「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 .... 88 89 次へ＞- To obtain threshold voltage of all bits in a flash memory by one time processing.
一度の処理でフラッシュメモリ内のすべてのビットのしきい値電圧を求める。 - 特許庁 - A data output part 13 outputs the video data to a flash memory card M or the like.
データ出力部１３は、ビデオデータをフラッシュメモリカードＭ等に出力する。 - 特許庁 - To shorten an additional write time to flash memory to reduce a load of software.
フラッシュメモリの追加書込み時間を短縮し、ソフトウェアの負担を減少させる。 - 特許庁 - The electronic component 26 includes a flash memory 36 mounted on the circuit board 24.
電子部品２６は、回路基板２４に搭載されたフラッシュメモリ３６を含む。 - 特許庁 - The flash memory has a plurality of areas DA1-DA3, PA1-PA3.
フラッシュメモリは、複数の領域ＤＡ１〜ＤＡ３、ＰＡ１〜ＰＡ３を有している。 - 特許庁 - The synchronous-type flash memory device shares a system bus with the synchronous-type DRAM device.
同期型フラッシュメモリ装置は同期型ＤＲＡＭ装置とシステムバスとを共有する。 - 特許庁 - The IC card is provided with: a contact I/FA-21; a flash memory A-22; and a TRM(Tamper Resistant Module) A-23.
ＩＣカードは、接触I/FA-21と、フラッシュメモリA-22と、TRM(Tamper Resistant Module)A-23とを備えている。 - 特許庁 - CELL OPERATING METHOD USING GATE INJECTION FOR FLOATING-GATE NAND FLASH MEMORY
浮遊ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ用のゲート注入を用いるセル動作方法 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE HAVING MULTI-LEVEL CELL AND ITS READING METHOD AND PROGRAMMING METHOD
マルチレベルセルを有するフラッシュメモリ装置とその読み出し方法及びプログラム方法 - 特許庁 - NOR FLASH MEMORY APPARATUS USING BIT SCAN SYSTEM, AND RELATED PROGRAMMING METHOD
ビットスキャン方式を使用するＮＯＲフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法 - 特許庁 - HIGH DENSITY FLASH MEMORY DEVICE USING COLUMN SUBSTRATE CODING AND ITS PROGRAM METHOD
コラム基板コーディングを用いた高密度フラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁 - METHOD OF MONITORING ERASE THRESHOLD VOLTAGE DISTRIBUTION IN NAND TYPE FLASH MEMORY DEVICE
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子の消去しきい値電圧分布モニタリング方法 - 特許庁 - The bit lines 3, 4 is connected to drain terminals of flash memory cells 9-16.
ビット線３、４は、フラッシュメモリセル９〜１６のドレイン端子が接続されている。 - 特許庁 - To provide a data storage device including a flash memory; and to provide its merging method.
フラッシュメモリを含んだデータ貯蔵装置及びそれのマージ方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory storage system for simulating rewritable disk drive.
書き換え可能ディスク装置をシミュレートするフラッシュメモリー記憶システムを提供する。 - 特許庁 - To prolong the life by performing increment by a flash memory and reducing erasure frequency.
フラッシュメモリでインクリメントし、消去頻度を減少させて寿命を長くする。 - 特許庁 - A flash memory of a digital camera stores image data photographed by the digital camera.
デジタルカメラで撮影された画像データは、デジタルカメラのフラッシュメモリに記憶される。 - 特許庁 - To provide a flash memory device having a split string selection line structure.
分離されたストリング選択ライン構造を有するフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - A flash memory device is used for a system as a bootup storage element.
本発明のフラッシュメモリ装置はブートアップ貯蔵要素としてシステムに使用される。 - 特許庁 - To facilitate management of identification information, in a microcomputer having a flash memory.
フラッシュメモリを備えるマイクロコンピュータにおいて、識別情報の管理を容易にする。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING AND OPERATING TRENCH SPLIT GATE NONVOLATILE FLASH MEMORY
トレンチスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル構造を形成、および操作する方法 - 特許庁 - METHOD, SYSTEM, AND COMPUTER-READABLE CODE FOR TESTING FLASH MEMORY
フラッシュメモリをテストするための方法、システム、および、コンピュータで読み取り可能なコード - 特許庁 - To provide a test method and a test device testing a flash memory in a short time.
フラッシュメモリを短時間に試験する試験方法と、試験装置を提供する。 - 特許庁 - A NAND type flash memory 3 has a plurality of large blocks 41, 42, 43.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３は、複数の大ブロック４１，４２，４３を有している。 - 特許庁 - METHOD OF OPERATING NOR-TYPE FLASH MEMORY DEVICE WHERE SONOS CELL IS ADOPTED
ＳＯＮＯＳセルが採用されたＮＯＲ型のフラッシュメモリ素子の動作方法 - 特許庁 - The USB memory device 100 includes a NAND type flash memory 130 for storing data for users, and an OTP memory 140.
ＵＳＢメモリデバイス１００は、ユーザ用データを格納するためのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３０と、ＯＴＰメモリ１４０とを備える。 - 特許庁 - Consequently, a shared memory 5 is arranged at a program reading area where a flash memory 6 is usually arranged on the memory map of a CPU 4.
その結果、ＣＰＵ４のメモリマップ上、通常時はフラッシュメモリ６が配置されるプログラム読出しエリアに共有メモリ５が配置される。 - 特許庁 - To efficiently store data and backup data using a memory while improving the memory corruption resistance of a NAND flash memory.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの耐メモリ破壊性を向上させるとともに、効率的にメモリを使用したデータ及びバックアップデータの保存を行う。 - 特許庁 - To provide a memory controller, a memory system and a memory control method suitable for storing data whose rewrite frequency is high and data whose rewrite frequency is low in a flash memory and a nonvolatile memory whose random access is possible.
