「次いで」を含む例文一覧(11990)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 .... 239 240 次へ＞- 次いで、前記偏平ビームを対陰極に照射してX線を発生させる。
Then, by irradiating the flat beams on an anticathode, the X-rays are generated. - 特許庁 - 次いで、特定したデータ領域にアクセスする（ステップＳ３７）。
Then, access is made to the identified data area (Step S37). - 特許庁 - 次いでアルカリ性洗浄液を用いてエッチング残渣１１７を除去する。
Using an alkaline cleaning liq., etch residues 117 are removed. - 特許庁 - 次いで、システムを動作状態にするためにブート・コードを実行する。
Then, the boot code is executed so as to bring the system into an operation state. - 特許庁 - 次いで、ヘッド１００に殺菌液を供給して口部を殺菌する。
Secondly, a sterilizing liquid is fed to the head 100 so as to sterilize the mouth part. - 特許庁 - 次いで、最終フィーチャが、モデル化され、変数の値が、最適化される。
A final feature is then modeled, and values of the variables are optimized. - 特許庁 - 次いで、マンドレル２０を冷却しながら、シェル金型１０を加熱する。
Successively, the shell metallic mold 10 is heated while cooling the mandrel 20. - 特許庁 - 次いで、第１の電圧と第２の電圧との間の差が計算される。
Then the difference between the first voltage and the second voltage is computed. - 特許庁 - 画像に関する情報は、次いで、クエリ応答で送信される。
The information about the images is then transmitted in a query response. - 特許庁 - 次いで、空気モータ（４６）により、ＰＴＲ（１２）の回転弁（２２）を駆動する。
Next, the rotary valve 22 of the PTR 12 is driven by the air motor 46. - 特許庁 - 次いで、チップ用パターン２の接着剤上にチップ５を搭載する。
Then a chip 5 is mounted on the adhesive applied to the pattern 2 for the chip. - 特許庁 - 次いで、弁を、ツール上を通してパイプ端に係合させる。
A valve is then passed over the tool to engage the pipe end. - 特許庁 - 次いで、予想される膜間圧に基づいて次に窓限界が算定される。
Subsequently, a next window limit is calculated based on a forecasted transmembrane pressure. - 特許庁 - 次いで、混合材料１ａを施工現場に投入する（投入工程）。
Thereafter, the mixed material 1a is fed to the construction site (feeding process). - 特許庁 - 次いで、積層体１ａの剪断部１８にスリット３０を形成する。
Slits 30 are formed to the shearing sections 18 of the laminate 1a. - 特許庁 - 次いで、導電膜１２０上に、ハードマスクパターン７０を形成する。
Then a hard mask pattern 70 is formed on the conductive film 120. - 特許庁 - 次いで、上記データベースをハードディスクドライブ５６に記憶する。
Next, the data base is stored in a hard disk drive 56. - 特許庁 - 次いで、酸化雰囲気下で加熱した後、シリカ成分を除去する。
Successively, after heating under an oxidative atmosphere, a silica constituent is removed. - 特許庁 - 次いで、Ｔｉ層上にＡｌ層を形成し、熱処理を施す。
Then, the Al layer is formed on the Ti layer, and heat treatment is carried out. - 特許庁 - 次いで、この凹部１５の中央部にピン９ａを突き通す。
A pin 9a is forced to penetrate into the center part of this recess 15. - 特許庁 - 次いで、集合部５６が窓部８に沿って膨張展開する。
Then, the assembly portion 56 is inflated and developed along a window portion 8. - 特許庁 - 次いで螺旋を回転させてフレームのなかに食い込ませて行く。
Then, the spiral is rotated and engaged into the frame. - 特許庁 - 次いで、組成物を冷却してフィルムまたはシートを形成する。
Then, the composition is cooled to form a film or sheet. - 特許庁 - 次いで、マザースタンパ３３をマスタースタンパ２７から剥離する。
Next, the master stamper 33 is stripped from the master stamper 27. - 特許庁 - 次いで、データ・ドキュメントからテキスト・データを受け取る。
The test data is received thereafter from the data document. - 特許庁 - 次いで、試料１０ａを例えばＳＣＭ測定用の円盤に固定する。
Then, the sample 10a is fixed, for example, to a disk for SCM measurement. - 特許庁 - 次いで、フォトダイオード上のエッチング抑制膜を除去する。
