「Cell Line」を含む例文一覧(2917)

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  • To provide a method for testing cytotoxicity, by using a new established fish cell line.
    新規な魚類株化細胞を用いた細胞毒性試験方法を提供すること。 - 特許庁
  • The word line WL is connected to gates of a plurality of nonvolatile memory cell transistors 30.
    ワード線ＷＬは、複数の不揮発性メモリセルトランジスタ３０のゲートに接続されている。 - 特許庁
  • A bit line BL and a current feedback wiring RL are arranged for each memory cell column.
    各メモリセル列ごとに、ビット線ＢＬおよび電流帰還配線ＲＬが配置される。 - 特許庁
  • The current detector circuit compares a data readout current flowing through each bit line corresponding to each memory cell in the memory cell line where the accumulated information is stored with a data readout current flowing through each bit line corresponding to each retrieval memory cell where the retrieval information is stored.
    当該電流検出回路は、蓄積情報が格納されたメモリセル行の各メモリセルに対応する各ビット線に流れるデータ読出電流と検索情報が格納された各検索メモリセルに対応する各ビット線に流れるデータ読出電流とを比較する。 - 特許庁
  • In addition, a plate line PL0 is provided on the other side of the memory block cell MCB.
    また、メモリセルブロックＭＣＢのもう一方の片側には、プレート線ＰＬ０が設けられている。 - 特許庁
  • To restrain a noise width and base line fluctuation in a reference cell within a measuring time.
    測定時間内における参照セルのノイズ幅、及びベースライン変動を抑制すること。 - 特許庁
  • A gene-destructed cell line or its library obtained by using the above method is also provided.
    該遺伝子破壊方法を使用して得られた、遺伝子破壊細胞株またはそのライブラリ。 - 特許庁
  • The order at the time of scanning a discharge cell every one display line is differentiated by subfield group.
    放電セルを１表示ラインずつ走査する際の順序をサブフィールド群で異ならせる。 - 特許庁
  • Also disclosed are a monoclonal antibody to Apo-2DcR and an antibody-producing hybridoma cell line.
    Ａｐｏ-２ＤｃＲに対するモノクロナール抗体、および、抗体産生ハイブリドーマ細胞株。 - 特許庁
  • The metal lines are divided into the metal line 122a in a cell region and the metal lines 122b, 122c in a periphery region.
    セル領域の金属配線(122a)と周辺領域の金属配線(122b,122c)に区分される。 - 特許庁
  • FUEL CELL COOLING SYSTEM AND MEASURING STRUCTURE OF CONDUCTIVITY OF COOLING LIQUID CIRCULATION LINE
    燃料電池冷却システムおよび冷却液循環ラインの導電率の測定構造 - 特許庁
  • HUMAN ANTIBODY STRUCTURE EQUIPPED WITH HUMAN GERM CELL LINE GENE STRUCTURE AND DERIVED FRAGMENT OF THE SAME
    ヒト胚細胞系遺伝子構造を具えたヒト抗体構造及びその誘導フラグメント - 特許庁
  • CULTURE SOLUTION FREE FROM COMPONENT DERIVED FROM ANIMAL, AND METHOD FOR CREATING CELL LINE BY USING THE SAME
    動物由来成分無添加培養液およびそれを用いる細胞系の作出方法 - 特許庁
  • In a nude mouse, the P/ARK cell line exhibits an increase of tumor multiplication by more than 10 times at 12 weeks after transplantation and in the P/ARK cell line, the necrosis region in the transplanted tumor nest is significantly decreased compared to the parent PANC-1 cell line.
    ヌードマウスにおいて、Ｐ／ＡＲＫ細胞系は、移植から１２週間後に腫瘍増殖の１０倍超の増加を示し、移植された腫瘍巣内の壊死区域が、Ｐ／ＡＲＫ細胞系においては親ＰＡＮＣ−１細胞と比較して有意に減少していた。 - 特許庁
  • This device is provided with a memory cell array 11 and a source line driver 13.
    不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ１１とソース線ドライバ１３とを備えている。 - 特許庁
  • The global word line is generally directed toward the second direction and is magnetically connected to the memory cell.
    グローバルワード線は概ね、第２の方向に向けられ、メモリセルに磁気的に接続される。 - 特許庁
  • At the time t02, a memory cell plate line CP is made to be Vcpw and voltages V111, V113 are increased to Vcpw.
