「interface s」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A device at the downstream side endpoint of the multicast flow of the LAG link directly or indirectly detects an interruption of a multicast flow of a specific (S, G), and switches paths of the flow by directly or indirectly changing a multicast receiving interface on a multicast routing table about the multicast flow and a value of a multicast upstream neighbor address when the flow interruption is detected.例文帳に追加

ＬＡＧリンクのマルチキャストフロー下流側端点の装置において、特定の（Ｓ，Ｇ）のマルチキャストフローの断を直接的または間接的に検出し、同フロー断検出を契機として当該マルチキャストフローに関するマルチキャストルーティングテーブル上のマルチキャスト受信インタフェースとマルチキャスト上流ネイバーアドレスの値を直接的または間接的に変更することにより、当該フローの経路切替を動作させる。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a surface 10a has a specific plane orientation, and a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