「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 .... 88 89 次へ＞- FLASH MEMORY SYSTEM, ELECTRONIC APPARATUS AND PORTABLE TERMINAL DEVICE
フラッシュメモリシステム、電子機器、および携帯端末装置 - 特許庁 - SCHEDULING OF HOUSEKEEPING OPERATION IN FLASH MEMORY SYSTEM
フラッシュメモリシステムにおけるハウスキーピング操作のスケジューリング - 特許庁 - FLOATING GATE ELECTRODE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT
フラッシュメモリ素子のフローティングゲート電極形成方法 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF PROGRAMMING THE SAME
ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子及びそのプログラム方法 - 特許庁 - SPLIT-GATE FLASH MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF PROGRAMMING THE SAME
ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD AND OPERATING METHOD
フラッシュメモリ素子、その製造方法及び動作方法 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
ＮＡＮＤフラッシュメモリー装置及びその製造方法 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE AND DATA STORAGE DEVICE INCLUDING THE SAME
フラッシュメモリ装置及びそれを含むデータ格納装置 - 特許庁 - The CPU 1, the flash memory A2, and the flash memory B3 are connected to each other by 8-bit bus width respectively and, for example, the flash memory B3 is rewritten by the execution of the rewriting program B21 in the flash memory A2.
ＣＰＵ１とフラッシュメモリＡ２とフラッシュメモリＢ３は、８ビットバス幅でそれぞれ接続されており、例えばフラッシュメモリＡ２内の書き換えプログラムＢ２１の実行により、フラッシュメモリＢ３の書き換えを実行する。 - 特許庁 - To provide a flash memory cell and its manufacturing method.
フラッシュメモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a memory controller and a flash memory system that stop processing for a flash memory when a source voltage supplied to the flash memory system drops below a predetermined voltage.
フラッシュメモリシステムに供給される電源電圧が所定の電圧より低くなったときに、フラッシュメモリに対する処理を停止させるメモリコントローラおよびフラッシュメモリシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide a data management apparatus and a method used for a flash memory and capable of preventing the waste of a memory space and the deterioration of the performance of the flash memory caused by a difference between logical and physical operation units of the flash memory.
論理的な演算単位と物理的な演算単位との不一致による空間浪費及び性能低下を防止できるフラッシュメモリのデータ管理装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - Thus, the flash memory data storage apparatus of the present invention improves the data transfer rate between the flash memory and a buffer memory, resulting in remarkable advancement of the data transfer rate between the flash memory and the external system.
よって、本発明のフラッシュメモリデータ記憶装置によれば、フラッシュメモリとバッファメモリ間の伝送速度が改善され、フラッシュメモリと外部システム間のデータ伝送速度が著しく改善される。 - 特許庁 - When a cache area of the flash memory has been already erased at the stop of the erasure, data erased from the flash memory are immediately saved again to the flash memory from the cache memory.
また、イレースを停止した時点で、フラッシュメモリが有するキャッシュ域までイレースが進んでいる場合には、フラッシュメモリからイレースされたデータをキャッシュメモリからフラッシュメモリへ直ぐに再退避する。 - 特許庁 - One or more font data are stored in a flash memory 44 or the like of a digital camera 3.
デジタルカメラ３のFLASHメモリ４４等には１以上の字体データを記憶している。 - 特許庁 - To easily design a flash memory system capable of accessing a plurality of flash memories in parallel.
多数のフラッシュメモリに並列にアクセスできるフラッシュメモリシステムを簡単に設計する。 - 特許庁 - If the memory 15 passes to the diagnosis, programs in flash memory 14 is copied into the memory 15, so that the programs to be read and executed are moved from the flash memory 14 to the memory 15 with short access time.
診断にパスすれば、フラッシュメモリ１４上のプログラムをメモリ１５にコピーし、プログラムの読込み・実行元をフラッシュメモリ１４からアクセスタイムの小さいメモリ１５に移す。 - 特許庁 - To reduce capacity of a RAM for a write cache memory, in a semiconductor storage device mounted with a main flash memory, an alternative flash memory, and the write cache memory.
メインフラッシュメモリと交替フラッシュメモリとライトキャッシュメモリとを搭載する半導体記憶装置において、ライトキャッシュメモリ用のＲＡＭを削減する。 - 特許庁 - To provide a memory module including a mass flash memory and attaining matching between an access time of the flash memory and an access time of an SDRAM (synchronous dynamic random access memory) and to provide a controller.
フラッシュメモリのアクセス時間とＳＤＲＡＭのアクセス時間との整合を図り、大容量フラッシュメモリを含むメモリモジュールとコントローラを提供する。 - 特許庁 - To provide a memory controller capable of avoiding the writing of data from concentrating on a particular flash memory, and a flash memory system having the memory controller.
