「substrate trap」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The memory cell MC includes a first gate electrode WG formed on a channel region 4 in a semiconductor substrate 1 through a gate insulation film 5, a second gate electrode CG formed at a side of the first gate electrode WG and coupled with the first gage electrode WG through an insulation substance, and an electric charge trap film 6 formed at least between the channel region 4 and the second gate electrode CG.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、半導体基板１中のチャネル領域４上にゲート絶縁膜５を介して形成された第１ゲート電極ＷＧと、第１ゲート電極ＷＧの側方に形成され絶縁体を介して第１ゲート電極ＷＧとカップリングする第２ゲート電極ＣＧと、チャネル領域４と第２ゲート電極ＣＧとの間に少なくとも形成された電荷トラップ膜６とを有する。 - 特許庁

The gate electrode includes a plurality of first conductive films 12, formed in between the embedded insulating films 14 on the semiconductor substrate 10 via the trap film 11 and having substantially the same height as that of the embedded insulating film 15; and a second conductive film 16, formed across on the buried insulating film 15 and the first conductive film 12 and electrically connecting the first conductive films 12.例文帳に追加

ゲート電極は、半導体基板１０上における埋め込み絶縁膜１５同士の間にトラップ膜１１を介して形成され、埋め込み絶縁膜１５の高さとほぼ等しい高さを有する複数の第１の導電膜１２と、埋め込み絶縁膜１５及び第１の導電膜１２の上に掛けて形成され、第１の導電膜１２同士を電気的に接続する第２の導電膜１６とを有している。 - 特許庁