「次いで」を含む例文一覧(11990)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 239 240 次へ＞- 次いで、水素供給弁９からアノードへ水素供給を開始する。
Then, the controller starts hydrogen supply from the hydrogen supply valve 9 to the anode. - 特許庁 - 次いで、酸素含有ガス及び水素含有ガスをチャンバに供給する。
An oxygen containing gas and a hydrogen containing gas are then fed into the chamber. - 特許庁 - 次いで、ＧＣは、カラーパレット１を使用パレットとして設定する。
The GC sets a color pallet 1 as using pallet. - 特許庁 - 次いで、アセチレンを含む原料ガスを用いて熱ＣＶＤ処理を行う。
Then thermal CVD processing is carried out using a raw material gas containing acetylene. - 特許庁 - 次いで、カソード電極１２の上方にグリッド電極１７を配置する。
A grid electrode 17 is arranged above the cathode electrode 12. - 特許庁 - 絶縁体は、次いで、酸素含有ルテニウム層上に堆積される。
Then, the insulator is deposited on the oxygen containing ruthenium layer. - 特許庁 - 次いで酸化膜９をウェットエッチングによって選択的に除去する。
Next, the oxidized film 9 is selectively removed by wet etching. - 特許庁 - 次いで、音量レベルが閾値より小さいか否かが判断される（Ｓ１３）。
Next, it is determined whether the volume level is smaller than a threshold (S13). - 特許庁 - 次いで、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する（ｓ２００）。
Subsequently, a gate electrode is formed on the gate insulation film (s200). - 特許庁 - ２度目に露光されたフォトレジストは次いで現像される（２４５）。
The secondly-exposed photoresist is then developed (245). - 特許庁 - 次いで、逆フーリエ変換を用いて全体画像を形成する。
Then a whole image is formed through the use of reverse Fourier transformation. - 特許庁 - 次いで、アニールを行い（ステップＳ５）、積層した金属を合金化する。
An annealing step is carried out (step 5) to form the laminated metals into the alloy. - 特許庁 - 次いで、メタル酸化物誘電体膜が底部電極の上に形成される。
Then, a metal-oxide dielectric film is formed on the bottom electrode. - 特許庁 - 次いで、その複数のパターンの像が形成された物体が現像される。
Next, the object formed with the images having a plurality of patterns are developed. - 特許庁 - 次いで、銅箔をエッチングすることにより電極を形成する。
Then an electrode is formed by etching the copper foil. - 特許庁 - 次いでサーバＥは、サーバＣにトランザクションを送信する。
Next, the server E transmits transactions to the server C. - 特許庁 - 次いで回路となる部分１１に無電解めっき層３を成形する。
Subsequently, an electroless plating layer 3 is formed on the portion 11 serving as the circuit. - 特許庁 - 次いで膨潤した金時豆１ａを煮て煮豆２を得る（Ｂ）。
Then, the swollen adzuki bean 1a is boiled to afford boiled adzuki bean 2 (step B). - 特許庁 - 次いでこの溶液から溶媒を蒸発させてポリ塩化ビニルを回収する。
Then the solvent is evaporated from the solution to recover the polyvinyl chloride. - 特許庁 - 次いで、データベースサーバ８１２に読み取ったトラック情報を送信する。
Then the read track information is sent to a database server 812. - 特許庁 - システムは、次いで、幾つかの広告を広告主から受け取る。
The system then receives a certain number of advertisements from advertisers. - 特許庁 - 次いで頂部電極が、メタル窒化物バリア層の上に形成される。
A top electrode is then formed on a metal-nitride barrier layer. - 特許庁 - 次いで、レジスト膜１９の上に反射電極２０ａを形成する。
A reflective electrode 20a is formed on the resist film 19. - 特許庁 - 次いでアノードの残留燃料ガスを酸化剤ガスで置換する。
Next, the residual fuel gas of the anode is replaced with oxidant gas. - 特許庁 - 次いで、シリコン酸化膜に変化させた部分を選択的に除去する。
