「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 .... 88 89 次へ＞- METHOD OF FORMING SELECTION LINE FOR NAND FLASH MEMORY ELEMENT
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のセレクトライン形成方法 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD OF IMPROVING CHARACTERISTIC OF CELL IN THE SAME
ナンドフラッシュメモリ装置とそのセル特性改善方法 - 特許庁 - PROGRAMMING/ERASING VOLTAGE SUPPLY CIRCUIT OF FLASH MEMORY CELL
フラッシュメモリ素子のプログラム／消去電圧供給回路 - 特許庁 - A reading circuit reads cell voltage of a flash memory cell.
読取り回路がフラッシュ・メモリ・セルのセル電圧を読み取る。 - 特許庁 - To provide a data loss prevention device for a flash memory and a data loss prevention method for the flash memory, preventing the occurrence of data loss in the flash memory.
フラッシュメモリにおいてデータ消失を発生し難くすることができるフラッシュメモリのデータ消失防止装置及びフラッシュメモリのデータ消失防止方法を提供する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE AND ITS ERASING OPERATION CONTROL METHOD
フラッシュメモリ装置及びその消去動作制御方法 - 特許庁 - PRODUCTION METHOD FOR MULTI-VOLTAGE FLASH MEMORY INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE
多電圧フラッシュメモリ集積回路構造の製造方法 - 特許庁 - To enable early detection of degradation in a NOR flash memory.
ＮＯＲフラッシュメモリの劣化早期検知を提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory device and its program method.
フラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁 - MICROCOMPUTER, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR PROTECTING FLASH MEMORY
マイクロコンピュータ、電子機器及びフラッシュメモリのプロテクト方式 - 特許庁 - DATA MANAGEMENT IN FLASH MEMORY USING PROBABILITY OF CHARGE DISTURBANCES
障害の確率を利用したフラッシュメモリのデータ管理 - 特許庁 - FLASH MEMORY BY IDENTICAL CELL STRUCTURE AND DRAM HYBRID CIRCUIT
同一セル構造によるフラッシュメモリとＤＲＡＭ混載回路 - 特許庁 - The CPU 11 switches the selector 14 to the flash memory 13 side after the update of the program data of the flash memory 12 is completed to perform update of the program data of the flash memory 13.
ＣＰＵ１１は、フラッシュメモリ１２のプログラムデータの更新が完了した後に、セレクタ１４をフラッシュメモリ１３側に切り替え、フラッシュメモリ１３のプログラムデータの更新を行う。 - 特許庁 - METHOD FOR ERASING INFORMATION STORED IN FLASH MEMORY ELEMENT
フラッシュメモリ素子における記憶情報の消去方法 - 特許庁 - To appropriately deal with the exchange and removal of a flash memory.
フラッシュメモリの交換、取り外しに適切に対応する。 - 特許庁 - The internal memory receives host data to be stored in the NAND flash memory from the host processor and stores the flash data transmitted from the NAND flash memory to the host processor.
内部メモリはホストプロセッサからＮＡＮＤフラッシュメモリに貯蔵するホストデータを受領し、ＮＡＮＤフラッシュメモリからホストプロセッサに転送されるフラッシュデータを貯蔵する。 - 特許庁 - To mount a flash memory inside a host system.
フラッシュメモリをホストシステムの内部に実装できるようにする。 - 特許庁 - MULTIPLEXING PARALLEL BUS INTERFACE AND FLASH MEMORY INTERFACE
パラレルバスインターフェースおよびフラッシュメモリインターフェースの多重化 - 特許庁 - FLASH CONTROL CIRCUIT FOR CACHE MEMORY AND ITS CONTROL METHOD
キャッシュメモリのフラッシュ制御回路及びその制御方法 - 特許庁 - To detect highly accurately a coupling ratio of a flash memory cell.
フラッシュメモリセルのカップリング比を高精度で検出する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURE OF THE SAME AND DELETING METHOD
フラッシュメモリ素子、その製造方法及び消去方法 - 特許庁 - SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁 - FLASH MEMORY SYSTEM, AND METHOD FOR CONTROLLING BIT LINE VOLTAGE THEREOF
フラッシュメモリ装置及びそのビットライン電圧制御方法 - 特許庁 - DEVICE WITH FLASH MEMORY AND DATA REWRITING METHOD
フラッシュメモリを有する装置およびデータの書き換え方法 - 特許庁 - SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD OF CONTROLLING PROGRAM OPERATION IN FLASH MEMORY DEVICE
フラッシュメモリ装置におけるプログラム動作の制御方法 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR REWRITING FLASH MEMORY UPDATE PROGRAM
フラッシュメモリ更新プログラムの書き換え方法及び装置 - 特許庁 - To provide a flash memory rewriting device which can rewrite a flash memory by using a simple circuit constitution.
簡単な回路構成によりフラッシュメモリを書き換えることが可能なフラッシュメモリ書き換え装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a NAND flash-memory interface device interfacing between a host processor and a NAND flash memory.
ホストプロセッサとＮＡＮＤフラッシュメモリとの間をインタフェースするＮＡＮＤフラッシュメモリインタフェース装置を提供する。 - 特許庁 - A device 10 is equipped with a flash memory 16a and a RAM 16b which is faster than the flash memory 16a.