データの書き込みがフラッシュメモリの特定の領域に集中することを回避できるメモリコントローラ、及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide a memory controller that dispenses with previous storage of device information, a flash memory system having the memory controller, and a control method for a flash memory.
デバイス情報を予め記憶する必要のないメモリコントローラ、当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a memory controller capable of improving rewriting efficiency, a flash memory system comprising the memory controller, and a control method of flash memory.
書替効率を向上させることができるメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁 - The memory SW groups stored in the flash memory are constituted of memory SWs which is desired to be changed so as to save the storage area of the flash memory.
また、フラッシュメモリに記憶されたメモリＳＷ群は、設定変更したいメモリＳＷのみで構成されているので、フラッシュメモリの記憶領域を節約できる。 - 特許庁 - Alternatively, the individual memory elements may comprise flash memory cells.
一方、個別的なメモリ要素はフラッシュメモリセルを包含することが可能である。 - 特許庁 - INITIAL SEED GENERATION METHOD, FLASH MEMORY DEVICE USING THE SAME, AND MEMORY SYSTEM
初期シード生成方法とそれを利用するフラッシュメモリ装置及びメモリシステム - 特許庁 - POWER CIRCUIT, FLASH MEMORY SYSTEM AND POWER SUPPLY METHOD
電源回路、フラッシュメモリシステム及び電源供給方法 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF READING THE SAME
ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子及びその読み取り方法 - 特許庁 - NAND TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND PRODUCING METHOD THEREFOR
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - A second flash memory 70 is a semiconductor storage part of the same type as the first flash memory 60 and allows data therein to be updated more frequently than the first flash memory 60.
第２フラッシュメモリ７０は、第１フラッシュメモリ６０と同種の半導体記憶部であり、第１フラッシュメモリ６０と比較して頻繁なデータ更新が可能である。 - 特許庁 - LOG INFORMATION COLLECTING SYSTEM AND METHOD FOR FLASH MEMORY
フラッシュメモリのログ情報収集方式および方法 - 特許庁 - FLASH MEMORY DRIVE DEVICE, ITS CONTROL METHOD, AND ITS PROGRAM
フラッシュメモリドライブ装置、その制御方法及びそのプログラム - 特許庁 - IDE INTERFACE CONVERTING DEVICE OF NOR TYPE FLASH MEMORY
ＮＯＲ型フラッシュメモリのＩＤＥインタフェース変換装置 - 特許庁 - METHOD OF FORMING SELF-ALIGNED FLOATING GATE IN FLASH MEMORY CELL
フラッシュメモリセルの自己整列フローティングゲート形成方法 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - CHARGE-TRAP TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
チャージトラップ型フラッシュメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁 - A flash memory 106 stores a plurality of image data.
フラッシュメモリ１０６は、複数の画像データを記憶する。 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF FORMING WELL THEREOF
ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子及びそのウェル形成方法 - 特許庁 - ELECTRONIC FLASH MEMORY TYPE EXTERNAL STORAGE METHOD AND ITS DEVICE
電子フラッシュ・メモリ式外部記憶方法及びその装置 - 特許庁 - STORAGE DEVICE USING FLASH MEMORY AND ITS CONTROL METHOD
フラッシュメモリを用いた記憶装置及びその制御方法 - 特許庁 - NOR FLASH MEMORY DEVICE, AND ITS SERIAL SENSING METHOD
ＮＯＲフラッシュメモリ装置及びそれのシリアルセンシング方法 - 特許庁 - SIDE WALL PROCESS FOR IMPROVING FLASH MEMORY CELL PERFORMANCE
フラッシュ・メモリセル性能を改良するための側壁プロセス - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE AND ITS HIGH-VOLTAGE RECHARGING METHOD
フラッシュメモリ装置及びその高電圧再充電方法 - 特許庁 - To provide the rewriting control method of a flash memory for preventing the deterioration of a processing speed due to the data erasing time of a flash memory, and for efficiently using the flash memory.
フラッシュメモリのデータ消去時間による処理速度低下を防止し、さらにフラッシュメモリをより効率よく利用するためのフラッシュメモリの書換制御方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR READING DATA OUT OF NAND TYPE FLASH MEMORY
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリからのデータ読み出し方法 - 特許庁 - NAND TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁 - The flash memory 13 is mounted on a circuit substrate 23.
フラッシュメモリ１３は、回路基板２３に実装されている。 - 特許庁 - A host 4 reads and writes the data into a flash memory device 2.
ホスト４は、フラッシュメモリデバイス２にデータを読み書きする。 - 特許庁 - METHOD OF MEASURING THRESHOLD VOLTAGE FOR NAND FLASH MEMORY DEVICE
ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のしきい電圧測定方法 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE CAPABLE OF IMPROVING RELIABILITY
信頼性を向上させることができるフラッシュメモリ装置 - 特許庁
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