etch pitとは 意味・読み方・使い方

When an SiC growth layer 4 is epitaxially grown on the surface of the etch pit 1b in such a condition that portions grown in the side wall parts of the etch pit 1b are brought into contact mutually, the dislocation is prevented from being transferred to the SiC growth layer 4.例文帳に追加

そして、その表面に、エッチピット１ｂの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させることで、ＳｉＣ成長層４に転位が引き継がれないようにする。 - 特許庁

An image of a flying trace detection solid after etch processing is acquired by a microscope device 21 to be binarized, and the ellipse is fitted an image for each etch pit.例文帳に追加

エッチ処理済みの飛跡検出用固体の画像を顕微鏡装置２１で取得し、これを二値化し、各エッチピットの画像に楕円をフィッティングする。 - 特許庁

To provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode in which an etch pit is uniformly generated at high density, thereby increasing a surface expansion rate and also increasing an electrostatic capacitance.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に発生させて拡面率を高め、静電容量の増大を図ることができる電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

Since the etch pit is hardly caused on the polishing face of the GaN crystal and an excellent polishing face is obtained, an extremely excellent GaN film can be obtained by epitaxially growing a GaN film from the polishing face.例文帳に追加

これにより、ＧａＮ結晶の研磨面にエッチピットが発生しにくく、良好な研磨面が得られるため、この研磨面にＧａＮ膜をエピタキシャル成長させると、非常に良好なＧａＮ膜を得ることができる。 - 特許庁

Fe-Ni-Co ALLOY EXCELLENT IN ETCHING CHARACTERISTIC AND LOW THERMAL EXPANSION CHARACTERISTIC, AND SHADOW MASK EXCELLENT IN SMOOTHNESS OF INSIDE SURFACE SHAPE OF ETCH PIT例文帳に追加

エッチング性および低熱膨張特性に優れたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金およびエッチング孔内郭形状の円滑性に優れたシャドウマスク - 特許庁

An etch pit density at the front surface of the semiconductor substrate 1 existing in the region A just under the pad electrode 2 in vertical is 0 or 3×10^4 /cm^2 or more but 6×10^4 /cm^2 or less.例文帳に追加

パッド電極２の垂直真下の領域Ａに存在する半導体基板１の表面のエッチピット密度が０または３×１０^4／ｃｍ^2以上６×１０^4／ｃｍ^2以下である。 - 特許庁

A channel layer is formed so that the facet surface of a polygonal pyramid etch pit that is formed in lamination semiconductor structure is covered, and, furthermore, a hole accumulation layer that is pitched by a pair of barrier layers is formed along a channel layer.例文帳に追加

積層半導体構造中に形成された多角錐エッチピットのファセット面を覆うようにチャネル層を形成し、さらにチャネル層に沿って、一対のバリア層で挟持されたホール蓄積層を形成する。 - 特許庁

Further, the damaged layer is reduced even when an alkaline etchant of ≤20 wt.% in concentration is used to eliminate an increase in depth of an etch pit and a decrease in flatness.例文帳に追加

また、濃度２０ｗｔ％以下のアルカリ性エッチング液を使っても加工変質層が減り、エッチピットの深さ増大や平坦度低下が解消される。 - 特許庁