例文 (2件) |
alloy junction transistorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
To provide a display device which is not corroded with a developer in the manufacturing process so as to have stable production, and which makes a low junction resistance even when direct junction with a transparent electrode is conducted, with respect to the display device equipped with a thin film transistor, a transparent electrode layer and an aluminum alloy film layer for wiring.例文帳に追加
薄膜トランジスタと、透明電極層と、配線用のアルミニウム合金膜層とを備える表示デバイスに関し、製造工程における現像液に浸食されず、安定した生産が実現でき、透明電極との直接接合をしても低い接合抵抗を実現可能とした表示デバイスを提供する。 - 特許庁
In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加
本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板1上にn^+型AlGaAsエミッタ層5、p^+型GaAsベース層6、n型GaAsコレクタ層7、n^^+型GaAsコレクタキャップ層8、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極11を順次形成している。 - 特許庁
例文 (2件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |