「satisfy sb」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Bi content and Sb content satisfy inequalities 0.01 % ≤ 0.000502x^3 + 0.00987x^2 + 0.0553x + [Sb] ≤ 10 %, where x denotes Bi content (%), and [Sb] denotes Sb content (%), respectively.例文帳に追加

０．０１ａｔ％ ≦０．０００５０２ｘ^３ ＋ ０．００９８７ｘ^２ ＋０．０５５３ｘ＋［Ｓｂ］≦１０ａｔ％ - 特許庁

A set of angles θ1 and θ2 representing the orientation directions of the retardation plates 1 and 2 is selected so as to satisfy SB=R(Δ2, θ1)R(Δ1, θ1).例文帳に追加

位相差板１、２の配向方向を表わす角度θ1, θ2のセットをＳB＝Ｒ（Δ2,θ1）Ｒ（Δ1,θ1）を満たすように選ぶ。 - 特許庁

Furthermore, as for the composition in atomic ratio of the recording layer 4 is represented by general formula in (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x, a, b and x satisfy an inequality: 0.72≤x+2a+7b/6≤0.82.例文帳に追加

さらに、記録層４の原子比率での組成を(Ｉｂ)_a(IIIｂ)_b(Ｓｂ)_x(Ｔｅ)_1-a-b-x で表す一般式において、ａ，ｂ，ｘが０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２である。 - 特許庁

When an operating current monitor signal SB indicates that operating currents satisfy a prescribed reference, and a leak monitor signal SA0 indicates that a reverse bias degree is increased, a charge pump circuit 3P in an active state performs control to deepen a board potential VBP for PMOS.例文帳に追加

動作電流モニタ信号ＳＢが動作電流が所定の基準を満足することを指示し、リークモニタ信号ＳＡ０が逆バイアス度合を高めることを指示する場合、活性状態のチャージポンプ回路３ＰによってＰＭＯＳ用基板電位ＶＢＰを深く引く制御が行われる。 - 特許庁

When the operating current monitor signal SB indicates, on the other hand, that the operating currents do not satisfy a prescribed reference, in order to obtain the operating currents satisfying the prescribed reference regardless of the indicated content of the leak monitor signal SA0, a discharge switch circuit 4P performs control to shallow the board potential VBP for PMOS.例文帳に追加

一方、動作電流モニタ信号ＳＢが動作電流が所定の基準を満足しないと指示する場合、リークモニタ信号ＳＡ０の指示内容に関係なく、所定の基準を満足させる動作電流を得るため、ディスチャージスイッチ回路４ＰによってＰＭＯＳ用基板電位ＶＢＰを浅くする制御が行われる。 - 特許庁