「Cell Line」を含む例文一覧(2917)
＜前へ 1 2 .... 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 次へ＞- A switching circuit 11 for writing data '1' in the same memory cell by swapping bit line data after reading data '0' is provided between the pair of bit lines BL, BBL and the sense nodes BLSA, BBLSA to write test data if all '1'.
対をなすビット線ＢＬ，ＢＢＬと第１及び第２のセンスノードＢＬＳＡ，ＢＢＬＳＡとの間には、オール“１”のテストデータを書き込むために、“０”データ読み出しを行った後のビット線データをスワッピングして同じメモリセルに“１”データを書き込むための切り換え回路１１が設けられている。 - 特許庁 - The bulkheads 30 are arranged in line in the direction parallel to the planar face of a dye-sensitized solar cell 1, wherein the bulkheads 30 are formed in such a pattern that a wide portion 35 with larger interval width and a narrow portion 37 with smaller interval width are alternately repeated.
隔壁３０は、色素増感型太陽電池１の平面と平行な方向に複数本並べて配置され、前記隔壁は、その互いの間隔の幅が広い部分である幅広部３５と、幅が狭い部分である幅狭部３７とが交互に繰り返し形成されている。 - 特許庁 - Power source lines (L1, L2) of two inverters (INV1, INV2) in which an input terminal and an output terminal constituting an SRAM memory cell (MC) are intersected and coupled one another are provided separately, and time lag is provided at rise of power source voltage supplied to each power source line.
ＳＲＡＭのメモリセル（ＭＣ）を構成する互いに入出力端子が交差結合された２個のインバータ（ＩＮＶ１，ＩＮＶ２）の電源ライン（Ｌ１，Ｌ２）をそれぞれ分離して別個に設け、各電源ラインに供給される電源電圧の立ち上がりにタイムラグを設けるようにした。 - 特許庁 - When accepting designation for carrying out the file-output of print data stored in a print buffer for storing print data when a program is operated, the print data are file-output so as to correspond to the cell of the spreadsheet software on the basis of the line of the print data and the position of a column.
プログラムを動作させたときに印字データを格納する印字バッファに格納された印字データをファイル出力するための指定を受付けると、印字データのライン及びカラムの位置に基づいて表計算ソフトウェアのセルに対応させるように印字データをファイル出力する。 - 特許庁 - To solve the problems in a measuring cell structure in a conventional QCM sensor device that need of position control for a reference electrode and a counter electrode which are separately provided leads to an increase in price and size, and the imbalance of the current force line carried from the counter electrode to a working electrode causes deterioration of measurement accuracy.
ＱＣＭセンサデバイスによる測定セル構成は、参照電極及び対極電極を別途に設けてその位置制御が必要になり、高価で大型化を招くと共に、対極電極から作用電極に流れる電流力線が不均衡となって測定精度の低下を招く。 - 特許庁 - A pre-charge signal PR1 is set to high level for a memory cell array in a bank 1, and the bit line group (B1, *B1) is precharged to a potential Vcc/2.
第１のスイッチ手段と第２のスイッチ手段とを独立に制御することによって、ある活性化された１本のワード線によって同時に選択されたメモリセルからのデータの読み出し動作と並行して、他の活性化されたワード線によって同時に選択されるメモリセルのデータをリフレッシュすることができる。 - 特許庁 - A trench capacitor vertical-transistor DRAM cell in an SiGe wafer compensates for overhang of a pad nitride, by forming an epitaxial strained silicon layer on trench walls that improves transistor mobility, removes voids from the polysilicon filling, and reduces resistance on the bit line contact.
ＳｉＧｅウェハ中のトレンチ・コンデンサ型縦形トランジスタＤＲＡＭセルにおいて、トレンチ壁上にトランジスタの移動度を向上させるエピタキシャル歪シリコン層を形成することによってパッド窒化物のオーバハングを補償し、トレンチのポリ充填物から空洞を除去し、ビット線接点の抵抗値を小さくする。 - 特許庁 - A combustion gas recirculation line 4 is formed by connecting an outlet of a fuel combustion device 3 to an inlet of a reformer 1, and the combustion gas of the combustion device 3 is made to recirculate in the system through a reformer 1 by stopping supply of fuel and water to the reformer 1 when the operation of the fuel cell system is stopped.
