「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 16 17 18 19 20 21 22 23 24 .... 88 89 次へ＞- A USB memory 1 has: a flash memory 14 storing data; and an encryption engine 25 encrypting the data to be stored in the flash memory 14, and decrypting the read data.
ＵＳＢメモリ１は、データを記憶するフラッシュメモリ１４と、フラッシュメモリ１４に記憶させるデータを暗号化し、読み出したデータを復号化する暗号エンジン２５を備える。 - 特許庁 - This memory device is provided with an SDRAM, a flash memory and a control part for receiving commands from a host interpreting the commands, and for starting data transfer between the SDRAM and the flash memory according to the interpreted commands.
SDRAMと、フラッシュメモリと、ホストからのコマンドを受信し、解釈し、解釈されたコマンドに応じてSDRAMとフラッシュメモリの間のデータ転送を開始する制御部とを備える。 - 特許庁 - To provide a memory system capable of suppressing latency with respect to a read command to the same degree as an NOR type flash memory while using an inexpensive NAND-type flash memory.
安価なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを使用しつつも、読み出し命令に対するレイテンシをＮＯＲ型フラッシュメモリと同程度に抑制することが可能なメモリシステムを得る。 - 特許庁 - To provide a method for managing a memory for preventing sudden reduction of reserved blocks so as to achieve safe operation of a flash memory device, and the flash memory device using the method.
予備ブロックの急激な減少を防止して、フラッシュメモリデバイスの安全な運用を図るためのメモリの管理方法及び該方法を使用するフラッシュメモリデバイスの提供。 - 特許庁 - A flash memory (2) is provided with a flash memory array (30) consisting of a plurality of nonvolatile memory cells MM00, MM01, MM0m, MMy0, MMym arranged in matrix.
フラッシュメモリ（２）は、マトリクス状に配置された複数の不揮発性メモリセルＭＭ００、ＭＭ０１、ＭＭ０ｍ、ＭＭｙ０、ＭＭｙ１、ＭＭｙｍからなるフラッシュメモリアレイ（３０）を備える。 - 特許庁 - The memory set of the first channel is provided with a first flash memory and at least one first socket for memory extension.
第１のチャネルのメモリセットは、第１のフラッシュメモリと、少なくとも１つの第１のメモリ拡張用ソケットとを有する。 - 特許庁 - This semiconductor device 10 is equipped with a flash memory 11 including memory blocks 0, 1, and a memory controller 12.
本発明による半導体装置１０は、メモリブロック０、１を備えたフラッシュメモリ１１とメモリコントローラ１２とを備えている。 - 特許庁 - The non-volatile memory device is provided with a controller 5C, a non-volatile memory 4 such as a flash memory, and a radio communication circuit 18.
不揮発性メモリ装置はコントローラ（５Ｃ）と、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ（４）と、無線通信回路（１８）とを有する。 - 特許庁 - The flash ROM comprises a plurality of memory blocks, and is a well-known memory capable of performing data deletion by a memory block unit.
フラッシュＲＯＭは、複数の記憶ブロックを備え、記憶ブロック単位でのデータ消去が可能な周知のメモリである。 - 特許庁 - Virtual memory maps 14, 16 correlate a flash memory physical location address in order to trace the location of the data in the memory.
仮想メモリマップ（１４、１６）はメモリ内のデータの場所を追跡するためにフラッシュメモリ物理場所アドレスを関連づける。 - 特許庁 - This cordless iron is equipped with a flash micro-computer 11 having a built-in flash memory 12 as a control means, and is constituted in such a manner that various kinds of action states regarding the cordless iron can be recorded in the flash memory 12.
フラッシュメモリ12を内蔵した制御手段としてのフラッシュマイコン11を備え、フラッシュメモリ12にコードレスアイロンに関わる種々の動作状態を記録するように構成する。 - 特許庁 - When reading data from a flash memory copied by a ROM writer, the flash file system previously converts physical addresses of respective blocks of the flash memory into logical addresses.
フラッシュファイルシステムがＲＯＭライターによりコピーされたフラッシュメモリのデータを読み込むとき、予め該フラッシュメモリの各ブロックの物理アドレスを論理アドレスに変換するようにしたフラッシュファイルシステム。 - 特許庁 - To accelerate flash memory access in an entire system by carrying out write and erase processing to a plurality of flash memories by a flash memory controller in small circuit scale.
