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alterable memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
To provide an apparatus and a method for demarcating memory states of an electrically alterable and non-volatile multi-bit memory cell and a new device, and to provide a method about a programming reference signal.例文帳に追加
本発明は、複数ビットの電気的可変不揮発メモリセルの記憶状態分界およびプログラミング基準信号に関して新規な装置および方法を提供するものである。 - 特許庁
Each memory cell has at least one ferromagnetic sense layer 202 in which the orientation of magnetization is alterable and the orientation of magnetization changes upon the proximate application of at least one magnetic field as may be externally applied by a magnetically tipped stylus 110.例文帳に追加
各メモリセルは磁化の向きが変更可能で、磁気的先端部を有するスタイラス110によって外部から加えられるような少なくとも1つの磁界が近接して加えられたときに磁化の向きが変化することを特徴とする少なくとも1つの強磁性センス層202を有する。 - 特許庁
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