燃焼器３出口と改質器１入口とを接続して燃焼ガスの再循環ライン４を設け、燃料電池システムの運転停止時、改質器１への燃料と水の供給を停止し、燃焼器３の燃焼ガスを改質器１を経由してシステム内に循環させる。 - 特許庁 - This ion-exchange membrane-type electrolytic cell is provided with a gas diffusion cathode 5, protrusions 9 are formed on a gas chamber backplate 8, the tops 10 of the protrusions are brought into contact with or joined to the gas diffusion cathode 5 and horizontally arranged in a line, and the lines are shifted from one another.
ガス拡散陰極５を備え、ガス室背板８に突起物９を形成し、突起頂点１０がガス拡散陰極に接触または結合しており、その配置が水平方向に列をなし、列毎にずらせて配置したことを特徴とする特徴とするイオン交換膜型電解槽。 - 特許庁 - To prevent a VC-AIS cell from being discarded in a VC-AIS alarm transfer method and apparatus in an ATM system for communications between ATM line multiplexing apparatuses connected with a communication device such as a mobile communication exchange via an ATM network.
本発明は移動通信交換機等の通信装置と接続するＡＴＭ回線多重化装置間をＡＴＭ網を介して通信を行うＡＴＭシステムにおけるＶＣ−ＡＩＳ警報転送方法及び装置に関し，ＶＣ−ＡＩＳセルの廃棄を防止することを目的とする。 - 特許庁 - A calculation unit 43 a contribution degree of each of the specified cell which contributes to a value of the pixels in the 2D-ROI based on a voxel value and opacity of each of the cells specified and calculates the average value of the contribution degrees of cells equal in distance from a projected image along the line-of-sight direction.
計算部４３は、特定された各セルの輝度値と不透明度とに基づいて、２Ｄ−ＲＯＩ内の各画素の値に寄与する寄与度をセルごとに計算し、投影画像から視線方向に沿って等距離にある複数のセルの寄与度から平均値を計算する。 - 特許庁 - The light receiving surface electrode can therefore be made thin without causing the ohmic contact nor line resistance to deteriorate, so even when light reception area is increased by the thinning, contact resistance is sufficiently low and an FF value thereby does not decrease, so that a solar cell with high photoelectric conversion efficiency can be obtained.
したがって、オーミックコンタクトやライン抵抗の悪化を伴うことなく受光面電極の細線化が可能になるため、細線化して受光面積を大きくしても十分に接触抵抗が低いことからＦＦ値が低下しないので、光電変換効率の高い太陽電池が得られる。 - 特許庁 - An edge formed by a boundary line with background or the like of the 3D model and a ridge having a large curvature radius on a surface of the 3D model are extracted from the normal vector and depth information determined based on the 3D model 31, to determine the arrangement angle and arrangement position of the cell 41.
そして、３Ｄモデル３１から求めた法線ベクトルおよび深度情報から、３Ｄモデルの背景との境界線等により作られるエッジと、３Ｄモデルの面における曲率の大きい部分であるリッジを抽出し、セル４１の配置角度、配置位置を決定する。 - 特許庁 - A bit line BL connected to the memory cell MC is set at a first potential VBLP by a first potential setting circuit Q1, and set at a second potential VBLR different from the first potential VBLP by a second potential setting circuit Q3, prior to read operation.
メモリセルＭＣに接続されるビット線ＢＬは、第１の電位設定回路Ｑ１により第１の電位ＶＢＬＰに設定され、さらに読み出し動作に先立って第２の電位設定回路Ｑ３により第１の電位ＶＢＬＰとは異なる第２の電位ＶＢＬＲに設定される。 - 特許庁 - The cell line is usefully usable for the high-efficiency retrieve of T-type α1H calcium channel inhibitor candidates, therefore the development of curatives for many diseases caused by the expression abnormalities of the T-type α1H calcium channel can be accelerated.