複数のフラッシュメモリに対して、回路規模の小さいフラッシュメモリコントローラにより、ライト及びイレーズ処理を実行可能とし、フラッシュメモリアクセスをシステム全体で高速化することを可能とする。 - 特許庁 - It is determined whether write data and the flash memory initial value are equal to each other or not in write processing from the host, and data transfer to the flash memory is suppressed when the write data and the flash memory initial value are equal to each other.
ホストからの書込み処理の際に、書込みデータとフラッシュメモリ初期値とが等しいかどうかを判断し、書込みデータがフラッシュメモリ初期値に等しい場合には、フラッシュメモリへのデータ転送を抑制する。 - 特許庁 - A multi-function machine (FAX) has a flash memory, a RAM, an external I/F, etc.
複合機（ＦＡＸ）は、フラッシュメモリ、ＲＡＭ、外部Ｉ／Ｆ等を備える。 - 特許庁 - A controller translates a source program by reading it from a card type flash memory, and stores the translated object program in the flash memory (S10-S30).
制御装置はカード型フラッシュメモリからソースプログラムを読み込んで翻訳し、翻訳したオブジェクトプログラムをフラッシュメモリに格納する（Ｓ１０〜Ｓ３０）。 - 特許庁 - To provide an ATA controller in which a flash memory is incorporated for easily extending the capacity of a memory card by mutually connecting the flash memories.
相互に接続することによりメモリカードの容量を容易に増設することができる、フラッシュメモリを内蔵するＡＴＡコントローラを提供する。 - 特許庁 - To provide a product and associated method and system for disabling defective flash memory dies in a device containing a plurality of flash memory dies.
複数のフラッシュメモリダイを含むデバイス内の欠陥フラッシュメモリダイを動作不能化する製品ならびに関連する方法およびシステムを提供する。 - 特許庁 - SYSTEM UNIT BOOTED USING FLASH MEMORY, AND ITS BOOTING METHOD
フラッシュメモリを用いてブーティングされるシステム装置及びそのブーティング方法 - 特許庁 - NAND TYPE FLASH MEMORY DISK DRIVE AND METHOD FOR LOGICAL ADDRESS DETECTION
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリディスク装置及び論理アドレス検出の方法 - 特許庁 - Specifically, a table for managing correspondence relation between a flash memory chip of the flash memory drive and each parity group is acquired, and the logical volume is disposed such that the flash memory chip is not shared from a plurality of logical volumes.
具体的には、各パリティグループとフラッシュメモリドライブのフラッシュメモリチップの対応関係を管理するテーブルを取得し、フラッシュメモリチップが複数の論理ボリュームから共用されないように論理ボリュームを配置する。 - 特許庁 - Different wait state values are provided in different portions of the flash memory array so as to adjust different degradation levels of the flash memory array.
異なる待機状態値は、フラッシュメモリ列の異なる品質低下の度合いを適応させるためにフラッシュメモリ列の異なる部分に設けられる。 - 特許庁 - To provide articles and associated methods and systems for disabling defective flash memory dies in a device containing a plurality of flash memory dies.
複数のフラッシュメモリダイを含むデバイス内の欠陥フラッシュメモリダイを動作不能化する製品ならびに関連する方法およびシステムを提供する。 - 特許庁 - To achieve high-speed writing to a flash memory by an interleaving operation.
フラッシュメモリに対する高速書き込みをインターリーブ動作で実現する。 - 特許庁 - A data storing flash memory 300, a program storing flash memory 400 and a cipher engine part 500 are arranged at the outside of the ASIC 100.
また、ＡＳＩＣ１００の外部にデータ格納用フラッシュメモリ３００と、プログラム格納用フラッシュメモリ４００と、暗号エンジン部５００を設ける。 - 特許庁 - NOR FLASH MEMORY DEVICE WITH TWIN BIT CELL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
ツインビットセル構造のＮＯＲ型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - LOW VOLTAGE FLASH EEPROM MEMORY CELL WITH IMPROVED DATA RETENTION
改善されたデータ保持を有する低電圧フラッシュＥＥＰＲＯＭメモリセル - 特許庁 - To provide articles and associated methods and systems for disabling defective flash memory dies in a device containing multiple flash memory dies.
複数のフラッシュメモリダイを含むデバイス内の欠陥フラッシュメモリダイを動作不能化する製品ならびに関連する方法およびシステムを提供する。 - 特許庁 - The laundry apparatus includes a microcomputer 19 incorporating a flash memory 20.
ランドリー機器はフラッシュメモリ２０内蔵のマイクロコンピュータ１９を備えている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory functioning as a nonvolatile memory capable of flash erase and flash write even with a low power supply voltage.