    時刻ｔ02に、メモリセルプレート線ＣＰをＶcpwとして電圧Ｖ111、Ｖ113をＶcpwに昇圧する。 - 特許庁
  • Accordingly, the monoclonal antibody specific for the NDRG 2 protein is obtained from the cell line of the hybridoma.
    そのため、NDRG2タンパク質に特異的なモノクローナル抗体をハイブリドーマ株から取得する。 - 特許庁
  • METHOD FOR SCREENING ANTI-FLAVIVIRUS INFECTIOUS COMPOUND BY PERSISTENT FLAVIVIRUS-INFECTED CELL LINE
    フラビウイルス持続感染細胞株による抗フラビウイルス感染化合物のスクリーニング方法 - 特許庁
  • The protein encoded by TIGA1 strongly inhibits the colony formation of lung cancer cell line EBC-1.
    TIGA1がコードするタンパク質は、肺癌細胞株EBC-1のコロニー形成を強力に阻止する。 - 特許庁
  • The global line is connected to the reading and writing control part from an one end of the cell array column.
    グローバル線は、セルアレイの列の一端からされ、読み書き制御部に接続されている。 - 特許庁
  • A second bit line BL2 is selectively and electrically connected to the other end of the first cell group.
    第２ビット線ＢＬ２は、第１セル群の他端と選択的に電気的に接続される。 - 特許庁
  • PANEL EXECUTING DISCHARGE IN MULTIPLE CELL POSITIONED ON LINE ELECTRODE PAIR
    一対のライン電極上に位置する複数のセル内において放電を実行するパネル - 特許庁
  • IMPROVED NONVOLATILE REWRITABLE INTERCONNECT CELL HAVING WRITABLE BURIED BIT LINE
    書き込み可能埋込ビット線を有する改善された不揮発性再書き込み可能インタ—コネクトセル - 特許庁
  • A first bit line BL1 is selectively and electrically connected to one end of the first cell group.
    第１ビット線ＢＬ１は、第１セル群の一端と選択的に電気的に接続される。 - 特許庁
  • Word lines WL and a cell plate electrode line CP are formed in the same wiring layer.
    ワード線ＷＬおよびセルプレート電極線ＣＰは、同一配線層に形成される。 - 特許庁
  • A PROM region PA adjoins to a bit line direction of an ordinary memory cell region NA.
    ＰＲＯＭ領域ＰＡは、通常メモリセル領域ＮＡのビット線方向に隣接する。 - 特許庁
  • I was archiving the results, and I found a flaw in the cell line cycling protocol.
    結果をアーカイブに 保存していました テストの欠陥を 細胞サイクリング・プロトコルで確認した - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • To improve transmission characteristics by restraining the inter-cell interference in an ascending line.
    上り回線におけるセル間干渉を抑制して伝送特性を向上させること。 - 特許庁
  • A depression type transistor is provided in a memory cell 17 connected to a word line 13.
    ワード線１３に接続されたメモリセル１７にはデプレッション型のトランジスタが設けられている。 - 特許庁
  • METHOD FOR DIFFERENTIATION AND INDUCTION TO GERM LINE BY TRANSPLANTATION OF SEPARATED PRIMORDIAL GERM CELL
    分離始原生殖細胞の移植による生殖細胞系列への分化誘導法 - 特許庁
  • In a fuse arranged in the memory cell MC, one end is connected with the word line WL and the other end is connected with the bit line BL.
    メモリセルＭＣに配置されるヒューズは、一端がワード線ＷＬに接続され、他端がビット線ＢＬに接続される。 - 特許庁
  • Each sub-bit line SBL0 and the like are provided with a sub-bit line potential control section 70 holding data written in a memory cell 31.
    各サブビット線ＳＢＬ０等には、メモリセル３１に書き込むデータを保持するサブビット線電位制御部７０が設けられている。 - 特許庁
  • A column of row decoders 20 is arranged at a word line end part of the memory cell array 10 and a column decoder 30 is arranged at a bit line end part.
    メモリセルアレイ１０のワード線端部にロウデコーダ列２０が配置され、ビット線端部にカラムデコーダ３０が配置される。 - 特許庁
  • A scribing/breaking process is cutting the substrate by forming a cutting planned line (scribing line) by a diamond cutter or the like on a substrate to generate a single cell.
