REDUNDANCY CIRCUIT AND METHOD FOR FLASHMEMORY DEVICE フラッシュメモリ装置用冗長回路及び方法 - 特許庁
SPLIT GATE FLASHMEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD スプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法 - 特許庁
FLASHMEMORY DEVICE AND METHOD FOR READING THE SAME フラッシュメモリ装置及びそれの読み出す方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE FLASHMEMORY DEVICE スプリットゲート型フラッシュメモリー素子の製造方法 - 特許庁
To reduce the number of data writing operations into a flashmemory and data transfer operations to the flashmemory from a buffer inside a memory controller without interfering with access to the flashmemory by a host system, in a flashmemory system. フラッシュメモリシステムにおいて、ホストシステムによるフラッシュメモリへのアクセスに支障を来たさずに、メモリコントローラ内のバッファからフラッシュメモリへのデータ転送動作及びフラッシュメモリへのデータ書込み動作の実行回数を減らす。 - 特許庁
The flashmemory stores a write pulse applied to a flashmemory cell at writing of data to the flashmemory to a nonvolatile memory other than the flashmemory cell so as to minimize the write time. フラッシュメモリにおいてフラッシュメモリへのデータ書き込み時にフラッシュメモリセルに印加された書き込みパルスをフラッシュメモリセルとは別の不揮発性メモリに格納することにより、書き込み時間を最小限にすることができるようにする。 - 特許庁
To provide a memory controller for extending the retention period of the data of a flashmemory, and for reducing the erasure frequency of the block of a flashmemory, and for extending the lifetime of the flashmemory. フラッシュメモリのデータの保持期間を延ばし、また、フラッシュメモリのブロックの消去回数を減らして、フラッシュメモリの寿命を延ばす事のできるメモリ制御装置を提供する。 - 特許庁
MEMORY CARD USING NAND FLASHMEMORY, AND OPERATION METHOD THRTRFOR NANDフラッシュメモリを使用するメモリカード及びそれの動作方法 - 特許庁
The processing system includes a read-only memory (ROM) and a flashmemory. 処理システムは読み取り専用メモリ(ROM)とフラッシュ・メモリを含む。 - 特許庁
STORAGE APPARATUS, MEMORY AREA MANAGING METHOD THEREOF, AND FLASHMEMORY PACKAGE ストレージ装置、その記憶領域管理方法及びフラッシュメモリパッケージ - 特許庁
To achieve that a flashmemory 1 keeps pace with a microprocessor 3, a dedicated flash bus 2 links the flashmemory 1 to the microprocessor 3. フラッシュメモリ1がマイクロプロセッサ3とペースを保つために専用フラッシュ・バス2がフラッシュメモリ1をマイクロプロセッサ3へつなげる。 - 特許庁
REDUNDANCY STORAGE METHOD AND PROGRAM TO FLASHMEMORY フラッシュメモリへの冗長保存方法及びプログラム - 特許庁
FLASHMEMORY DEVICE PROVIDED WITH VOLTAGE ADJUSTMENT MEANS 電圧調節手段を備えたフラッシュメモリ装置 - 特許庁
MULTI-BIT FLASHMEMORY DEVICE AND ITS PROGRAMMING METHOD マルチ−ビットフラッシュメモリー装置とそのプログラム方法 - 特許庁
FLASHMEMORY DEVICE AND ITS OPERATION CONTROL METHOD フラッシュ・メモリ装置およびその動作制御方法 - 特許庁
INFORMATION PROTECTION DEVICE USING USB FLASHMEMORY USBフラッシュメモリを利用した情報保護装置 - 特許庁
NOR FLASHMEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD THEREOF NORフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁
STORAGE DEVICE WITH FLASHMEMORY AND COMPUTER フラッシュメモリを搭載した記憶装置及び計算機 - 特許庁
A NAND flashmemory device includes an array of NAND flashmemory cells; a plurality of word lines connected to the NAND flashmemory cells; and a plurality of bit lines connected to the NAND flashmemory cells. NANDフラッシュメモリ装置はNANDフラッシュメモリセルアレイ、NANDフラッシュメモリセルに接続された複数のワードライン、そしてNANDフラッシュメモリセルに接続された複数のビットラインを含む。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DISK FOR WHICH FLASHMEMORY IS STORAGE MEDIUM フラッシュメモリを記憶媒体とした半導体ディスク - 特許庁
To provide a vertical separation gate flashmemory cell. 垂直型分離ゲートフラッシュメモリセルを提供する。 - 特許庁
To provide a flashmemory device containing a dummy cell. ダミーセルを含むフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁
Does demand for flashmemory seem to increase?
