「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 .... 88 89 次へ＞- In 1997, Intel announced a new form of flash memory that would hold two bits in each memory cell.
1997年,Intelはそれぞれのメモリセルに2ビットを保持する新形式のフラッシュ・メモリを発表した． - コンピューター用語辞典 - A data management apparatus of a flash memory includes a device driver which controls the operation of at least one or more flash memories, and a controller which transfers data stored in a defective block of one of the flash memories to a predetermined block of the flash memory if a defective block occurs in the flash memory.
少なくとも一つ以上のフラッシュメモリに対する動作を制御するデバイスドライバと、所定のフラッシュメモリでエラーブロックが発生した場合、エラーブロックに位置したデータを該当フラッシュメモリの所定ブロックに移動させる制御部と、を含むフラッシュメモリのデータ管理装置。 - 特許庁 - The plurality of flash memories include two or more flash memories for storage data to be input/output in parallel, a flash memory for horizontal parity bits, and a flash memory for vertical parity bits.
上記複数のフラッシュメモリは、パラレルに入出力される記憶データを分担して受け持つ２以上のフラッシュメモリと、水平パリティビットを受け持つフラッシュメモリと、垂直パリティビットを受け持つフラッシュメモリとを有する。 - 特許庁 - To provide a flash memory controller and a flash memory inspection device for continuously evaluating and inspecting flash memories whose block and page structures are different.
ブロック、ページの構造が異なるフラッシュメモリを連続的に評価検査することを可能にしたフラッシュメモリ制御装置およびフラッシュメモリ検査装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - MEMORY CELL ARRAY STRUCTURE FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT, THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT ACCESS METHOD FOR MEMORY CELL ARRAY OF THE UNIT, NAND FLASH MEMORY UNIT, AND SEMICONDUCTOR MEMORY
不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造、不揮発性半導体メモリ装置、同装置のメモリセルアレイアクセス方法、ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及び半導体メモリ - 特許庁 - In the semiconductor integrated circuit device incorporating a flash memory 2 and a RAM 3, when a defective memory exists, relieving information stored in a mat 2e for preserving relieving information of the flash memory 2 is transferred to the flash memory 2, a memory block 3_1, 3_2.
フラッシュメモリ２、ＲＡＭ３が内蔵された半導体集積回路装置であって、不良ビットが存在する場合、フラッシュメモリ２の救済情報保存用マット２ｅに格納された救済情報をフラッシュメモリ２、メモリブロック３_1 ，３__2 に転送する。 - 特許庁 - The memory A11 may be a detachable medium like a flash memory card or a memory built in main part.
メモリＡ１１はフラッシュメモリーカードのような着脱可能なメディアでもよいし、本体に内蔵されたメモリでもよい。 - 特許庁 - The memory set of the second channel is provided with a second flash memory and at least one second socket for memory extension.
第２のチャネルのメモリセットは、第２のフラッシュメモリと、少なくとも１つの第２のメモリ拡張用ソケットとを有する。 - 特許庁 - The device for accessing a flash memory is provided with: a controller; a memory set of a first channel; and a memory set of a second channel.
フラッシュメモリのアクセス装置は、コントローラと、第１のチャネルのメモリセットと、第２のチャネルのメモリセットとを具える。 - 特許庁 - A memory card includes a register circuit 13, a data buffer circuit 14, a memory I/F controller 16, and a flash memory 17.
メモリカードは、レジスタ回路１３、データバッファ回路１４と、メモリＩ/Ｆコントローラ１６と、フラッシュメモリ１７を備えている。 - 特許庁 - In this information processor, a cache memory 11, DRAM (dynamic random access memory) 20 and a flash memory 30 are connected to respective system buses.
キャッシュメモリ１１と、ＤＲＡＭ（ダイナミックランダムアクセスメモリ）２０と、フラッシュメモリ３０とを各々システムバスに接続する。 - 特許庁 - To provide a memory controller and a memory system unit capable of using a flash memory with a large page size in an existing system.
ページサイズが大きいフラッシュメモリを、既存のシステムで使用できるメモリコントローラおよびメモリシステム装置を提供する。 - 特許庁 - The detachable external memory device 2 is further provided with a readable and writable flash memory 4 as a main memory device.
