「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 88 89 次へ＞- NEW FLASH MEMORY ARRAY AND DECODING STRUCTURE
新しいフラッシュメモリ配列とデ—コ—ディング構造 - 特許庁 - FLASH MEMORY SYSTEM AND ITS ERROR CORRECTION METHOD
フラッシュメモリシステム及びそのエラー訂正方法 - 特許庁 - DATA RECOVERY APPARATUS AND METHOD USED FOR FLASH MEMORY
フラッシュメモリのデータ復旧装置及び方法 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME
ナンドフラッシュメモリ装置及びその動作方法 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ナンドフラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD OF FORMING FLOATING GATE OF FLASH MEMORY ELEMENT
フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 - 特許庁 - MULTI-DOT FLASH MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
マルチドットフラッシュメモリ及びその製造方法 - 特許庁 - In this device, the flash memory to be incorporated is arranged as a flash memory 0 part 303 and a flash memory 1 part 304 which have the same capacity and address mapping, and the program/erase parallel processing of the flash memory 0 part 303 and the flash memory 1 part 304 is executed.
内蔵されるフラッシュメモリを同一容量、アドレスマッピングのフラッシュメモリ０部３０３、フラッシュメモリ１部３０４として配置し、前記フラッシュメモリ０部３０３、前記フラッシュメモリ１部３０４をプログラム、イレース並列処理を実行する。 - 特許庁 - A system LSI2 provided with a boot loader 8 as an interface for a serial Flash memory 3, is configured to read a boot program from the serial Flash memory 3, to perform the read boot program, and to copy the main program in the serial Flash memory 3 to an SDRAM 4.
システムＬＳＩ２は、シリアルFlashメモリ３用のインタフェースであるブートローダ８を設け、シリアルFlashメモリ３からブートプログラムをリードし、該リードしたブートプログラムを実行してシリアルFlashメモリ３内のメインプログラムをＳＤＲＡＭ４にコピーする。 - 特許庁 - A flash memory 1 has a memory array 3 and a control circuit 16.
フラッシュメモリ（１）は、メモリアレイ（３）と制御回路（１６）とを有する。 - 特許庁 - A flash memory (1) is provided with a memory array (2) and a control circuit (17).
フラッシュメモリ（１）は、メモリアレイ（２）と制御回路（１７）を備える。 - 特許庁 - To provide flash memory devices that support sufficient memory locking and the driving method of the flash memory devices.
十分なメモリロック動作を支援するフラッシュメモリ装置及びフラッシュメモリ装置の駆動方法を提供すること。 - 特許庁 - In addition, the flash memory device further includes control means for mapping an address of the flash memory from a host so as to divide structure of the buffer memory into the main region and the spare region and for controlling the flash memory and the buffer memory so as to store data of the buffer memory into the flash memory or so as to store data of the flash memory into the buffer memory.
また、フラッシュメモリ装置は、バッファメモリの構造がメイン領域とスペア領域とに分離されるように、ホストから印加されたアドレスをマッピングし、そしてバッファメモリのデータがフラッシュメモリに貯蔵されるように又はフラッシュメモリのデータがバッファメモリに貯蔵されるようにフラッシュメモリとバッファメモリとを制御する手段を含む。 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY ACCESS DEVICE, NAND FLASH MEMORY ACCESS PROGRAM AND RECORDING MEDIUM
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリアクセス装置及びＮＡＮＤ型フラッシュメモリアクセスプログラム及び記録媒体 - 特許庁 - The device for accessing a flash memory is provided with: a memory controller 110; a first open NAND flash interface (ONFI) 120; and a flash memory module 131 for extension.
フラッシュメモリのアクセス装置は、メモリコントローラ110と、第１のオープンＮＡＮＤフラッシュインターフェース（ＯＮＦＩ）120と、拡張用フラッシュメモリモジュール131とを有する。 - 特許庁 - The recordable file access is performed to a NAND flash memory 5b of the USB flash memory 5.
そして、ＵＳＢフラッシュメモリ５のＮＡＮＤフラッシュメモリ５ｂに対して、追記型のファイルアクセスを行う。 - 特許庁 - When the flash memory is filled, spinup of the disk is performed and data is destaged to the disk from the flash memory (42).
フラッシュメモリが満杯の場合、ディスクをスピンアップしてフラッシュメモリからディスクにデータをデステージする(42)。 - 特許庁 - A CPU 24 can write data in a flash memory 22 and read written data in a flash memory 22.
ＣＰＵ２４は、フラッシュメモリ２２にデータを書き込み、また、書き込んだデータを読み出すことができる。 - 特許庁 - CONTROL METHOD FOR FLASH MEMORY STORAGE DEVICE, FLASH MEMORY STORAGE DEVICE USING THE METHOD AND STORAGE SYSTEM
フラッシュメモリ記憶装置の制御方法、その方法を用いたフラッシュメモリ記憶装置及びストレージシステム - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a flash memory element and a flash memory element manufactured by the method.
