| 意味 | 例文 |
ZIOを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
On an upper of a upper clad layer made of p-GaN, an ohmic contact forming layer is formed using MIO, ZIO and CIO (In_2O_3 including one of Mg, Zn and Cu), and then a transparent electrode layer and a second electrode are formed with ITO thereon, thereby improving the contact resistance between the upper clad layer and the second electrode while obtaining high transparency.例文帳に追加
本発明によれば、p-GaNから成る上部クラッド層の上部にMIO、ZIO、CIO(Mg、Zn、Cu中いずれかを含むIn_2O_3)でオーミック形成層をさらに形成した後、ITO等で具現される透明電極層と第2電極を形成することにより、上記上部クラッド層と第2電極との接触抵抗の問題を改善し、高い透過率を得られる。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|