「Cell Line」を含む例文一覧(2917)

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  • DELAY LOCK CIRCUIT HAVING SINGLE DELAY LINE AND MINIATURIZED DELAY CELL
    単一ディレイ線及び最小化工作ディレイセルを有するディレイロック回路 - 特許庁
  • The other cell of the phase line generates the output of a different phase.
    その位相ラインの他方のセルは異なる位相の出力を生成する。 - 特許庁
  • CHIMERIC MOUSE, KNOCKOUT MOUSE, METHOD FOR PREPARING THOSE AND ES CELL LINE
    キメラマウス、ノックアウトマウス、及びそれらの作製方法、並びにES細胞株 - 特許庁
  • METHOD FOR MAKING CONTROL LINE SIGNAL OF ATM NETWORK INTO CELL, AND MULTIPLEXED DEVICE
    ATMネットワークの制御線信号セル化方法及び多重化装置 - 特許庁
  • Corresponding to each column of an MTJ memory cell, a bit line BL is provided.
    MTJメモリセルの各列に対応してビット線BLが設けられる。 - 特許庁
  • TOMATO CELL LINE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND MEDIUM FOR CULTURING THE SAME
    トマトセルラインおよびその生産方法、並びに、トマトセルライン培養用培地 - 特許庁
  • To provide a method for producing an immortalized human cell strain capable of being used as an in vitro cell model and obtain the cell and the cell line by using the method.
    インビトロ細胞モデルとして用いられ得る不死化ヒト細胞株を生成する方法;およびこのような方法により生成される細胞および細胞株を提供すること。 - 特許庁
  • The decoder is connected to the memory cell array through a word line, and provides a word line voltage to a selected word line in response to a fetch address.
    デコーダはワードラインを介してメモリセルアレイと接続され、フェッチアドレスに応答して選択されたワードラインにワードライン電圧を提供する。 - 特許庁
  • A memory array is divided into a plurality of cell array blocks, a bit line BL and a word line WL are continuously provided in a cell array block 11, and a memory cell is arranged at the intersection part.
    メモリセルアレイは複数のセルアレイブロックに分割され、その一つのセルアレイブロック11内ではビット線BLとワード線WLが連続的に配設され、その交差部にメモリセルが配置される。 - 特許庁
  • A program element 20 for cutting off supplying cell plate voltage VCP to the cell plate electrode line CP from a cell plate voltage line 14 is arranged for each redundancy replacement unit 25.
    冗長置換単位25ごとに、セルプレート電圧線14からセルプレート電極線CPへのセルプレート電圧VCPの供給を遮断するためのプログラム素子20が配置される。 - 特許庁
  • Further, the cell line comprises a 293 cell line having a cell genome which trans-compliments deficiency in essential gene functions of the E1 region, the E2A region, and the E4 region of the adenovirus.
    また、細胞系は、アデノウイルスのE1領域、E2A領域およびE4領域の必須の遺伝子機能における欠損を、トランスに相補する細胞ゲノムを有する293細胞系よりなる。 - 特許庁
  • A power source line 13 for an I/O cell formed with a power source pad 13a for the I/O cell and a ground line 15 for the I/O cell formed with a ground pad 15a for an inside I/O cell are formed in an area between an inside cell area 7 and an I/O cell area 11 of a semiconductor chip 3.
    半導体チップ3の内部セル領域7とI/Oセル領域11の間の領域に、I/Oセル用電源パッド13aが形成されたI/Oセル用電源ライン13と、I/Oセル用グランドパッド15aが形成されたI/Oセル用グランドライン15が形成されている。 - 特許庁
  • A bit line 12 is arranged within a closed magnetic path of a magnetic memory cell 11 having a closed magnetic path structure, and a word line 13 is arranged to be orthogonal to the bit line 12 on the magnetic memory cell 11 via an insulating layer 26.
    閉磁路構造を有する磁気メモリセル11の閉磁路内にビット線12を設け、磁気メモリセル11上に絶縁層26を介してワード線13を直交配列する。 - 特許庁
  • The fuel cell system is provided with a fuel gas line 102 for supplying fuel gas to a fuel cell stack 1, an air line 103 for supplying air, and a cooling water line 101 for supplying cooling water.
    燃料電池スタック1に燃料ガスを供給する燃料ガスライン102と、空気を供給する空気ライン103と、冷却水を供給する冷却水ライン101を備える。 - 特許庁
  • A bit line potential selecting means for applying a write-in potential to the bit line of an electric charges accumulating side and applying a ground potential to the bit line of the other side is provided on a memory cell being adjacent to the reference cell.
    レファレンスセルに隣接するメモリセルに対して、電荷蓄積側のビット線に書込み電位、他方のビット線に接地電位を印加するためのビット線電位選択手段を設ける。 - 特許庁
  • The memory cell of a parity part is connected to a word line WL and a bit line pair RBLP for reading and a word line PWL and a bit line pair WBLP for writing.
    パリティ部のメモリセルは、ワード線WLと読出し用ビット線対RBLPとに接続され、ワード線PWLと書込み用ビット線対WBLPとに接続される。 - 特許庁
  • The word line RWL0 for reference cell is a word line activated when a memory array normal word line MWL being not a redundant line of a memory array MA is selected.