また、着脱式外部記憶装置２は、主な記憶装置として読み書き可能なフラッシュメモリ４を備える。 - 特許庁 - A flash/EEPROM memory cell having the same structure as a memory cell M1 is used as a memory cell RM1 for reference.
リファレンス用メモリーセルＲＭ１として、メモリーセルＭ１と同じ構造のフラッシュ／ＥＥＰＲＯＭメモリーセルを用いる。 - 特許庁 - The nonvolatile memory array includes a flash memory array having first and second blocks of three state memory cells inside.
不揮発性メモリアレイは、内部に３状態メモリセルの第１および第２ブロックを有するフラッシュメモリアレイを含む。 - 特許庁 - This device is designed to perform a control for storing, when the size of firmware to be updated is smaller than the capacity of a flash memory, the firmware in the flash memory, and dividedly storing, when it is larger than the capacity of the flash memory, the firmware in the flash memory and a magnetic disk device.
更新するファームウエアのサイズがフラッシュメモリの容量より小さいときはファームウエアをフラッシュメモリに格納し、ファームウエアがフラッシュメモリの容量よりも大きいときはファームウエアをフラッシュメモリと磁気ディスク装置に分割して格納する制御を行う構成とする。 - 特許庁 - To update control data in order to store a specific control data group (an adjustment value etc.), needed to be rewritten by using a flash memory (FLASH EEPROM).
書換えを必要とする特定の制御データ群（調整値等）の保存に、フラッシュメモリ（FLASH EEPROM）を用いて、制御データの更新を可能とする。 - 特許庁 - To provide a sense circuit in a multi-level flash memory cell which can accurately discriminate a state of the multi-level flash memory cell constituted so that a capacitor is connected to a source end of the flash memory cell.
フラッシュメモリセルのソース端子にキャパシタが連結されるように構成されたマルチレベルフラッシュメモリセルの状態を正確に判別することが可能なマルチレベルフラッシュメモリセルのセンス回路を提供する。 - 特許庁 - A binary type flash memory 2 and multivalued type flash memories 31 to 33 are mixed in a flash memory group 200, management data are stored in the memory 2 and user data are stored in the memories 31 to 33.
２値型フラッシュメモリ２と多値型フラッシュメモリ３１〜３３とをフラッシュメモリ群２００に混載し、管理データを２値型フラッシュメモリ２に、ユーザデータを多値型フラッシュメモリ３１〜３３に、それぞれ格納する。 - 特許庁 - To calculate a period during which a flash memory can retain data, thereby preventing the data retained in the flash memory from being lost inadvertently even if the flash memory is highly integrated.
フラッシュメモリの高集積化が進んだとしても、フラッシュメモリがデータを保持できる期間を算出することで、フラッシュメモリに保持されたデータが不用意に消失してしまうといった事態を回避する。 - 特許庁 - To provide a memory controller, a flash memory system with the memory controller, and to provide a method of controlling the flash memory, capable of updating efficiently a data, while restraining a substantial storage volume from becoming low.
実質的な記憶容量の低下が抑制されつつ効率的にデータ更新が行われるようにするメモリコントローラ、フラッシュメモリシステム、及びフラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a control method for a flash memory for detecting data which is rewritten by an illegal means, and also to provide a memory controller, and a flash memory system equipped with the memory controller.
データが不正な手段により書き換られたことを検出できるフラッシュメモリの制御方法、メモリコントローラ及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a memory controller capable of rapidly and efficiently transferring data between itself and a flash memory, and to provide a flash memory system comprising the memory controller.
本発明は、フラッシュメモリとの間でのデータの転送を迅速、効率的にすることが可能なメモリコントローラ、及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a flash memory rewriting circuit which rewrites a flash ROM without any problem of security of a program.
プログラムのセキュリティ上の問題なく、フラッシュＲＯＭを書換えるフラッシュメモリ書換え回路を提供する。 - 特許庁 - The writing portion 47a stores the history data in the flash memory 45.