低い電源電圧でも一括消去及び一括書き込みが可能な不揮発性メモリとして機能する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - NAND-TYPE FLASH MEMORY DEVICE HAVING SHARED SELECTION LINE STRUCTURE
共有された選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置 - 特許庁 - In other cases, the flash memory is made to operate in the high-speed operation mode.
それ以外の場合には、フラッシュメモリを高速動作モードで動作させる。 - 特許庁 - NAND TYPE FLASH MEMORY APPARATUS HAVING SHARED SELECTION LINE STRUCTURE
共有された選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置。 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY ARRAY HAVING PILLAR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
柱構造を有するＮＡＮＤフラッシュメモリアレイ及びその製造方法 - 特許庁 - A storage area of a flash memory 3 is partitioned into a plurality of areas Area0, Area1, Area2, ....
フラッシュメモリ３の記憶領域は、複数のエリアArea0, Area1, Area2, …に区切られる。 - 特許庁 - In the normal mode, when a defect is detected in verify-operation after data is written in the flash memory, subsequent use of the flash memory is stopped.
ノーマルモードでは、フラッシュメモリにデータを書き込んだ後のベリファイ動作において不良を検出すると、以降のフラッシュメモリの使用は停止される。 - 特許庁 - A rewrite tolerance of the flash memory cell is also thereby improved.
それによっても同様に、フラッシュメモリセルの書き換え耐性は向上する。 - 特許庁 - A logical device is set in a storage region of the flash memory device 5A.
フラッシュメモリデバイス５Ａの記憶領域に論理デバイスが設定される。 - 特許庁 - To prevent the deterioration of a flash memory by eliminating a rewriting operation to the flash memory at the time of re-executing a program, thereby shortening a period of time required for the re-execution.
プログラムの再実行時のフラッシュメモリへの書き換え操作を無くして再実行に要する時間を短縮し、フラッシュメモリの劣化を防止。 - 特許庁 - VIRTUAL USB FLASH MEMORY STORAGE DEVICE WITH PCI EXPRESS
ＰＣＩＥｘｐｒｅｓｓを有する仮想ＵＳＢフラッシュメモリ保存装置 - 特許庁 - To prevent the erase characteristics from deteriorating when data in a flash memory is erased.
フラッシュメモリのデータ消去時におけるイレーズ特性の低減を防ぐ。 - 特許庁 - Consequently system boot can be performed without using the NOR type flash memory.
これにより、ＮＯＲ型フラッシュメモリを使用せずに、システムブートを行える。 - 特許庁 - To measure deterioration of retention of a flash memory in a short time and with high accuracy.
フラッシュメモリのリテンション劣化を短時間にかつ精度良く測定する。 - 特許庁 - The system can be booted without using the NOR type flash memory.
これにより、ＮＯＲ型フラッシュメモリを使用せずに、システムブートを行える。 - 特許庁 - DATA STORAGE DEVICE FOR FLASH MEMORY AND DATA STORAGE METHOD USED THEREFOR
フラッシュメモリのデータ格納装置及びそれに用いるデータ格納方法 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE, DATA PROGRAMMING METHOD THEREOF AND DATA ERASING METHOD
フラッシュメモリ装置並びにそのデータプログラム方法及びデータ消去方法 - 特許庁 - To prolong the life of a flash memory and to improve the reliability of a microcomputer with the flash memory mixedly mounted.
フラッシュメモリを混載するマイクロコンピュータにおいて、フラッシュメモリの長寿命化とマイクロコンピュータの信頼性の向上を可能とすることを目的とする。 - 特許庁 - A data storage device 10, in normal operation, writes data to a first flash memory FL1 and writes, to a second flash memory FL2, ECC data for correcting data written to the first flash memory FL1.
データ記憶装置１０は、通常の動作時には、第１フラッシュメモリＦＬ１に対してデータを書き込み、第２フラッシュメモリＦＬ２に対しては、第１フラッシュメモリＦＬ１に書き込んだデータを補正するためのＥＣＣデータを書き込む。 - 特許庁 - The semiconductor device (10) includes a flash memory (20) and a controller (30).
半導体記憶装置（１０）は、フラッシュメモリ（２０）とコントローラ（３０）とを含む。 - 特許庁 - FLASH MEMORY HAVING SELF-ALIGNED TRENCH AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
自己整合されたトレンチを有するフラッシュメモリ及びその製造方法 - 特許庁
- 特許庁
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