デバイス１０は、フラッシュメモリ１６ａと、フラッシュメモリ１６ａよりも高速なＲＡＭ１６ｂとを備えている。 - 特許庁 - WORD LINE PROTECTION DEVICE FOR PROTECTING WORD LINE STRUCTURE OF FLASH MEMORY ARRAY AND WORD LINE STRUCTURE FOR FLASH MEMORY ARRAY
フラッシュメモリアレイのワード線構造を保護するためのワード線保護装置およびフラッシュメモリアレイのためのワード線構造 - 特許庁 - To provide a storage device that utilizes the advantages of both an SLC flash memory and an MLC flash memory.
ＳＬＣ型のフラッシュメモリとＭＬＣ型のフラッシュメモリの両者のメリットを生かした記憶装置を提供する。 - 特許庁 - Then the data written to the flash memory 2 are read out of the flash memory 2 and a check sum value is calculated.
そして、フラッシュメモリ２へ書き込んだデータをフラッシュメモリ２から読み出すとともに、チェックサム値を算出する。 - 特許庁 - To provide a page buffer for flash memory device in which program trouble of a NAND flash memory element can be reduced.
ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のプログラム障害を減らすことが可能なフラッシュメモリ素子のページバッファを提供する。 - 特許庁 - Thus, at the time of storing new data inside the flash memory, it is not required to erase the data inside the flash memory.
このため、フラッシュメモリ内に新データを格納するときには、フラッシュメモリ内のデータを消去する必要がない。 - 特許庁 - To provide a flash memory system, and more specifically, to provide a flash memory system and its error correction method.
フラッシュメモリシステムを提供し、さらに詳細には、フラッシュメモリシステム及びそのエラー訂正方法を提供する。 - 特許庁 - The flash memory DMA circuit for the hybrid hard disk drive provides an interface with the flash memory as hardware.
また、フラッシュメモリとのインターフェースをハードウェアとして提供するハイブリッドハードディスクドライブのフラッシュメモリＤＭＡ回路。 - 特許庁 - The storing part 3 stores information 5 and 6 about a flash memory regarding each of a plurality of flash memories including the mounted flash memory 2.
記憶部３は、搭載されているフラッシュメモリ２を含む複数のフラッシュメモリのそれぞれについて、フラッシュメモリに関する情報５，６を格納する。 - 特許庁 - The management device 10 is provided with an auxiliary memory(FLASH memory) and a main memory(DRAM) and a CPU.
管理装置１０は、補助メモリ（ＦＬＡＳＨメモリ）とメインメモリ（ＤＲＡＭ）とＣＰＵとを有する。 - 特許庁 - To provide a method of operating a memory system comprising a flash memory device with a plurality of memory blocks.
複数のメモリーブロックを持つフラッシュメモリー装置を含むメモリーシステムの動作方法を提供する。 - 特許庁 - The memory system includes a NAND flash memory 10, a memory controller 20 and a host processor 31.
メモリシステムは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０と、メモリコントローラ２０と、ホストプロセッサ３１とを備える。 - 特許庁 - To provide a memory controller capable of quickly accessing a NAND flash memory even without installing an I/F exclusive to the NAND flash memory or a high-speed SRAM I/F.
NANDフラッシュメモリ専用のI/F や高速SRAM I/Fを設置せずとも、NANDフラッシュメモリを高速にアクセスすることができるメモリコントローラを提供する。 - 特許庁 - BOOT BLOCK FLASH MEMORY CONTROL CIRCUIT, IC MEMORY CARD PROVIDED WITH IT, SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE, AND BOOT BLOCK FLASH MEMORY DELETING METHOD
ブートブロックフラッシュメモリ制御回路、およびそれを備えたＩＣメモリカードと半導体記憶装置、並びにブートブロックフラッシュメモリの消去方法 - 特許庁 - The flash interface part controls a control signal for operating the NAND flash memory.
フラッシュインタフェース部はＮＡＮＤフラッシュメモリを動作させるための制御信号を制御する。 - 特許庁 - To provide a memory controller with which reliability of diagnosis for detecting failure of a flash memory and a defective block can be improved and to provide a flash memory system having the memory controller and a control method for the flash memory.
フラッシュメモリの不具合や不良ブロックを検出する診断の信頼性を向上させることができるメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁 - That is, by changing the data flash memory cell from a binary memory cell to a multi-value memory cell, deterioration in the retention characteristics is prevented to achieve the high-reliability data flash memory cell, while reducing occupied area of the data flash memory cell.
つまり、データフラッシュメモリセルを２値メモリセルから多値メモリセルに変更することにより、リテンション特性の劣化を防止して信頼性の高いデータフラッシュメモリセルを実現し、かつ、データフラッシュメモリセルの占有面積を低減する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE HAVING IMPROVED REMOVAL PERFORMANCE, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME
向上した除去特性を有するフラッシュメモリ装置及びそれを含むメモリシステム - 特許庁 - The above device can be used as a memory element within a flash memory or a DRAM.
前記デバイスは、フラッシュメモリあるいはＤＲＡＭ内のメモリ要素として使用できる。 - 特許庁 - In other embodiments, the MLC memory cell comprises an MLC flash memory cell.
他の実施形態においては、ＭＬＣメモリセルは、ＭＬＣフラッシュメモリセルを備える。 - 特許庁 - To facilitate management of a storage system using a flash memory as a memory area.
フラッシュメモリを記憶領域として利用するストレージシステムの管理を容易にする。 - 特許庁
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