「Deep-level trap」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To evaluate, at room temperature, the level of a deep trap existing in a wide band gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体に存在する深いトラップ準位を室温におて評価する。 - 特許庁

The dissociation of the halogen causes a defective level to be produced in the photoconductive layer to become a deep trap of charge; and affects the dark current characteristic, the sensitivity characteristic, and the after-image characteristic.例文帳に追加

ハロゲンの解離は、光導電層中に欠陥準位を生じて電荷の深いトラップとなり、暗電流特性や感度特性、残像特性に影響する。 - 特許庁

According to this method, the level of a deep trap can be evaluated even at room temperature, and this can also be utilized for the evaluation aiming at performance improvement of the semiconductor device, using a wide band gap.例文帳に追加

この方法によれば、室温においても深いトラップ準位を評価することができ、ワイドバンドギャップを用いた半導体装置の性能向上を目的とした評価に利用することができる。 - 特許庁

C-V measurement is performed using a C-V measuring apparatus 10, while irradiating a semiconductor sample 15 with a single-wavelength light 18 produced by spectral diffraction of the light from a white light source, and the level of a deep trap is evaluated from the measurement result.例文帳に追加

白色光源からの光を分光した単一波長光１８を半導体試料１５に照射しつつ、Ｃ−Ｖ測定装置１０を用いてＣ−Ｖ測定を行い、その測定結果から深いトラップ準位を評価する。 - 特許庁

After a first HTO film 2a is formed on the upper surface of a silicon substrate 1 by a thermal CVD method, a silicon-rich HTO film 2b having a deep trap level is formed by the thermal CVD method under the condition of decelerating the flow rate of an N_2O of process gas for forming this first HTO film 2a.例文帳に追加

シリコン基板１の上面に、熱ＣＶＤ法によって第一のＨＴＯ膜２ａを成膜した後、この第一のＨＴＯ膜２ａを成膜するプロセスガスのうちＮ２ Ｏの流量を削減した条件で熱ＣＶＤ法によって、深いトラップ準位を有するシリコンリッチＨＴＯ膜２ｂを成膜する。 - 特許庁