本発明の細胞株は、Ｔ−型α１Ｈカルシウムチャンネルの抑制剤候補群の高効率検索に有用に使用することができるので、Ｔ−型α１Ｈカルシウムチャンネルの発現異常によって発生する多くの疾患の治療剤開発を加速化させることができる。 - 特許庁 - This liquid crystal display device is characterized in that a pad part contacted with a driving circuit has different size depending on length of an electrode link connected between the pad part and a corresponding signal line in a pixel region in which many liquid crystal cell are arranged.
本発明による液晶表示装置は駆動回路と接触されるパッド部がそのパッド部と多数個の液晶セルが配列された画素領域の該当の信号ラインの間に接続される電極リンクの長さによって異なる大きさを有することを具備することを特徴とする。 - 特許庁 - A program sense latch circuit PSL compares a threshold of a memory cell transistor detected through a bit line BL with a reference potential VR in verify-operation, changes a potential of the node NN3 in accordance with that a threshold becomes a value corresponding to multi value data, and indicates outputting a write blocking potential.
一方、プログラムセンスラッチ回路ＰＳＬは、ベリファイ動作において、ビット線ＢＬを介して検知されるメモリセルトランジスタのしきい値と、参照電位ＶＲとを比較し、しきい値が多値データに対応する値となるのに応じて、ノードＮＮ３の電位を変更して、書込み阻止電位の出力を指示する。 - 特許庁 - Bit lines BL1, BL2 are pre-charged to VCC/2, a plate line PL1 is made to VCC/2, all word lines WL1, WL2 are made to a high potential, and connection nodes between one side terminal of ferroelectric substance capacitors and source terminals of cell transistors TC11, TC12 are held at VCC/2.
ビット線ＢＬ１，ＢＬ２はＶＣＣ／２にプリチャージされ、プレート線ＰＬ１はＶＣＣ／２とされ、全てのワード線ＷＬ１，ＷＬ２を高電位にして強誘電体容量の一方の端子とセルトランジスタＴＣ１１，ＴＣ１２のソース端子との接続ノードをＶＣＣ／２に保つ。 - 特許庁 - A positive electrode material for a rechargeable electrochemical cell contains a compound represented by formula: LiMPO_4, M is at least one first line transition metal cation, and the cation is at least one selected from the group comprising Mn, Fe and Ni, but does not include Co.
再充電電気化学セル用の正極材料であって、式ＬｉＭＰＯ_４を有する化合物を含み、Ｍが少なくとも１つの第１列遷移金属カチオンであり、該カチオンの少なくとも1つが、Ｍｎ、ＦｅおよびＮｉよりなる群から選択され、ただしＣｏを含まない正極材料とする。 - 特許庁 - The system is provided with the ATM switchboard connected to a base station and an ATM service trunk part connected to the ATM switchboard by an ATM adaptation layer 1(AAL1) signal line and the ATM service trunk part is provided with an AAL1 signal terminating function part for terminating an AAL1 cell and a service trunk.
基地局に接続されるＡＴＭ(Asynchronous Transfer Mode)交換機と、前記ＡＴＭ交換機にＡＡＬ１(ATM Adaptation Layer 1)信号線により接続されるＡＴＭサービストランク部を備え、前記ＡＴＭサービストランク部は、ＡＡＬ１セルを終端するためのＡＡＬ１信号終端機能部と、サービストランクと、を備える。 - 特許庁 - The same word line voltage is applied to a control gate of a selection memory cell at the time of verification and read-out, occurrence of a read-out error caused by verification and dispersion of gate voltage of read-out can be prevented, and accuracy of verification and read-out can be improved.
ベリファイおよび読み出し時に選択メモリセルの制御ゲートに同じワード線電圧を印加し、チャージ電流を異なるレベルに設定することによって、ベリファイおよび読み出しのゲート電圧のバラツキによる読み出しエラーの発生を防止でき、ベリファイおよび読み出しの精度を向上できる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which a chip size is reduced by making a bit line fine or in which a sense amplifier and a memory cell array with an enhanced operating speed, by lowering a threshold voltage can be operated satisfactorily at a voltage which is lower than an external power-supply voltage.
ビット線の細線化によってチップサイズが縮小され、或いは、しきい値電圧の低下によって作動速度が向上したセンスアンプやメモリセルアレイを、外部電源電圧よりも低い電圧で良好に作動させることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - In the thin-film solar cell module having a conductive metal oxide layer, a photoelectric conversion layer, and a back electrode on a translucent insulating substrate, the finger electrode of a preset pattern of a narrow line width for reducing the resistance loss of the conductive metal oxide layer is provided.
透光性絶縁基板上に、導電性金属酸化物層と、光電変換層及び裏面電極とを有する薄膜系太陽電池モジュールにおいて、導電性金属酸化物層の抵抗損を低減する、線幅の細く予め設定したパターンのフィンガー電極が設けられる。 - 特許庁 - This immortal cell line is obtained from the fishes of the family Serranidae and has sensitivity to viruses belonging to the family Birnaviridae such as Infectious Pncreatic Necrosis Virus(IPNV), the family Herpesviridae such as Eal Herpes Virus Formosa(EHVF), the family Reoviridae such as Hard- shell Clam Reovirus(HCRV) and the family Nodaviridae such as NNV.
本発明に係る不死の細胞株は、ハタ科魚類から得られ、伝染性膵壊死ウイルス（IPNV）等の二段リボ核酸ウイルス科（Birnaviridae）、フォルモサウナギヘルペスウイルス（EHVF）等のヘルペスウイルス科、堅殻クラムレオウイルス（HCRV）等のレオウイルス科、および神経壊死ウイルス（NNV）等の結節ウイルス科に属するウイルスに対して感受性を有する。 - 特許庁 - This chimera monoclonal antibody (a) is produced with a cell line selected by glucosylation property of the Fc fragment of an antibody, or (b) has a glycan structure of Fcγ modified ex vivo, and/or (c) has a primary array modified to enhance the reactivity with Fc receptor.
抗体のFc断片のグリコシル化の性質によって選択された細胞株で生産される、またはb)Fcγのグリカン構造が、エクスビボで修飾されている、および/またはc)Fc受容体との反応性を上昇させるように、一次配列が修飾されているキメラモノクローナル抗体。 - 特許庁 - To coat catalyst ink and resin ink on a web-like electrolyte film conveyed on a roll-to-roll manufacturing line upon manufacturing a membrane electrode assembly for a fuel cell to form a catalyst layer and a ladder-like sealing portion surrounding the catalyst layer on the web-like electrolyte film.
燃料電池用の膜電極接合体の製造時に、触媒インクと樹脂インクを、ロールトゥロールの製造ラインで搬送されるウェブ状電解質膜に塗布し、触媒層及びこの触媒層を取り囲むはしご状シール部をウェブ状電解質膜に同時に形成すること。 - 特許庁 - A conical area is configured of a vector determined by the speed, and the direction of the airplane as rotating axis; and a route estimated by including element data such as performance, air stream, and trouble as bus line; and is calculated as cell.
航空機の機種、性能、速度、方向、トラブル、気流などの要素データから単位時間に滞在する領域をセルとして演算し、複数のセルが重合するときに、重合セルを分離する回避ベクトルを求め、手動、自動のいずれかで回避ベクトルに従う航行をすることによって事故を防止するシステム。 - 特許庁 - This liquid crystal display panel includes a partition wall connecting one point and another point of a sealant fixing an array substrate in a line form and a color filter substrate, while holding a cell gap between both the substrates, and is divided into a plurality of cells by the partition walls.
本発明の液晶表示パネルは、アレイ基板及びカラーフィルター基板を固着するシール剤の一点と他の一点を、該両基板間のセルギャップを保って直線状に結ぶ隔壁を含む液晶表示パネルであって、該隔壁によって複数のセルに分割されている。 - 特許庁 - A plurality of bit lines are separated into first and second bit line groups at the border of a selected memory cell column in a memory array at data write and read, and one of first and second voltages and the other are applied to the first and second bit lines groups, respectively.
データ書込および読出時において、メモリアレイ内の選択メモリセル列を境界として複数のビット線を第１および第２のビット線群に分割し、第１のビット線群と第２のビット線群とをそれぞれ第１および第２の電圧の一方および他方と接続する。 - 特許庁 - The ATM transmission system is provided with transmission interfaces 4-1, 4-2 that temporarily store cells in a cell stream received from an ATM switch 2 and then transmit the cells to a transmission line and periodically signify back pressure signals E1, E2 to the ATM switch 2.
ＡＴＭスイッチ２からセル流を入力すると、そのセル流中のセルを一時的にバッファメモリに格納してから伝送路に出力する一方、そのＡＴＭスイッチ２に対するバックプレッシャ信号Ｅ１，Ｅ２を周期的に有意にする送信インタフェース４−１，４−２を設ける。 - 特許庁 - With such a layout, a chip area is reduced by avoiding an enlargement of a layout pitch of the memory cell depending on a dimension of the driver transistor, and also the operation reliability can be enhanced by avoiding an increase in a local current density on the write digit line WDL.
このような配置とすることにより、ドライバトランジスタの寸法に依存したメモリセルの配置ピッチの拡大を回避してチップ面積を小型化するとともに、ライトディジット線ＷＤＬ上での局部的な電流密度の増大を回避して動作信頼性を向上できる。 - 特許庁 - A gate array cell and a clamp diode Dn are formed in a logical section, and the n^+ semiconductor area 13nd of the clamp diode Dn and all or a part of a gate electrode 10B of a n-channel MISFET in the logical section are connected by using a conductive film BLD on the same layer as a bit line BL.
論理部にゲートアレイセルとクランプダイオードＤｎとを形成し、クランプダイオードＤｎのｎ^+半導体領域１３ｎｄと論理部のｎチャネルＭＩＳＦＥＴのゲート電極１０Ｂの全てまたは一部とをビット線ＢＬと同一層の導体膜ＢＬＤにより接続する。 - 特許庁 - Then, after startup of the fuel cell generation system, the first shutoff valve 40 set at the line 18a passed to the water quality purifying device 33 is structured to be opened to pass the battery cooling water to the water quality purifying device 33, until a detected value of the temperature sensor 38 reaches a given value.
そして、燃料電池発電システムの起動後、温度検知器３８の検出値が所定の温度になるまでは、水質浄化装置３３へ通すライン１８ａに設置した第１の遮断弁４０を開けて、電池冷却水を水質浄化装置３３へ通すように構成する。 - 特許庁 - Pixel circuits are arranged like a matrix on a panel surface, a horizontal driving circuit 57 transmits a 1F reversed video signal to a signal line and a vertical driving circuit 56 writes the video signal in a liquid crystal cell of the pixel circuit by alternately driving (scanning) scanning lines of an upper part and a lower part of a panel.
パネル面に画素回路が行列状に配置され、水平駆動回路５７は、１Ｆ反転された映像信号を信号線へ送出し、垂直駆動回路５６は、パネルの上部と下部の走査線を交互に駆動する（走査する）ことにより、映像信号を画素回路の液晶セルに書き込む。 - 特許庁 - This device is provided with plural memory cells arranged in a matrix state, and word lines selecting one row out of plural memory cells, and defective sense amplifier and a defective memory cell having no capability for a recovery time tDPL are detected by quickening non-selection timing of a word line at the time of a test.
マトリックス状に配された複数のメモリセルと、複数のメモリセルから一行を選択するワード線とを備え、テスト時にワード線の非選択タイミングを早くすることによってリカバリータイムｔＤＰＬに対し実力のない欠陥センスアンプや欠陥メモリセルを検出する。 - 特許庁 - Such a switch circuit is provided for each common source line that when the memory cell is selected so as to perform read-out operation, the common source lines are held at a ground potential, also, the common source lines are held at an intermediate potential between a power source potential and a ground potential during inactivity and standby.
メモリセルが読出動作を行なうように選択された場合には同共通ソース線を接地電位に保ち、かつ、不活性作及び待機時には同共通ソース線を電源電位と接地電位の中間電位に保つスイッチ回路を共通ソース線毎に設ける。 - 特許庁 - The cell phone 10 having the projector projects the contents of a received mail after altering a vertical/horizontal ratio (line/row ratio) so that the number of letters in the horizontal direction is larger than that shown on the display screen of the main liquid crystal display on which the numbers of letters in the vertical and horizontal directions are equally displayed.
