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Filnを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor device includes a process for forming passivation film on the silicon carbide wafer, before a process in which silicon carbide dust adheres to the silicon carbide wafer, a process for removing the silicon carbide dust by plasma etching, after the silicon carbide dust has adhered on the passivation filn, and a process for removing the passivation film after the plasma etching step.例文帳に追加
SiC粉塵がSiCウェハに付着する工程の前に、SiCウェハ上に保護膜を形成する工程と、SiC粉塵が保護膜上に付着した後にプラズマエッチングによりSiC粉塵を除去する工程と、前記プラズマエッチング後に前記保護膜を除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁
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