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dislocation conductionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
A material of ohmic contact nature is not joined to the second conduction type semiconductor crystal layer 4 in the vicinity of the penetrating dislocation defective 11, so that a current does not flow in the vicinity of the penetrating dislocation defective 11.例文帳に追加
貫通転位欠陥11付近の第2導電型半導体結晶層4にオーミックコンタクト性の材料が接合されていないので、貫通転位欠陥11付近を電流が流れない。 - 特許庁
On the surface of an opposite side to an active layer 3 of a second conduction type semiconductor crystal layer 4, a penetrating dislocation defective 11 is exposed, the internal surface of the penetrating dislocation defective 11 and its periphery are covered with a material (a coating portion 13) which has non-ohmic contact nature to a second conduction type semiconductor crystal layer 4.例文帳に追加
第2導電型半導体結晶層4の活性層3とは反対側の表面に貫通転位欠陥11が露出し、貫通転位欠陥11の内表面及びその周囲を、第2導電型半導体結晶層4に対して非オーミックコンタクト性の材料で被覆(被覆部13)した。 - 特許庁
| 例文 |
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