プロジェクタ付き携帯電話機１０は、縦横の文字数が等しく表示されているメイン液晶表示器２０４の表示画面に比べて、横方向の文字数が多くなるように縦横比率（行列比率）を変更した上で受信メールの内容を投射する。 - 特許庁 - An MRAM 10 is constituted by making one memory cell comprise 2 MTJ elements 1 and 2 and a single MOS transistor 8, and arranging the respective MTJ elements 1 and 2 at the intersection positions of 2 word lines 4a and 4b corresponding to each of them and one common bit line 3 common to both of them.
ＭＲＡＭ１０を、１メモリセルが２個のＭＴＪ素子１，２と単一のＭＯＳトランジスタ８を含み、各ＭＴＪ素子１，２を、それぞれに対応した２本の書き込みワード線４ａ，４ｂと、両者に共通の１本の共通ビット線３との交差位置に配置して構成する。 - 特許庁 - A controller (unillustrated) of the travel line control device 100 controls the inclining mechanism for changing an inclination of the sub-shaft roller 12 so that the thrust force Ft falls within a preset range when the thrust force Ft measured by the load cell 30 is outside of the preset range.
走行線制御装置１００のコントローラ（図略）は、ロードセル３０で測定されたスラスト力Ｆｔが設定範囲外であるときは、当該スラスト力Ｆｔが設定範囲内となるように前記副軸ロール１２の傾斜角度を変更すべく前記傾斜機構を制御する。 - 特許庁 - In the water supply means, a circulation bypass line, which is branched off from a cooling water flow path Q that sends the cooling water into a cooling part of fuel cell main body A, is formed, and the water taken in from the cooling water flow path Q is led to the wet filter 2 to moisturize it by spraying or the like.
水供給手段としては、燃料電池本体Ａの冷却部に冷却水を送り込む冷却水流通経路Ｑから分岐する循環式のバイパスを形成し、その冷却水流通経路Ｑから取り込んだ水を湿潤フィルタ２に導いて噴霧等により湿潤させる。 - 特許庁 - The fuel cell motorcycle 10 includes a cooling liquid pouring pipe 95 leading from a line 96b of a cooling system to a cooling liquid supply hole member 100, and in plan view, the pipe 95 is set as a path winding around the sides of, ahead of, and on the left behind the axis of a head pipe.
燃料電池二輪車１０において、冷却システムの管路９６ｂから冷却液供給口部材１００に至る冷却液注水管９５は、平面視で、ヘッドパイプの軸の両側方部、前方部及び左後方部を囲うように巻く経路として設定されている。 - 特許庁 - To provide an integrated circuit apparatus and electronic equipment in which control of P type and N type MOS transistors constituting a transfer gate connected to a memory cell at the time of reading and erasing modes and programming can be changed to secure breakdown voltage and a sub-word line decoder which can be reduced in area is mounted.
耐圧確保のために、リード及び消去モードとプログラム時とで、メモリセルに接続されたトランスファーゲートを構成するＰ型及びＮ型ＭＯＳトランジスタの制御を変更でき、かつ、小面積化を達成できるサブワード線デコーダを搭載した集積回路装置及び電子機器を提供すること。 - 特許庁 - In this mask ROM, its overhead is reduced by using a selection transistor being same for two banks, its overhead is reduced by using only one sense amplifier 210 per one block, and the memory cell is divided into plural banks by using word line recorders 220 being of odd numbers and even numbers.
本マスクＲＯＭは、２つのバンクに同一の選択トランジスタを使用してそのオーバヘッドを減少させ、ブロック当たり１つのセンス増幅器２１０だけを使用してそのオーバヘッドを減少させ、そして奇数及び偶数のワードラインデコーダ２２０を使用してメモリセルを複数のバンクに分割する。 - 特許庁 - This is a catalyst for the fuel cell which contains RuTe_2 as an active component, and the half width of a maximum diffraction peak in a region of diffraction angle 2θ (±0.3) 27° or more and 29° or less by X-ray diffraction method (Cu-Kα line) of RuTe_2 is 1.80° or less.
