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methyl cyclopentadienylの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4件
The organometallic compound includes methyl cyclopentadienyl manganese tricarbonyl.例文帳に追加
この有機金属化合物はメチルシクロペンタジエニルマンガントリカルボニルを含む。 - 特許庁
The titanium oxide film of rutile crystal structure is obtained by forming an amorphous titanium oxide film on an amorphous zirconium oxide film by ALD method by using methyl cyclopentadienyl tris dimethylamino titanium as a titanium precursor, and then annealing the amorphous titanium oxide film at a temperature of 300°C or higher thereby crystallizing.例文帳に追加
非晶質の酸化ジルコニウム膜上に、チタンプリカーサとしてメチルシクロペンタジエニルトリスジメチルアミノチタンを用いてALD法により非晶質の酸化チタン膜を形成し、300℃以上の温度でアニールして結晶化することでルチル結晶構造を有する酸化チタン膜が得られる。 - 特許庁
Representatively, the (methyl cyclopentadienyl)(1,5-cyclooctadiene)iridium (1) precursor is initially heated to a 1st temperature within the range of 60°C to 90°C in an ampule and kept at the 1st temperature in a transporting line for introducing the precursor.例文帳に追加
代表的には、(メチルシクロペンタジエニル)(1,5−シクロオクタジエン)イリジウム(I)前駆物質がアンプルの中で60から90℃の範囲内の第1の温度に初期加熱され、前駆物質を導入する移送ラインの中においては第1の温度に保たれる。 - 特許庁
The method comprises: providing a substrate; introducing a (methyl cyclopentadienyl)(1,5-cyclooctadiene) iridium (1) precursor; introducing oxygen as a precursor reaction gas; establishing final pressure in the range of 1 Torr to 50 Torr; and growing the IrOx hollow nanotube from the surface of the substrate with the use of metalorganic chemical vapor deposition method (MOCVD).例文帳に追加
本発明の方法は、基板を提供すること、(メチルシクロペンタジエニル)(1,5−シクロオクタジエン)イリジウム(I)前駆物質を導入すること、前駆物質反応ガスとして酸素を導入すること、1から50Torrの範囲内の最終圧力を確立すること、有機金属化学気相成長(MOCVD)処理を使用することにより、基板の表面からIrOx中空ナノチューブを成長させることとを包含する。 - 特許庁
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