書き換え頻度が高いデータと低いデータをフラッシュメモリとランダムアクセスが可能な不揮発性メモリとに保存するときに好適なメモリコントローラ、メモリシステム及びメモリ制御方法の提供。 - 特許庁 - This semiconductor memory has a standard bus 1, a plurality of flash memories 4, a light buffer memory 5 for temporarily holding data, and a processor 2.
標準バス１、複数個のフラッシュメモリ４、データを一時保持するためのライトバッファメモリ５、プロセッサ２を有する。 - 特許庁 - Then a product program 4 is transferred from USB memory 3 to the flash memory 12 through the USB I/F 25.
そして、ＵＳＢ Ｉ／Ｆ２５を介して製品プログラム４をＵＳＢメモリ３からフラッシュメモリ１２に転送する。 - 特許庁 - To provide a flash memory device that is used as a bootup memory in a computer system, and its data-read method.
コンピュータシステム内でブートアップメモリとして使用されるフラッシュメモリ装置及びそのデータ読出し方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a memory maintenance device which executes maintenance processing of a flash memory without hindering execution of each task.
フラッシュメモリの保守処理を各タスクの実行に支障が出ないように実行するメモリ保守装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a NAND flash memory capable of suppressing the expansion of a distribution width of a threshold voltage of a memory cell.
メモリセルの閾値電圧の分布幅の拡大を抑制することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a NAND type flash memory capable of more suppressing a memory cell transistor from being erroneously written in.
メモリセルトランジスタへの誤書き込みをより抑制することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device of an NAND flash memory, which suppresses an increase in an occupied area.
占有面積の増大を抑制したＮＡＮＤ型フラッシュメモリの不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To reduce dependency of threshold voltage of a memory cell of an AG_AND type flash memory for a place in an array.
ＡＧ＿ＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリセルのしきい値電圧のアレイ内場所に対する依存性を低減する。 - 特許庁 - A DMA control circuit 4 controls DMA transfer between a flash memory 8 and a main memory 1a or 1b.
ＤＭＡ制御回路４は、フラッシュメモリ８と主メモリ１ａまたは１ｂとの間のＤＭＡ転送を制御する。 - 特許庁 - To provide a NAND flash memory capable of improving a reliability of data stored in a memory cell.
メモリセルに記憶されたデータの信頼性を向上することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - A flash memory 61 in which a control program is stored and an image memory 62 are arranged on the extended substrate 80a.
増設基板８０ａには、制御プログラムが格納されたフラッシュメモリ６１と、画像メモリ６２とが配置される。 - 特許庁 - To provide a flash memory whose constitution can be changed to a constitution corresponding to a plurality of kinds of common memory circuit.
共通のメモリ回路で複数の品種に対応した構成に変更可能なフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a technique for stabilizing operation velocity of a memory cell of a semiconductor device having a flash memory.
フラッシュメモリを有する半導体装置のメモリセルの動作速度を安定させることのできる技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a memory controller capable of more quickly performing a series of data writing processing in a flash memory.
フラッシュメモリに対する一連のデータ書き込み処理をより高速に行うことができるメモリコントローラを提供する。 - 特許庁 - An on-demand server system includes a memory controller for adjusting access to a memory device of one or more of flash bases.
オンデマンド・サーバ・システムは、１つ以上のフラッシュ・ベースのメモリ・デバイスへのアクセスを調整するメモリ・コントローラを含む。 - 特許庁 - On the main surface of a semiconductor substrate 1, a plurality of nonvolatile memory cells constituting a flash memory is formed.
半導体基板１の主面上にはフラッシュメモリを構成する複数の不揮発性メモリセルが形成されている。 - 特許庁 - A flash memory erasure task checks the memory card of a recording medium for a task under accessing (S12).
フラッシュメモリ消去タスクは記録媒体のメモリカードに対し、アクセスしているタスクがあるか否かをチェックする（Ｓ１２）。 - 特許庁 - To provide a flash card presenting the effect of memory enhancement similarly to the case of being flashed by others even when a flash card utilizer himself/herself looks at the flash card flashed by himself/herself.
フラッシュカード実施者自身が自分でフラッシュしたフラッシュカードを見ても、他人にフラッシュしてもらうのと同様の記憶増進の効果を奏するフラッシュカードを提供する。 - 特許庁 - The flash memory controller includes a write-while-reading unit 144, 146 for writing to one of the flash macros while simultaneously reading from another of the flash macros.
フラッシュメモリコントローラは、フラッシュマクロの一つへ、同時にフラッシュマクロの他の一つから読出している間に、書込むための読出し間書込みユニット１４４，１４６を含む。 - 特許庁 - A control program 22 accesses to the flash memory 27 by using one of code sets prepared, and when it does not receive a response from the flash memory 27 in a fixed period of time, it accesses again to the flash memory 27 by using the next code set (Sequence 1 and 2).
制御プログラム２２は、用意してあるコードセットのうちの１つを用いてフラッシュメモリ２７にアクセスし、一定時間の間にフラッシュメモリ２７からの応答が得られなかった場合、次のコードセットを用いて再度フラッシュメモリ２７にアクセスする（シーケンス▲１▼、▲２▼）。 - 特許庁 - The flash memory system includes a plurality of control units which independently control a plurality of channel units each including at least two flash memory chips, wherein a control unit of each channel programs page data in connected flash memory chips by an interleave system.
それぞれが少なくとも２個のフラッシュメモリチップを具備する複数個のチャンネル部を独立的に制御する複数個の制御部を備え、各チャンネル部の制御部は、連結されたフラッシュメモリチップにページデータをインターリーブ方式でプログラムするフラッシュメモリシステムである。 - 特許庁
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