活性成分としてＲｕＴｅ_２を含む触媒であって、ＲｕＴｅ_２のＸ線回折法（Ｃｕ−Ｋ_α線）による回折角２θ（±０．３゜）が２７゜以上２９゜以下の領域における最大回折ピークの半値幅が、１．８０゜以下である燃料電池用触媒。 - 特許庁 - In the method of removing a polarizing plate, cutting lines 12a are formed in polarizing plates 12, 14 adhered to the outer face of a liquid crystal display cell 20 to produce divided chips 12s, and then each chip 12s is peeled along the cutting line 12a, and the method of manufacturing a liquid crystal display device uses this method.
液晶表示セル２０の外面に貼着した偏光板１２、１４に切り込み１２ａを入れて分割片１２ｓを形成した後、各分割片１２ｓを切り込み１２ａに沿って剥離する偏光板１２の剥離方法及びこれを用いた液晶装置の製造方法。 - 特許庁 - A semiconductor integrated circuit (1) does not use a nonvolatile memory connected to a common bus (5) and utilized for general purposes, but uses a nonvolatile memory cell (6) of a fuse circuit (7) connected to a dedicated signal line (9), to store control information for relieving defect or the like of circuit modules (2, 3).
半導体集積回路（１）は、回路モジュール（２，３）の欠陥救済等のための制御情報の記憶に、共通バス（５）に接続される汎用利用される不揮発性メモリを用いず、専用信号線（９）に接続されたヒューズ回路（７）の不揮発性メモリセル（６）を用いる。 - 特許庁 - Upon reception of a line address signal A<m+n:0>, a determination circuit A performs a coincidence comparison operation between its higher-order address signal A<m+n:m+1> and the higher-order address FA<m+n:m+1> of a defective memory cell stored in a fuse latch group A to determine the selection/nonselection of a spare row block A.
判定回路Ａは、外部からの行アドレス信号Ａ＜ｍ＋ｎ：０＞を受けると、その上位アドレス信号Ａ＜ｍ＋ｎ：ｍ＋１＞と、ヒューズラッチ群Ａの記憶する不良メモリセルの上位アドレスＦＡ＜ｍ＋ｎ：ｍ＋１＞との一致比較動作を実行して、スペアロウブロックＡの選択／非選択を判定する。 - 特許庁 - The foam has settings such as 1-10 mm maximum value of the ripple height of sheet rippling, 10 pieces/200 mm or less number of ripples, 9.0 μm or more center line average coarseness Ra, 0.2-2.5 mm average cell diameter, 0.015-0.05 g/cm3 density and 0.7-20 mm thickness.
発泡体は、シートの波打ちの波高さの最大値を１〜１０ｍｍ、波数を１０個／２００ｍｍ以下、中心線平均粗さＲａを９．０μｍ以上、平均気泡径を０．２〜２．５ｍｍ、密度を０．０１５〜０．０５ｇ／ｃｍ^3、厚みを０．７〜２０ｍｍに設定した。 - 特許庁 - In a first embodiment, a switch selected out of pairs of current switch connected between each end of pairs of bit line in which each of bit lines are selected links bit lines being enabled and selected, one bit write-in current performs write-in simultaneously for each bit/cell in both bit lines.
第１実施例において、各々が選択される対のビット線の各端の間に接続される１対の電流スイッチのうち選択されたスイッチが可能化されて選択されたビット線を連鎖させ、１つのビット書込電流が両方のビット線内の個々のビット・セルに同時に書き込む。 - 特許庁 - A main cell array section 71 consists of a plurality of sub array sections 71 1, 71 2,.... Global bit lines BLG n, BLG n+1,... are connected to a main bit controller 75 and reference global bit lines BLRG 1, BLRG 2,... are connected to a reference bit line controller 77.
複数のサブセルアレイで構成させ、メイングローバルビットライン及び少なくとも一対の参照グローバルビットラインとを用意し、サブアレイ内でそれぞれのメイングローバルビットライン及び参照グローバルビットラインに接続されるメインローカルビットライン及び参照ローカルビットラインをグループ分けして接続した。 - 特許庁
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