例文 (1件) |
cap annealの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
The fabrication process of an MOSFET as the semiconductor device comprises a wafer preparation step of preparing a wafer comprising silicon carbide, an anneal cap forming step of forming a cap layer comprising tantalum carbide or tungsten carbide on the wafer, and an activation anneal step of carrying out activation annealing by heating the wafer.例文帳に追加
半導体装置としてのMOSFETの製造方法は、炭化珪素からなるウェハを準備するウェハ準備工程と、ウェハ上に炭化タンタルまたは炭化タングステンからなるキャップ層を形成するアニールキャップ形成工程と、ウェハを加熱することにより、活性化アニールを実施する活性化アニール工程とを備えている。 - 特許庁
例文 (1件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |