tan-kの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
The nip pressure PB is formulated by the following equation: PB={[K/Cos(θ-π/2)+Tan(θ-π/2)]×TA+P0}/[1-K×k/Cos(θ-π/2)].例文帳に追加
そして、ニップ圧PBを、次の式、PB={[K/Cos(θ−π/2)+Tan(θ−π/2)]・TA+P0}/[1−K・k/Cos(θ−π/2)]、で定式化する。 - 特許庁
The friction coefficient μ corresponding to the temperature is obtained by the formula expressed by the sum of the term of adhesion A × s/W and the term of histeresis k × tan δ × E'^-n/W by using the obtained values, respectively.例文帳に追加
得られた値をそれぞれ用いて、凝着の項A・s/Wとヒステリシスの項k・tan δ・E’^-n/Wとの和で表す式により、温度に対応した摩擦係数μを求める。 - 特許庁
A buffer 43 receives tan^-1(X(k)/Y(k)) based on I and Q components of an FM reception signal as an original phase and stores original phases at a plurality of most recent continuous sample times.例文帳に追加
バッファ43は、FM受信信号のI,Q成分に基づくtan^-1(X(k)/Y(k))を元位相として入力され、直近で連続する複数のサンプル時刻の元位相をバッファに保存する。 - 特許庁
For patterning a metal gate comprising TiN and TaN on top of a rare earth based high-k layer 2, chlorine-containing gas can be used since titanium and tantalum chlorides are volatile, and reasonable selectivity to other materials present on a wafer can be obtained.例文帳に追加
希土類元素ベースの高k材料層2の上面において、TiN及びTaNを含有する金属ゲートをパターニングするため、塩素含有ガスを使用することができる。 - 特許庁
Accordingly, the incident angle θ at which emission light L1 from the projector 61 enters the vertical diffusion screen 10 can be made larger than tan^-1(W/D), and the emission angle ϕ of the vertical diffusion light L2 relative to the optical axis K can be made larger.例文帳に追加
このため、プロジェクタ61からの出射光L1が垂直拡散スクリーン10に入射する入射角度θをtan^−1(W/D)より大きくし、光軸Kに対する垂直拡散光L2の出射角度φを大きくすることができる。 - 特許庁
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