「transistor type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

INTERNAL MATCHING-TYPE TRANSISTOR例文帳に追加

内部整合型トランジスタ - 特許庁

ORGANIC JUNCTION TYPE TRANSISTOR例文帳に追加

有機接合型トランジスタ - 特許庁

FIELD EFFECT TYPE TRANSISTOR例文帳に追加

電界効果型トランジスタ - 特許庁

N-TYPE TRANSISTOR, N-TYPE TRANSISTOR SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR N-TYPE TRANSISTOR CHANNEL例文帳に追加

ｎ型トランジスタ、ｎ型トランジスタセンサ及びｎ型トランジスタ用チャネルの製造方法 - 特許庁

The transistor is an enhancement type n-channel type transistor.例文帳に追加

トランジスタはエンハンスメント型のｎチャネル型のトランジスタである。 - 特許庁

HORIZONTAL TYPE HIGH BREAKDOWN VOLTAGE JUNCTION TYPE TRANSISTOR例文帳に追加

横形高耐圧接合型トランジスタ - 特許庁

HORIZONTAL-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

横型電界効果トランジスタ - 特許庁

BOTTOM-GATE TYPE THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ボトムゲート型薄膜トランジスタ - 特許庁

TOP GATE TYPE THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

トップゲート型薄膜トランジスタ - 特許庁

INSULATOR GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁

INSULATED GATE-TYPE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁

INSULATION GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁

CHANNEL ETCH TYPE THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

チャネルエッチ型薄膜トランジスタ - 特許庁

FIN TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

フィン型電界効果トランジスタ - 特許庁

FIELD EFFECT TYPE ORGANIC TRANSISTOR例文帳に追加

電界効果型有機トランジスタ - 特許庁

MOS-TYPE TRANSISTOR FOR PHOTOCELL例文帳に追加

フォトセル用ＭＯＳ型トランジスタ - 特許庁

The MOS transistor 2 is a p-channel type MOS transistor.例文帳に追加

MOSトランジスタ２はｐチャネル型MOSトランジスタである。 - 特許庁

CURRENT TYPE TRANSISTOR INVERTER CIRCUIT例文帳に追加

電流型トランジスタインバータ回路 - 特許庁

JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR TYPE BIOSENSOR例文帳に追加

電界効果トランジスタ型バイオセンサ - 特許庁

Any transistor is of a normally-on type transistor.例文帳に追加

いずれのトランジスタもノーマリーオン型のトランジスタである。 - 特許庁

P-TYPE THIN-FILM TRANSISTOR, N-TYPE THIN-FILM TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

Ｐ型薄膜トランジスタ、Ｎ型薄膜トランジスタ及び半導体装置 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR TYPE ION SENSOR例文帳に追加

電界効果トランジスタ型イオンセンサ - 特許庁

INSULATED GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR OF REVERSE CONDUCTING TYPE例文帳に追加

逆通電型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁

p-CHANNEL TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ｐチャネル型電界効果トランジスタ - 特許庁

TRENCH-TYPE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

トレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - 特許庁

TRANSISTOR TYPE ALTERNATING CURRENT WELDING POWER SOURCE例文帳に追加

トランジスタ式交流溶接電源 - 特許庁

MOVABLE GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

可動ゲート型電界効果トランジスタ - 特許庁

MANUFACTURE OF MOS-TYPE TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの製造方法 - 特許庁

HETEROJUNCTION-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ヘテロ接合型電界効果トランジスタ - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF INSULATED-GATE TYPE TRANSISTOR AND THE INSULATED-GATE TYPE TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲート型トランジスタの製造方法および絶縁ゲート型トランジスタ - 特許庁

HETERO STRUCTURE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ヘテロ構造型電界効果トランジスタ - 特許庁

SCHOTTKY GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ショットキーゲート型電界効果トランジスタ - 特許庁

INSULATED GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ - 特許庁

In a charge pump circuit, a P-type transistor MP2 and an N-type transistor MN2, which are turned off at all the time, are provided in parallel with a P-type transistor MP1 and an N-type transistor MN1.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＭＰ１及びＮ型トランジスタＭＮ１と並列に常にオフにしたＰ型トランジスタＭＰ２及びＮ型トランジスタＭＮ２を設ける。 - 特許庁

1-TRANSISTOR TYPE DRAM DRIVING METHOD例文帳に追加

１−トランジスタ型ＤＲＡＭ駆動方法 - 特許庁

When both the P-type transistor MP1 and the N-type transistor MN2 are turned off, an off-leak current escapes via the P-type transistor MP2 and the N-type transistor MN2.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＭＰ１とＮ型トランジスタＭＮ２が共にＯＦＦのときオフリーク電流はＰ型トランジスタＭＰ２及びＮ型トランジスタＭＮ２を介して逃げる。 - 特許庁

The first transistor and second transistor have the same conductivity type.例文帳に追加

第１及び第２のトランジスタは同一の導電型である。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TRENCH-GATE-TYPE TRANSISTOR例文帳に追加

トレンチゲート型トランジスタの製造方法 - 特許庁

LATERAL JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

横型接合型電界効果トランジスタ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TRENCH-GATE TYPE TRANSISTOR例文帳に追加

トレンチゲート型トランジスタの製造方法 - 特許庁

METHOD OF DRIVING 1-TRANSISTOR TYPE DRAM例文帳に追加

１−トランジスタ型ＤＲＡＭ駆動方法 - 特許庁

TRENCH GATE TYPE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

トレンチゲート型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - 特許庁

JUNCTION TYPE GROUP III NITRIDE TRANSISTOR例文帳に追加

接合型ＩＩＩ族窒化物トランジスタ - 特許庁

MEMORY ARRAY USING SOI-TYPE TRANSISTOR例文帳に追加

ＳＯＩ型トランジスタを用いたメモリアレイ - 特許庁