGNITION DEVICE OF ELECTROMAGNETIC BAND GAP PATTERN例文帳に追加
電磁気バンドギャップパターンの保安コード認識装置 - 特許庁
BAND GAP REFERENCE VOLTAGE GENERATION CIRCUIT FOR LOW VOLTAGE例文帳に追加
低電圧用バンドギャップ基準電圧発生回路 - 特許庁
ELECTROMAGNETIC BAND GAP STRUCTURE AND PRINTED-CIRCUIT SUBSTRATE例文帳に追加
電磁気バンドギャップ構造物及び印刷回路基板 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING POLARIZED WAVE HOLDING PHOTONIC BAND GAP FIBER例文帳に追加
偏波保持フォトニックバンドギャップファイバの製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT CONTAINING BAND GAP CIRCUIT例文帳に追加
バンドギャップ回路を内蔵する半導体集積回路 - 特許庁
Furthermore, the semiconductor 4 is preferably processed by band-gap reduction, so that its band gap becomes small.例文帳に追加
また、半導体４は、バンドギャップが小さくなるようバンドギャップ低減処理が施されているのが好ましい。 - 特許庁
The second semiconductor film has a second energy band gap larger than the first energy band gap.例文帳に追加
上記第２半導体膜は、第１エネルギーバンドギャップよりも大きな第２エネルギーバンドギャップを有している。 - 特許庁
The reference power supply device includes band gap reference circuits 2a and 2b for generating a band gap reference voltage and a control device 3 for controlling the switching of the band gap reference circuit to output a band gap reference voltage according to the operating states of the band gap reference circuits 2a and 2b.例文帳に追加
ンドギャップ基準電圧を生成するバンドギャップ基準回路２ａ，２ｂと、バンドギャップ基準回路２ａ，２ｂの動作状態に応じてバンドギャップ基準電圧を出力するバンドギャップ基準回路の切り替えを制御する制御装置３とを備える。 - 特許庁
WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
ワイドバンドギャップ半導体装置とその製造方法 - 特許庁
BAND GAP CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE SAME例文帳に追加
バンドギャップ回路及びこれを具備する半導体装置 - 特許庁
A cap layer 17 is provided with a wider band gap than that of the active layer 16, and the band gap of the level difference confinement layer 19 is set so as to be wider than the band gap of the active layer 16, and narrower than the band gap of the cap layer 17.例文帳に追加
キャップ層１７は、活性層１６よりも広いバンドギャップを有し、段差閉じ込め層１９のバンドギャップは、活性層１６のバンドギャップよりも広く、かつキャップ層１７のバンドギャップよりも狭い。 - 特許庁
To produce a carbon nanotubes having a specified band gap.例文帳に追加
所定のバンドギャップを持つカーボンナノチューブを製造する。 - 特許庁
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