Next, an etching restricting film on the photodiode is removed. - 特許庁 - 次いで、状態データと状態テンプレート・データの比較が実行される。
A comparison is then performed of the state data and the template state data. - 特許庁 - 次いで、ＧａＮ層１２上にＩｎＮ層１３を形成する。
Next, a InN layer 13 is formed on the GaN layer 12. - 特許庁 - その後，露光してから保護フィルム１０を除去し，次いで現像する。
Thereafter, it is exposed and then developed after removing the protective film 10. - 特許庁 - 次いでワーク１の他面側から上記切断すべき部分に切削を行う。
Cutting is performed to the parts to be cut from the other surface side. - 特許庁 - 次いで冷媒は液体状態のまま毛細管の遠位端から出る。
The refrigerant then exits the distal end of the capillary tube, still in its liquid state. - 特許庁 - 次いで、連続紙は、このローディング時の搬送速度で搬送される（Ｓ１０２）。
Then, the continuous paper is conveyed at the conveyance speed in loading (S102). - 特許庁 - 次いで、シード膜の形成後、配線パターン用レジストの剥離を行う。
Next, after the formation of the seed film, a resist for wiring pattern is peeled off. - 特許庁 - 次いで、第２のガス供給部42が、長時間にわたり、ガスを供給する。
Thereafter, the second gas supply part 42 supplies gas for a long period of time. - 特許庁 - 次いで連続撮影し、その際撮影時の各TRをメモリに記憶する（103）。
Next, the cross section is consecutively photographed, then each TR at the time of photographing is stored in a memory (103). - 特許庁 - 次いで、その金属合金を射出成形金型にインサートする。
The metal alloy is inserted thereafter into an injection molding die. - 特許庁 - 次いで、レンズモジュール６をサブ基板１０に装着して固定する。
Then the lens module 6 is mounted on the sub board 10 and fixed thereon. - 特許庁 - 次いでライナー上にシード層２３をＣＶＤによって付着させる。
Next, a seed layer 23 is adhered onto the liner by the CVD. - 特許庁 - 次いで針ガイドを導管内に通して血管に接触させる。
A needle guide is then passed down inside the conduit to contact the vessel. - 特許庁 - 次いで、基板１を酸素含有雰囲気中でアニーリングする。
In the third place, the substrate 1 is annealed in an atmosphere including oxygen. - 特許庁 - 次いで前記レジスト層２が形成されていない箇所にめっきを行う。
Next, plating is performed at spots, in which no resist layer 2 is formed. - 特許庁 - 陽極刺激が最初に加えられ、次いで陰極刺激が加えられる。
Anodal stimulation is first applied and followed by cathodal stimulation. - 特許庁 - 次いで、全面的に絶縁層３００を形成し、浅溝槽を充たす。
Next, an insulation layer 300 is formed over its entirety to fill the shallow trench tank. - 特許庁 - 次いで、酸化膜１２にエキシマレーザビームＥを照射する。
Then the oxide film 12 is irradiated with an excimer laser beam E. - 特許庁 - ユーザは次いで、トークンを用いて共有データにアクセスすることができる。
A suer may then use a token to access the shared data. - 特許庁 - 次いで、ステップＳ６で、所望の変換漢字を確定処理する。
Next, settlement processing of a desired converted Kanji (Chinese character) is performed in a step S6. - 特許庁 - 次いで、形成されたインク像６を記録媒体９に転写する。
Then, the formed ink image 6 is transferred to a recording medium 9. - 特許庁 - 次いで点灯信号ＸＤＡＴＡ２をアクティブ（Ｌ）にし、次いで時間Ｔ３が経過するとセレクト信号ＳＥＬ２をＨにし、次いで電流−電圧変換回路１２−１の出力電圧Ｖ１がローになり、次いで時間Ｔ４が経過するとサンプルホールド信号ＳＨ２をＬにする。
Then, when a lighting signal XDATA 2 is made active (L), a select signal SEL 2 is made H after a time T3, and then, an output voltage V1 of a current-to-voltage conversion circuit 12-1 becomes low, and after a time T4, a sample hold signal SH2 is made L. - 特許庁 - 次いで、着目メモリ以外のメモリに“１”を書き込む（ステップＳ２）。
Then "1" is written in the memory other than the target memory (step S2). - 特許庁
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