フラッシュメモリーの需要は増加しているようですか? - Weblio Email例文集
SENSING CIRCUIT OF LOW POWER SUPPLY VOLTAGE FLASHMEMORY DEVICE 低電源電圧フラッシュメモリ装置の感知回路 - 特許庁
PROCESSOR WITH FLASHMEMORY AND DEBUG DEVICE フラッシュメモリを備える処理装置およびデバッグ装置 - 特許庁
DATA PROCESSING METHOD FOR FLASHMEMORY AND STORAGE DEVICE フラッシュメモリのデータ処理方法及び記憶装置 - 特許庁
NOR FLASHMEMORY DEVICE AND ITS PROGRAMMING METHOD NORフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁
SECTOR PROTECTION CIRCUIT AND METHOD FOR FLASHMEMORY DEVICE フラッシュメモリ装置用セクター保護回路及び方法 - 特許庁
NAND MEMORY ARRAY, AND NAND FLASH ARRAY NANDメモリーアレイおよびNANDフラッシュアレイ - 特許庁
VOLTAGE PROVIDING CIRCUIT FOR ERASING FLASHMEMORY フラッシュ・メモリ消去のための電圧提供回路 - 特許庁
NAND FLASHMEMORY AND DATA WRITING METHOD NANDフラッシュメモリおよびデータ書き込み方法 - 特許庁
A server computer 2 decides whether or not there is a device having a flashmemory replaced, obtains information regarding the flashmemory, and updates flashmemory management information according to the information regarding the flashmemory. サーバコンピュータ2は、フラッシュメモリが交換されたデバイスがあるか否か判定し、フラッシュメモリに関する情報を取得し、フラッシュメモリに関する情報を元にフラッシュメモリ管理情報を更新する。 - 特許庁
SYNCHRONOUS FLASHMEMORY SYSTEM AND ITS OPERATION METHOD 同期式フラッシュメモリ装置及びその動作方法 - 特許庁
To provide a memory controller which can improve throughput in a flashmemory system using a plurality of flash memories, the flashmemory system equipped with the memory controller, and a control method of flash memories. 複数のフラッシュメモリを用いたフラッシュメモリシステムで、処理効率を向上させることができるメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁
CIRCUIT AND METHOD WITH CONDITIONS OF FLASHMEMORY ARRAY フラッシュメモリアレイの条件付け回路及び方法 - 特許庁
METHOD OF FORMING TUNNEL INSULATION FILM OF FLASHMEMORY DEVICE フラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法 - 特許庁
METHOD FOR WRITING DATA BYTES IN NOR FLASHMEMORY データバイトをNORフラッシュメモリに書き込む方法 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flashmemory element. フラッシュメモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD OF FLASHMEMORY, MANUFACTURING METHOD OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND FLASHMEMORY 半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法ならびにフラッシュメモリ - 特許庁
The processor 11 executes the flashmemory writing program and copies the data of the second memory 22 to a flashmemory 12. プロセッサ11は、そのフラッシュメモリ書き込みプログラムを実行して第2のメモリ22のデータをフラッシュメモリ12にコピーする。 - 特許庁
Packages containing a plurality of flashmemory dies may be labeled to indicate a flashmemory data storage capacity based on the flashmemory dies that are not disabled. 動作不能化されていないフラッシュメモリダイに基づくフラッシュメモリのデータ記憶容量を示すラベルを、複数のフラッシュメモリダイを含むパッケージに付すことができる。 - 特許庁
The flashmemory 10 is provided with a semiconductor chip 16 wherein a flashmemory circuit is formed, and a heater 13 for performing an annealing process to the flashmemory circuit. フラッシュメモリ10は、フラッシュメモリ回路が形成された半導体チップ16と、フラッシュメモリ回路に対してアニーリング処理を行うヒータ13と、を備える。 - 特許庁
When producing the logical volume on the flashmemory drive, a management computer disposes the logical volume in consideration of a flashmemory chip boundary of the flashmemory drive. フラッシュメモリドライブ上に論理ボリュームを作成するとき、管理計算機は、フラッシュメモリドライブのフラッシュメモリチップ境界を考慮して論理ボリュームを配置する。 - 特許庁
Packages containing multiple flashmemory dies may be labeled to indicate a flashmemory data storage capacity based on the flashmemory dies that are not disabled. 動作不能化されていないフラッシュメモリダイに基づくフラッシュメモリのデータ記憶容量を示すラベルを、複数のフラッシュメモリダイを含むパッケージに付すことができる。 - 特許庁
The buffer memory is a random access memory and has the same structure as the flashmemory. バッファメモリは、ランダムアクセスが可能なメモリであり、フラッシュメモリと同一なアドレス構造を有する。 - 特許庁
METRICS AND MANAGEMENT FOR FLASHMEMORY STORAGE LIFE フラッシュメモリストレージの寿命の評価指標と管理 - 特許庁
ADAPTIVE FLASHMEMORY CONTROL DEVICE ADOPTING A PLURALITY OF MAPPING TECHNIQUES, AND FLASHMEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME 複数のマッピング技法を採用した適応型フラッシュメモリ制御装置及びそれを含むフラッシュメモリシステム - 特許庁
FLASHMEMORY DEVICE WITH PROGRAM CURRENT COMPENSATION FUNCTION プログラム電流補償機能を持つフラッシュメモリ装置 - 特許庁
NAND FLASHMEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME NAND型フラッシュメモリおよびその製造方法 - 特許庁
MICROCOMPUTER, AND DATA RELOADING METHOD FOR FLASHMEMORY マイクロコンピュータ及びフラッシュメモリのデータ書換え方法 - 特許庁