    スクライブ・ブレイク工程では、基板にダイヤモンドカッタ等で切断予定線（スクライブライン）を形成して切断し、単セルを生成する。 - 特許庁
  • A protective film pattern 73 covering the bit line pad is formed in parallel with the gate electrode of the cell transistor, i.e., a word line.
    ビットラインパッドを覆い、セルトランジスタのゲート電極、即ち、ワードラインと並行したビットラインパッド保護膜パターン７３を形成する。 - 特許庁
  • A bit line BL and a bit line BL/ disposed in the cell unit SU1 are not extended to the ferroelectric memory fuse part 40.
    強誘電体メモリヒューズ部４０には、セルユニットＳＵ１に設けられるビット線ＢＬとビット線ＢＬ／が延在されない。 - 特許庁
  • A bit line 9 and a PCM cell 2 are first selected, and a first bias voltage (V_BL, V_00) is applied to the selected bit line.
    ビットライン９及びＰＣＭセル２が最初に選択され、その選択されたビットラインに第１バイアス電圧（Ｖ_BL、Ｖ_00）が印加される。 - 特許庁
  • A data storage circuit DSC of each memory cell MC is connected to a 1st power source line VDDA and a 2nd power source line VSSA.
    各メモリセルＭＣのデータ記憶回路ＤＳＣは、第１電源線ＶＤＤＡおよび第２電源線ＶＳＳＡに接続される。 - 特許庁
  • Thereby, the bit line selection circuit and the bit line discharge circuit can be easily arranged even when size of the memory cell is made small.
    これにより、メモリセルのサイズが小さくてなってもビットライン選択回路やビットライン放電回路を容易に配置することができる。 - 特許庁
  • Alternately, the power provided to the line buffer SRAM cell is connected again before the signal on the read enable line is deactivated.
    或いは、ラインバッファＳＲＡＭセルに提供される電力は、リードイネーブルラインの信号が非アクティブにされる前に、再接続する。 - 特許庁
  • Next, an address of each cell to which zero is to be written is specified using the additional bit line and the additional word line, clear is performed (206).
    次に、ゼロを書き込むべきセルのそれぞれを、追加のヒ゛ットラインおよび追加のワードラインを用いてアドレス指定してクリアする(206)。 - 特許庁
  • One embodiment of a magnetic memory cell (48/148) comprises a primary line (52/177) and sense layer (72/172) electrically connected with the primary line (52/177).
    磁気メモリセル(48/148)の一実施形態は、第１の線(52/177)と、その第１の線(52/177)と電気的に連絡するセンス層(72/172)とを含む。 - 特許庁
  • This purge device for the fuel cell system is provided with a steam feeding line 18 and an air feeding line 19.
    本発明に係る燃料電池システムのパージ装置は、蒸気供給系統１８と空気供給系統１９とを備えた。 - 特許庁
  • Thus, flowing of a current from the source line to the bit line via the memory transistor of the unprogrammed memory cell is suppressed.
    これにより、プログラムされないメモリセルのメモリトランジスタを介してソース線からビット線に電流が流れることを抑制できる。 - 特許庁
  • Moreover, two memory cells MC are selected, and the sub-bit line SBL from the memory cell to the main bit line MBL is held between these memory cells.
    また、メモリセルＭＣを２つ選択し、これらのメモリセルで、メモリセルから主ビット線ＭＢＬに至る副ビット線ＳＢＬを挟む。 - 特許庁
  • In this case, the dilution line is established so that its pressure loss may be smaller than the pressure loss of the fuel cell line.
    この場合、希釈ラインは、圧力損失が燃料電池ラインの圧力損失よりも低くなるように設定されている。 - 特許庁
  • A TFT element is provided at a part in the vicinity of an intersection part of a source signal line and a gate signal line formed in each cell 11.
    セル１１に形成された、ソース信号線とゲート信号線との交差部近傍にはＴＦＴ素子が設けられている。 - 特許庁
  • The dummy cell row includes first dummy cells to which a first dummy word line is connected and second dummy cells to which a second dummy word line is connected.
    ダミーセル列は、第１ダミーワード線が接続された第１ダミーセルと、第２ダミーワード線が接続された第２ダミーセルとを含む。 - 特許庁
  • Subsequently, the data is transmitted to a memory cell on a selected word line in the other memory block through the rearrangement data line pair GRAP.
    次いで、このデータを再配置データ線対ＧＲＡＰを介して他方のメモリブロックの選択ワード線のメモリセルに伝達する。 - 特許庁
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