A regular cellarray and a redundant cellarray respectively have a regular memory cell and redundant memory cell which receive first, second, and third power supply voltages. レギュラーセルアレイおよび冗長セルアレイは、第1または第2電源電圧と、第3電源電圧とを受けるレギュラーメモリセルおよび冗長メモリセルをそれぞれ有する。 - 特許庁
For example, a memory cellarray comprises a plurality of memory cell units arranged in matrix. たとえば、メモリセルアレイは、マトリクス状に配置された複数のメモリセルユニットを備える。 - 特許庁
The memory cellarray includes a pre-charge unit 4 that is placed between a plurality of memory cell arrays. メモリセルアレイは、複数のメモリセルアレイの間に配置されるプレチャージ部4を含む。 - 特許庁
A memory cell array(100) having a parallel memory planes is developed. 平行なメモリプレーンを持つメモリセルアレイ(100)が開示される。 - 特許庁
An array of DRAM memory cell is connected to a plurality of sense amplifiers. DRAMメモリセルのアレイは複数のセンス増幅器に接続される。 - 特許庁
At the time of refreshment, one cellarray is selected, four blocks in the selected cellarray are simultaneously refreshed. 一方、リフレッシュ時においては、一方のセルアレイが選択され、選択されたセルアレイの4つのブロックが同時にリフレッシュされる。 - 特許庁
METHOD FOR DETECTING THRESHOLD VOLTAGE OF ARRAYCELL, AND MEMORY アレイセルのしきい値電圧を検出する方法およびメモリ - 特許庁
To keep flatness of a memory cellarray having a lamination structure. 積層構造を有するメモリセルアレイの平坦性を保持する。 - 特許庁
MIXED RESISTIVE CROSS POINT MEMORY CELLARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 混成抵抗性交点メモリセルアレイおよびその製造方法 - 特許庁
The control gate operates a cellarray in NAND arrangement. 制御ゲートがセルの配列をNAND構成で動作する。 - 特許庁
PHOTOELECTRIC CONVERSION CELL, ARRAY, READING METHOD OF THE SAME, AND CIRCUIT 光電変換セル及びアレイとその読み出し方法と回路 - 特許庁
A memory cellarray 1 is divided into plural blocks BLKi. メモリセルアレイ1は複数のブロックBLKiに分けられている。 - 特許庁
ORGANIC PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, SOLAR CELL, AND OPTICAL SENSOR ARRAY 有機光電変換素子、太陽電池および光センサアレイ - 特許庁
ID CHIP USING MEMORY CELLARRAY AND GENERATION METHOD OF THE SAME メモリセルアレイを用いたIDチップおよびその生成方法 - 特許庁
Thereby, variation of characteristics is grasped by the test memory cellarray in which rewriting is performed more than that in the memory cellarray. それにより、本体メモリセルアレイに比べ書き換えがより多く行われたテストメモリセルにより特性の変化を把握する。 - 特許庁
The memory cellarray part includes a laminate, a semiconductor layer and a memory film. メモリセルアレイ部は、積層体、半導体層、メモリ膜を含む。 - 特許庁
SENSING APPARATUS AND METHOD FOR MULTIBIT MEMORY CELL IN MEMORY ARRAY メモリアレイのマルチビットメモリセル用検知回路及び検知方法 - 特許庁
The memory cellarray 310 stores normal data and parity data. メモリセルアレイ310はノーマルデータ及びパリティデータを保存する。 - 特許庁
The memory cellarray stores a branch address and a target address. メモリセルアレイは分岐アドレス及びターゲットアドレスを貯蔵する。 - 特許庁
The image cellarray includes an array of detector cells (18) for generating charges, in response to instant radiation (14) and an array of image cell circuits. 画像セル配列は、瞬間的な放射線(14)に応答して電荷を発生させる検出器セル(18)の配列と画像セル回路の配列とを含んでいる。 - 特許庁
A memory cellarray is constituted which includes a first bank having a first local memory cellarray and a first local sense amplifier, and a second bank having a second local memory cellarray and a second local sense amplifier. 第1ローカルメモリセルアレイと第1ローカルセンスアンプとを備える第1バンクと、第2ローカルメモリセルアレイと第2ローカルセンスアンプとを備える第2バンクとを有するメモリセルアレイを構成する。 - 特許庁
A memory array is divided into a plurality of cellarray blocks, a bit line BL and a word line WL are continuously provided in a cellarray block 11, and a memory cell is arranged at the intersection part. メモリセルアレイは複数のセルアレイブロックに分割され、その一つのセルアレイブロック11内ではビット線BLとワード線WLが連続的に配設され、その交差部にメモリセルが配置される。 - 特許庁