Next, the part changed to the silicon oxide film is selectively removed. - 特許庁 - 次いで、バックアップサーバは、静止イメージからバックアップデータを取る。
The backup server acquires backup data from the static image. - 特許庁 - 次いで、溝１５を埋めるように第２窒化膜２０を形成する。
Then, second nitride films 20 are formed to embed the grooves 15. - 特許庁 - 次いで、ブロック屋根の上部に屋根仕上げ材１６を敷設していく。
Roof finishing materials 16 are laid gradually on the upper sections of the block roofs. - 特許庁 - 次いで、エラー率測定回路16がそのエラー率を算出する。
Next, an error rate measuring circuit 16 calculates its error rate. - 特許庁 - 次いで、同無線タグにおけるメモリのユーザ領域からデータを読み取る。
Data is then read from a user area of the memory in the wireless tag. - 特許庁 - 次いで、インターポーザ３を切断して複数の半導体装置を形成する。
Next, an interposer 3 is cut to form a plurality of semiconductor devices. - 特許庁 - 次いで対応する光学密度行列が当該ピクセルに対して形成される。
A corresponding optical density matrix is thereafter formed for the pixel. - 特許庁 - 次いで、導電性膜３上にレジスト膜４Ａを形成する。
Then a resist film 4A is formed on the conductive film 3. - 特許庁 - 次いで、画像入替処理（Ｓ２６）、画像表示処理が実行される（Ｓ２７）。
Then image replacement processing (S26) and image display processing (S27) are executed. - 特許庁 - 次いで、得られた圧力値を平均して平均圧力値が得られる。
Then, the obtained pressure values are averaged to obtain a mean pressure value. - 特許庁 - 次いで、強誘電体膜２２上に上部電極膜２３を形成する。
Then, an upper electrode film 23 is formed on the ferroelectric film 22. - 特許庁 - 次いで、強誘電体膜１０上に上部電極膜１１を形成する。
Further, an upper electrode film 11 is formed on the ferroelectric film 10. - 特許庁 - 次いで、光源６がオンとなりカメラ５は撮影を動作を開始する。
Next, a light source 6 turns on and a camera 5 starts a photographing operation. - 特許庁 - 検出器は次いで、反射信号のエネルギーレベルを測定する。
Then, the detector measures the energy level of the reflected signal. - 特許庁 - 次いで、画素値の和ΣＦｋ（ｉ,ｊ）が画像データの数２Ｎで除される。
The sum of pixel values Σ Fk(i, j) is divided by the number of image data 2N. - 特許庁 - 次いで、リングプレート１２にさらに蓋部材１４を組付ける。
Next, the lid member 14 is assembled to the ring plate 12. - 特許庁 - 次いで、反応性イオンエッチングにより、開口部１０を形成する。
Then, an opening 10 is provided by reactive ion etching. - 特許庁 - 次いで、側壁部と第２絶縁膜を選択的に除去する。
Next, the side wall part and the second insulating film are selectively removed. - 特許庁 - 次いで、ＧＣは、半透明化演算処理により半透明画像を作成する。
The GC forms a translucent image by translucent arithmetic processing. - 特許庁 - 次いで、支持基板１３から各半導体素子１５を剥離する（ｆ）。
Each semiconductor element 15 is removed from the supporting substrate 13 (f). - 特許庁 - 次いで、第１及び第２開口３ａ−１、３ｂ−１にビアを形成する。
Then a via is formed in the first and second openings 3a-1 and 3b-1. - 特許庁 - 次いで、ステップＳ８で、所望の変換漢字を確定処理する。
In a step S8, settlement processing of a desired converted Kanji is performed. - 特許庁 - 次いで、トレンチが形成されるようにウェハをエッチングすることができる。
The wafer may then be etched so that the trench is formed. - 特許庁 - デジタルデータは、次いで、任意の所望のデジタル装置に対して送られる。
The digital data are fed to an optional desired digital device. - 特許庁 - 次いで、第２のフォトマスク１１を用いてレジスト層１２を形成する。
Then a second photomask 11 is used to form a resist layer 12. - 特許庁
- 特許庁
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