OSFとは 意味・読み方・使い方

When the anisotropic etching is applied, OSF (oxidation-induced stacking faults) of OSF density 2×10^4 pieces/cm^2 or more and the OSF length 2 μm or more is made to exist on the rear surface of the Si substrate 1.例文帳に追加

異方性エッチングを行う際、Ｓｉ基板１の裏面に、ＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）をＯＳＦ密度２×１０^4個／ｃｍ^2以上、かつＯＳＦ長さを２μｍ以上で存在させておく。 - 特許庁

This is the default for all platforms except for the OSF/1 reference platform, using the OSF/rose object format.発音を聞く 例文帳に追加

これは OSF/1 リファレンスプラットフォーム以外の全てのプラットフォームにおけるデフォルトです。 OSF/1 リファレンスプラットフォームは OSF/rose オブジェクトフォーマットを使用します。 - JM

To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon wafer, by which only an etch pit of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) is detected by selective etching and an OSF can be accurately determined.例文帳に追加

選択エッチングによりＯＳＦのエッチピットのみを検出し、ＯＳＦを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁

When the single crystal 9 is pulled from a melt 8, the pulling rate is made low so that OSF ring 11 occurs at the inner side than the outer peripheral part of the single crystal or the OSF ring diminishes at the center part.例文帳に追加

溶融液８から単結晶８を引き上げるときの引き上げ速度を、ＯＳＦリング１１が単結晶外周部より内側に生じるか、もしくは中心部で消滅する低速度とする。 - 特許庁

An ATM transmitter 1-2 of the receiving side decides the continuity of the data breaking position information OSF on a plurality of received ATM cells by using an OSF check part 1-21.例文帳に追加

受信側のＡＴＭ伝送装置１−２は、受信した複数のＡＴＭセルに亙るこのデータ区切り位置情報ＯＳＦの連続性を、ＯＳＦチェック部１−２１により判定する。 - 特許庁

To provide a silicon semiconductor substrate exhibiting excellent electric characteristics and having high gettering power by reducing not only grown-in defect in crystal but also oxygen deposit remaining in the OSF region and becoming the nucleus of OSF growth while growing the crystal under growth conditions becoming the OSF region, and to provide its production process.例文帳に追加

結晶をＯＳＦ領域となる育成条件で育成したうえで、結晶中のグロウンイン欠陥を低減するのみならず、ＯＳＦ領域に残存していたＯＳＦ成長の核となる酸素析出物をも低下させ、電気特性に優れ、かつ高いゲッタリング能を持つシリコン半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since cristobalite hardly reacts with a silicon melt, the oxygen concentration in a single crystal is lowered, decreasing OSF or COP.例文帳に追加

またクリストバライトはシリコン融液と反応しにくいため、単結晶中の酸素濃度を低下させるので、ＯＳＦやＣＯＰを少なくすることができる。 - 特許庁

When a pulling-up speed at which OSF begins to occur at the center part of the crystal is defined as Vo, the crystal is grown at a stationary speed higher than the speed Vo.例文帳に追加

結晶中心部にＯＳＦが生じはじめる結晶引上げ速度をＶ_0 として、Ｖ_0 を超える定常速度で結晶育成を行う。 - 特許庁