書き込み部４７ａは、履歴データをフラッシュメモリ４５に記憶させる。 - 特許庁 - To provide an SONOS flash memory element and its fabricating method.
ＳＯＮＯＳフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor flash memory cell pair having a vertical channel.
垂直チャンネルを持つ半導体フラッシュメモリセルペアが提供される。 - 特許庁 - To provide a NAND flash memory device and its programming method.
ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁 - INFORMATION STORING METHOD USING FLASH MEMORY AND INFORMATION STORING PROGRAM
フラッシュメモリを用いた情報記憶方法および情報記憶プログラム - 特許庁 - To quickly store data in a data recording medium such as a flash memory.
フラッシュメモリ等のデータ記録媒体へ高速にデータを記憶させる。 - 特許庁 - To provide a split gate type flash memory and a method for manufacturing the same.
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - FLASH MEMORY ARRAY HAVING LOW PROGRAMMING POWER AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME
ロープログラミングパワーを有するフラッシュメモリアレイ及びその制御方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING COMPOSITE FLASH MEMORY THEREON, AND PORTABLE DEVICE
複合化フラッシュメモリを搭載した半導体装置及び携帯用機器 - 特許庁 - The user inserts a flash memory card 3 from a card insertion port 13.
ユーザが、カード挿入口１３からフラッシュメモリカード３を挿入する。 - 特許庁 - WORD LINE DECODER SUITABLE TO LOW OPERATING POWER VOLTAGE OF FLASH MEMORY DEVICE
フラッシュメモリ装置の低い動作電源電圧に適したワードラインデコーダ - 特許庁 - To provide a method for writing data bytes in a NOR flash memory.
データバイトをＮＯＲフラッシュメモリに書き込む方法を提供する。 - 特許庁 - ELECTRIC POTENTIAL SWITCHING CIRCUIT, FLASH MEMORY HAVING SAME, AND ELECTRIC POTENTIAL SWITCHING METHOD
電位切換回路，それを備えたフラッシュメモリ，及び電位切換方法 - 特許庁 - MULTI-SLOT FLASH MEMORY CARD READING DEVICE APPLICATION OVERCURRENT PROTECTING METHOD
マルチ・スロット・フラッシュ・メモリ・カード読取装置適用過電流保護方法 - 特許庁 - To provide a flash memory device and its word line enable method.
フラッシュメモリ装置及びそれのワードラインイネーブル方法を提供する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY APPARATUS WITH REDUCED SIZE AND ITS ACCESS CONTROL METHOD
面積が減少したフラッシュメモリ装置およびそのアクセス制御方法 - 特許庁 - To perform an efficient screening about a defective cell of a flash memory.
フラッシュメモリの不良セルについて効率的なスクリーニングを行なう。 - 特許庁 - FLASH MEMORY EXTERNAL STORAGE DEVICE AND METHOD
フラッシュ・メモリ式外部記憶装置およびフラッシュ・メモリ式外部記憶方法 - 特許庁 - The flash memory control unit 8 comprises an error discriminating section 81.
フラッシュメモリ制御ユニット８には、エラー判定部８１が含まれている。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR PRIORITIZED ERASURE OF FLASH MEMORY
フラッシュメモリの優先順位付き消去のためのデバイスおよび方法 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE, AND PROGRAMMING AND ERASING METHODS USING THE SAME
フラッシュメモリ素子そしてこれを用いたプログラミング及び消去方法 - 特許庁 - Further, a flash memory 66 is provided inside the camera main body.
また、カメラ本体の内部には、フラッシュメモリ６６が設けられている。 - 特許庁 - To provide a flash memory and its usage.
フラッシュメモリー及びその使用方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To prevent a malfunction of a system caused by a peak current of a flash memory.
フラッシュメモリのピーク電流に起因するシステムの誤動作を防ぐ。 - 特許庁 - To accurately evaluate the characteristics of a cell in a flash memory array.
フラッシュメモリアレイ中におけるセルの特性を正確に評価する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL USING SPACER OXIDATION PROCESS
スペーサー酸化工程を利用する分離ゲートフラッシュメモリセル製造方法 - 特許庁
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