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un-dopedの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4件
The un-doped semiconductor layer 14 further includes an upper light guide layer 46 formed on the active layer 44.例文帳に追加
アンドープ半導体層14は、活性層44上に設けられた上部光ガイド層46を更に含む。 - 特許庁
An n-type electron feeding layer 14 made of AlGa and an n-type electron transit layer 15 made of GaN are formed sequentially with an un-doped AlGaN buffer layer 12 and an un-doped AlGaN base layer 13 in between on a sapphire substrate 11.例文帳に追加
サファイアよりなる基板11の上にundope−AlGaNよりそれぞれなるバッファ層12および下地層13を介してn型AlGaNよりなる電子供給層14およびn型GaNよりなる電子走行層15が順次積層されている。 - 特許庁
The semiconductor laser element 10 includes an n-type semiconductor region 12, an un-doped semiconductor layer 14 containing an active layer 44, a current constricting layer 16 having an opening 16a extending in a predetermine direction, and a p-type semiconductor region 18.例文帳に追加
半導体レーザ素子10は、n型半導体領域12と、活性層44を含むアンドープ半導体層14と、所定方向に延びる開口16aを有する電流狭窄層16と、p型半導体領域18とを備える。 - 特許庁
The cap layer 9 includes a first InGaP layer 9A which is un-doped and has a natural superlattice structure or in which n-type carriers are injected, and a second InGaP layer 9B which has the natural superlattice structure and in which n-type carriers are injected, in that order when viewed from the Schottky layer 8 side.例文帳に追加
キャップ層9は、ショットキー層8側から見て、自然超格子構造を有するアンドープの又はn型キャリアが添加された第1のInGaP層9Aと、自然超格子構造を有しないn型キャリアが添加された第2のInGaP層9Bとを順次含んでいる。 - 特許庁
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