In order to address the cellarray select the write data to be written into the cellarray and to be read out of the cellarray, command and/or decided address signals supplied by the memory controller are supplied to the cellarray (10), and addressing and selector circuits (11-14). 上記セルアレイ(10)をアドレス指定し、書き込み、かつ読み出されるデータを選択するために、メモリコントローラから供給されたコマンドおよび/または復号されたアドレス信号が、セルアレイ(10)とアドレッシングおよびセレクタ回路(11〜14)に供給される。 - 特許庁
CELL CULTURING METHOD USING MICROCHAMBER ARRAY AND CELL CULTURING APPARATUS THEREFOR マイクロチャンバーアレイを用いた細胞培養方法及び該方法に用いられる細胞培養装置 - 特許庁
MAGNETIC MEMORY CELLARRAY, SELECTION METHOD OF MAGNETIC MEMORY CELL WRITE CURRENT AND MAGNETIC RESISTANCE ACCESS MEMORY 磁気メモリセルのアレイ、磁気メモリセル書き込み電流選択方法および磁気抵抗アクセスメモリ - 特許庁
MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MEMORY CELLARRAY 磁気トンネル接合型メモリセルおよびその製造方法、磁気トンネル接合型メモリセルアレイ - 特許庁
SOLAR CELL MODULE PLACEMENT STRUCTURE, SOLAR CELL MODULE ARRAY, AND SOLAR ENERGY POWER GENERATION SYSTEM 太陽電池モジュール設置構造体、太陽電池モジュールアレイ及び太陽光発電システム - 特許庁
A second boosting circuit 26 is arranged between a memory cell selection circuit 21 and a memory cellarray 22. メモリセル選択回路21とメモリセルアレイ22との間に第2昇圧回路26を設ける。 - 特許庁
A regular memory cell MC and a dummy cell DMC are arranged continuously in a memory array 10. 正規メモリセルMCおよびダミーセルDMCは、メモリアレイ10に連続的に配置される。 - 特許庁
To provide an array substrate having a single cell gap with the same characteristics as a substrate having a double cell gap. 単一セルギャップで二重セルギャップと同じ特性を有するアレイ基板を提供する。 - 特許庁
A memory cellarray 110 has the 1T/1C type memory cell arranged in a matrix state. メモリセルアレイ110は、行列状に配置された1T/1C型メモリセルを有する。 - 特許庁
A memory cellarray constituting a NAND cell type flash memory has a word line control circuit 2. NANDセル型フラッシュメモリを構成するメモリセルアレイは、ワード線制御回路2を有する。 - 特許庁
A memory cellarray 10 is provided with a cell node stage potential setting circuit 121 constituting an expansion cellarray to make classifying defective causes easy. 不良原因の仕分けを容易にするために、メモリセルアレイ10に対して拡張セルアレイを構成するセルノード段電位設定回路121を設ける。 - 特許庁
The replacement data cellarray 2 stores the replacement data relative to the replacement of the main cell arrays 42 and redundant cell arrays 41. 置換データ用セルアレイ2は、メインセルアレイ42と冗長セルアレイ4との置換に関する置換データを格納する。 - 特許庁
To provide a method for sensing a close to ground signal received from an arraycell within a memory array. メモリアレイ内のアレイセルから受信された、接地に近い信号を感知する方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR OPERATION OF INTEGRATED CIRCUIT ARRAY OF MEMORY CELL, AND INTEGRATED CIRCUIT メモリセルの集積回路アレイの動作方法及び集積回路 - 特許庁
A memory cellarray ARY has a plurality of sub-arrays SARY. メモリセルアレイARYは、複数のサブアレイSARYを有する。 - 特許庁
MOUNTING METHOD FOR SOLAR CELLARRAY AND PHOTOVOLTAIC POWER GENERATION FACILITIES 太陽電池アレイの取付工法及び太陽光発電設備 - 特許庁
To provide a memory device having bit line equalizer in a cellarray, and a method for arranging a bit line equalizer in a cellarray. セルアレイにビットライン均等化部を備えたメモリ装置及びビットライン均等化部をセルアレイに配置する方法を提供する。 - 特許庁
This device has a memory cellarray formed in a pocket P well region. ポケットPウェル領域に形成されたメモリセルアレイを有する。 - 特許庁
RESISTIVE INTERSECTION ARRAY OF MEMORY CELL HAVING RESISTANCE TO SHORT CIRCUIT 短絡に対して耐性のあるメモリセルの抵抗性交点アレイ - 特許庁