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interstitial clusterの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
The base wafer 22 of the SOI wafer is composed of a single silicon crystal grown by the Czockralski method and the whole surface of the wafer 22 is on the outside of an OSF region, does not contain the defective region detected by the Cu deposition method, and contains an I region in which the dislocation cluster caused by interstitial silicon exists.例文帳に追加
ベースウエーハ22が、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であり、該ウエーハ全面がOSF領域の外側であって、Cuデポジション法により検出される欠陥領域を含まず、且つ格子間シリコンに起因した転位クラスタが存在するI領域を含むものからなることを特徴とするSOIウエーハ26。 - 特許庁
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