    リファレンスセル用ワード線RWL0は、メモリアレイMAの冗長でないメモリアレイ通常ワード線MWLが選択された場合に活性化するワード線とする。 - 特許庁
  • The memory cell is defined, at an intersecting point between the bit line and the word line and is provided with a size defined by the widths of the bit line and the word line in a self-aligned process.
    メモリセルは、ビットラインとワードラインとの交差点に画定され、自己整列プロセスにおけるビットライン及びワードラインの幅によって画定された寸法を有する。 - 特許庁
  • Write-word line registers (40_-0 e.g.) of (n) pieces are provided, an output of each word line is inputted directly to the word line driver, driving the word line and access to a memory cell column.
    n個のライトワード線レジスタ(40_0等)が設けられ、各ワード線レジスタの出力は直接ワード線ドライバに接続され、そのままワード線を駆動してメモリセル列にアクセスする。 - 特許庁
  • Size of the memory cell block erased in accordance with word line bias voltage is decided.
    ワードラインバイアス電圧に応じて消去されるメモリセルブロックのサイズが決まる。 - 特許庁
  • CELL LINE FOR EXPRESSING ENZYME USEFUL FOR PREPARATION OF AMIDATED PRODUCT
    アミド化生成物の調製に有用な酵素を発現させるための細胞株 - 特許庁
  • A memory cell has a pair of cell transistors connected between a first voltage line and a second voltage line in series through a connection node to store a complementary logic.
    メモリセルは、第1電圧線と第2電圧線の間に接続ノードを介して直列に接続され、相補の論理を記憶する一対のセルトランジスタを有する。 - 特許庁
  • A regeneration-type fuel cell apparatus 4 has a fuel cell 11 connected to the output bus line 17 and a regenerator 12 connected to the power storage bus line 16.
    再生型燃料電池装置4は、燃料電池11が出力バスライン17に接続され、再生器12が蓄電バスライン16に接続される。 - 特許庁
  • Then, the operating pressure of the fuel cell is set to a point set on the fuel cell required humidification satisfaction line and near a high efficiency line of the air pressure means.
    そして、燃料電池の運転圧力を前記燃料電池要求加湿満足線上で、かつ空気圧送手段の高効率線に近くに設定する。 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING CURRENT COLLECTION LINE OF ELECTRODE SUBSTRATE FOR DYE-SENSITIZED SOLAR CELL
    色素増感型太陽電池用電極基板の集電線形成方法 - 特許庁
  • The sense amplifier compares a voltage of the bit line of the main cell array with a voltage of the bit line of the reference cell array and generates an output signal according to a result of the comparison.
    感知増幅器は、メインセルアレイのビットラインの電圧と基準セルアレイのビットラインの電圧とを比較し、その結果による出力信号を発生させる。 - 特許庁
  • Furthermore, the sense amplifier of a first bit line couple is arranged on one side of a cell array and the sense amplifier of a second bit line couple is arranged on the other side of the cell array.
    更に、第1のビット線対のセンスアンプがセルアレイの一方側に配置され、第2のビット線対のセンスアンプがセルアレイの他方側に配置される。 - 特許庁
  • A power line 13 and a ground line 15 are formed on an area between an internal cell area 7 of a semiconductor chip 3 and an I/O cell area 11.
    半導体チップ3の内部セル領域7とI/Oセル領域11の間の領域に電源ライン13及びグランドライン15が形成されている。 - 特許庁
  • An STIP-2 cell line, an established cell line of iris pigment epithelial cells of an eyeball of a kind of sturgeon, Bester, is provided.
    本発明によれば、チョウザメの種類の1つであるベステルの眼球の虹彩色素上皮細胞由来の株化細胞であるSTIP−2細胞が提供される。 - 特許庁
  • A word driver supplies a high-level voltage to the word line when accessing a memory cell and supplies a low-level voltage to the word line when not accessing the memory cell.
    ワードドライバは、メモリセルのアクセス時に高レベル電圧をワード線に供給し、メモリセルの非アクセス時に負電圧である低レベル電圧をワード線に供給する。 - 特許庁
  • A memory cell array is provided with one common line (CL<0>-CL<1>) per two bit lines (BL<0>-BL<3>) and a memory cell of an adjacent column shares the common line.
    メモリセルアレイにおいて、2つのビット線(BL<0>−BL<3>)あたり1つのコモン線(CL<0>−CL<1>)を設け、隣接列のメモリセルでコモン線を共有する。 - 特許庁
  • METHOD FOR CULTURING MONOCYTIC ESTABLISHED CELL LINE AND NUTRIENT LIQUID UTILIZED FOR THE SAME
    単球株化細胞の培養方法及び該方法に利用する栄養液 - 特許庁
  • NONVOLATILE MEMORY CELL ARRAY HAVING COMMON DRAIN LINE AND METHOD OF OPERATING THE SAME
    共通のドレインラインを備える不揮発性メモリセルアレイ及びその動作方法 - 特許庁
  • A first bit line is connected to a first input/output terminal of a memory cell and a second bit line to a second input/output terminal of the memory cell.
