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diffusion overvoltageの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4件
A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 16 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加
P型の埋込拡散層5が、N型の埋込拡散層4上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のPN接合領域16が形成されている。 - 特許庁
A P type buried diffusion layer 5 is formed over a wide region on the upper surface of the N type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 17 for overvoltage protection is formed.例文帳に追加
P型の埋込拡散層5が、N型の埋込拡散層4上面の広い領域に渡り形成され、過電圧保護用のPN接合領域17が形成されている。 - 特許庁
An N type buried diffusion layer 5 is formed to be superposed on the P type buried diffusion layer 4 and a PN junction region 19 for overvoltage protection is formed below an element forming region.例文帳に追加
N型の埋込拡散層5が、P型の埋込拡散層4と重畳するように形成され、素子形成領域の下方に過電圧保護用のPN接合領域19が形成されている。 - 特許庁
To provide a performance recovery method whereby the performance of a gas diffusion electrode with a performance deterioration, such as the increase in overvoltage, caused in its use for electrolysis, such as ion-exchange membrane common salt electrolysis, is recovered, enabling the electrode to be reused.例文帳に追加
イオン交換膜食塩電解用等の電解に使用して過電圧が増大する等の性能劣化が生じたガス拡散電極を性能回復させて、再使用することを可能にするガス拡散電極の性能回復方法を提供する。 - 特許庁
| 例文 |
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