フラッシュメモリ素子の製造方法およびそれにより製造されたフラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory device having an improved bit-line layout, and a layout method for the flash memory device.
ビットラインレイアウトの構造を改善したフラッシュメモリ装置及びそのレイアウト方法を提供する。 - 特許庁 - ERASURE VERIFICATION METHOD FOR NAND-TYPE FLASH MEMORY ELEMENT, AND ITS NAND-TYPE FLASH MEMORY ELEMENT
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子の消去検証方法及びそのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子 - 特許庁 - To provide a flash memory access device and method improving the performance of the whole flash memory system.
フラッシュメモリシステム全体の性能を向上できるフラッシュメモリアクセス装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY MODULE, STORAGE DEVICE USING THE FLASH MEMORY MODULE AS RECORDING MEDIUM, AND ADDRESS CONVERSION TABLE VERIFICATION METHOD FOR THE FLASH MEMORY MODULE
フラッシュメモリモジュール、そのフラッシュメモリモジュールを記録媒体として用いたストレージ装置及びそのフラッシュメモリモジュールのアドレス変換テーブル検証方法 - 特許庁 - DATA MANAGEMENT AND CONTROL SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR FLASH MEMORY, AND SEMICONDUCTOR FLASH MEMORY HOUSING DEVICE
半導体フラッシュメモリにおけるデータ管理及び制御システムと半導体フラッシュメモリ収容装置 - 特許庁 - METHOD FOR ACCESSING FLASH MEMORY AND FLASH MEMORY STORING DATA TO BE ACCESSED BY THE SAME
フラッシュメモリのアクセス方法、および、その方法でアクセスするためのデータが格納されたフラッシュメモリ - 特許庁 - To provide a flash memory element for reducing an interference effect, and to provide a method of manufacturing the flash memory element.
干渉効果を減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device with a built-in flash memory capable of prolonging the like of a flash memory and a flash memory address converting method.
フラッシュメモリの長寿命化が実現できるフラッシュメモリ内蔵半導体装置及びフラッシュメモリアドレス変換方法を得ることを目的とする。 - 特許庁 - ERROR BLOCK MANAGEMENT METHOD AND DEVICE OF FLASH MEMORY
フラッシュメモリのエラーブロック管理方法及び装置 - 特許庁 - WRITE CONTROL METHOD FOR FLASH MEMORY AND PROGRAM
フラッシュメモリの書込み制御方法及びプログラム - 特許庁 - METHOD OF FORMING ELEMENT ISOLATING FILM OF FLASH MEMORY ELEMENT
フラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法 - 特許庁 - To reduce the programming voltage of a flash memory cell.
フラッシュメモリセルのプログラミング電圧を低減する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁 - SYSTEM AND CONTROL METHOD FOR FLASH MEMORY
フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 - 特許庁 - DATA MANAGEMENT APPARATUS AND METHOD OF FLASH MEMORY
フラッシュメモリのデータ管理装置及びその方法 - 特許庁 - FLASH MEMORY AND ITS STORAGE DATA ERASING METHOD
フラッシュメモリおよびその記憶データ消去方法 - 特許庁 - PROM CIRCUIT FOR WRITING INTO FLASH MEMORY
ＦＬＡＳＨメモリ書込み用ＰＲＯＭ回路 - 特許庁 - FLASH MEMORY UNIT HAVING INTEGRAL ROTARY COVER
一体型回転蓋を有するフラッシュメモリ装置 - 特許庁 - ACCESSING METHOD TO MULTILEVEL CELL FLASH MEMORY AND DEVICE
マルチレベルセルフラッシュメモリのアクセス方法及び装置 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING DIELECTRIC FILM OF FLASH MEMORY ELEMENT
フラッシュメモリ素子の誘電体膜製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING DIELECTRIC FILM OF FLASH MEMORY ELEMENT
フラッシュメモリ素子の誘電体膜形成方法 - 特許庁 - DATA ACCESS METHOD IN MULTICHANNEL FLASH MEMORY
マルチチャンネルのフラッシュメモリにおけるデータアクセス方法 - 特許庁 - NAND TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD
ナンド型フラッシュメモリ素子及びその駆動方法 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
ナンド型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE
スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR AND-TYPE FLASH MEMORY CELL
アンド（ＡＮＤ）タイプフラッシュメモリセルの製造方法 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE AND ITS DATA-READ METHOD
フラッシュメモリ装置及びそのデ—タ読出し方法 - 特許庁 - To speed up data writing in a flash memory.
フラッシュメモリのデータ書き込みの高速化を図る。 - 特許庁 - NOR FLASH MEMORY AND RELATED READ METHOD
ＮＯＲフラッシュメモリ及びそれの読み出し方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING NAND FLASH MEMORY DEVICE
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子の製造方法｛ＭｅｔｈｏｄｏｆｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇａＮＡＮＤｔｙｐｅｆｌａｓｈｍｅｍｏｒｙｄｅｖｉｃｅ｝ - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