    メモリセルの第1入出力端子に第1ビット線を接続すると共に、メモリセルの第2入出力端子に第2ビット線を接続する。 - 特許庁
  • Cells outputted from cell transmitting parts 21 to 2n are stored in a common cell buffer 12 and transmitted to a highway line 30 from a line transmitting part 13.
    セル送信部21〜2nから出力されるセルを共通セルバッファ12に蓄えて回線送信部13からハイウェイ回線30に送信する。 - 特許庁
  • The SRAM device is provided with a means for reducing the leakage current flowing from a cell power source line or a means for reducing the leakage current flowing from a bit line to the inside of a cell.
    セル電源線から流れるリーク電流を低減する手段か、ビット線からセル内部に流れるリーク電流を低減する手段を設ける。 - 特許庁
  • A word line LWL (RWL) is connected to each memory cell (/C).
    各メモリセルC(/C)には、ワード線LWL(RWL)が接続されている。 - 特許庁
  • VECTOR, VIRAL VECTOR, AND PACKAGING CELL LINE FOR PROPAGATING THE SAME
    ベクターおよびウイルスベクター、およびこれらを増殖するためのパッケージング細胞株 - 特許庁
  • ANIMAL CELL LINE PREPARED BY MODIFYING PRION GENE INTO NONFUNCTIONAL ONE AND USE THEREOF
    プリオン遺伝子を非機能性に改変した動物細胞株とその使用 - 特許庁
  • To provide a method for adapting arterivirus to a cell line and for attenuating the arterivirus.
    アルテリウイルスの細胞系への適応、および弱毒化方法の提供。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING SIGNAL LINE ARRANGED TO RUN ACROSS CELL ARRAY
    セルアレイを横切って配線された信号ラインを有する半導体メモリ装置 - 特許庁
  • When data are read out, a bit line potential VBL is larger than a source line potential VSL, and a word line potential VWL_s of a selection cell MC_s is larger than the bit line potential VBL, and a word line potential VWL_us of a non-selection cell MC_us is smaller than the source line potential VSL.
    データの読み出し時、ビット線電位VBLはソース線電位VSLより大きく、選択セルMC_sのワード線電位VWL_sは、ビット線電位VBLより大きく、非選択セルMC_usのワード線電位VWL_usは、ソース線電位VSLより小さい。 - 特許庁
  • The short cell separation device is provided with a short cell identification section 60 that references control information of a short cell placed in standard cells received via a transmission line to identify the short cell and a short cell extraction section 61 that extracts the short cell from the standard cell depending on the length of the short cell detected from the identified short cell.
    伝送路を介して受信した標準セル内に配置されたショートセルの制御情報を参照してショートセルを識別するショートセル識別部60と、識別されたショートセルについて検出されたショートセル長に応じて前記標準セルからショートセルを抽出するショートセル抽出部61とを具備する。 - 特許庁
  • The fuel cell system includes: a purge line having a valve capable of opening and closing and connecting from an air supply line between a fuel cell and an air blower to a hydrogen exhausting line between the fuel cell and an exhaust valve; and the control changing over the kinds of fluid flowing through the purge line and flowing direction.
    開閉可能なバルブを有し、燃料電池とエアブロア間の空気供給ラインから燃料電池と排出バルブ間の水素排出ラインを接続するパージラインを備え、パージラインを流れる流体種類およびその方向を切り替える制御を備えた。 - 特許庁
  • Relating to a standard cell semiconductor integrated circuit, the right side of the long and short dash line is a cell region inside a ship.
    スタンダードセル半導体集積回路において、一点鎖線の右側がチップ内側のセル領域である。 - 特許庁
  • NEW SOMATIC STEM CELL LINE, SOMATIC STEM CELL CLONE, METHOD OF DIFFERENTIATIVE INDUCTION, AND BIOMATERIAL, AND ANIMAL INDIVIDUAL
    新規体性幹細胞株、体性幹細胞クローン、分化誘導方法、及び生物材料、並びに動物個体 - 特許庁
  • A fuel cell 10 is virtually divided into a plurality of small regions arranged in a line along the flow of hydrogen of a fuel cell.
    燃料電池10を水素の流れに沿って並んだ複数の小領域に仮想的に分割する。 - 特許庁
  • To correctly perform read-out of a selected memory cell even when a threshold value of a non-selection memory cell sharing a word line is low.
    ワード線を共有する非選択メモリセルの閾値が低い場合でも選択メモリセルの読み出しを正しく行う。 - 特許庁
  • A main body cell MC of a memory cell array 1 is connected to the sense node SN of a comparator 31 through a bit line BL.
    メモリセルアレイ1の本体セルMCは、ビット線BLを介して比較器31のセンスノードSNに接続される。 - 特許庁
  • The bit line BL is connected to the drain region of a memory cell which constitutes an NOR cell array (not shown).
    ビット線BLは図示しないNOR型セルアレイを構成するメモリセルのドレイン領域に接続されている。 - 特許庁
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