「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 18 19 20 21 22 23 24 25 26 .... 88 89 次へ＞- NAND FLASH MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND METHOD FOR DRIVING THE SAME
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子、その製造方法およびその駆動方法 - 特許庁 - SYSTEM FOR MANAGING DATA OF FLASH MEMORY AND RECORDING MEDIUM WITH ITS PROGRAM RECORDED
フラッシュメモリのデータ管理方式およびそのプログラムを記録した記録媒体 - 特許庁 - A data storage area 32b of the flash memory 32 is access-locked.
フラッシュメモリ３２のデータ記憶領域３２ｂにはアクセスロックがかけられている。 - 特許庁 - In a step 130, the corrected respiratory signal is stored in a flash memory 55.
ステップ１３０では、補正した呼吸信号をフラッシュメモリ５５に記憶する。 - 特許庁 - To effectively use a flash memory, while increasing data rewriting frequency.
データ書き換え回数を増加させると共に、フラッシュメモリを有効活用する。 - 特許庁 - To provide a flash memory device allowing electrical erasure and programming.
電気的に消去及びプログラムが可能であるフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - PROGRAMMING FOR FLASH MEMORY ANALOG STORAGE DEVICE USING COARSE AND FINE SEQUENCE
コアースアンドファイン・シーケンスを使用したフラッシュ・メモリ・アナログ記憶装置のプログラミング - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE HAVING BAR RESISTANCE MEASURING PATTERN AND METHOD FOR FORMING SAME
バー抵抗測定パターンを有するフラッシュメモリ素子およびその形成方法 - 特許庁 - CONTROL DEVICE FOR READING AND WRITING DATA FROM AND TO FLASH MEMORY
フラッシュメモリに対してデータの読み出しおよび書き込みを行う制御装置 - 特許庁 - FLASH MEMORY SYSTEM CAPABLE OF INPUTTING/OUTPUTTING SECTOR-BY-SECTOR DATA AT RANDOM
データをセクタ単位にランダムに入出力することができるフラッシュメモリシステム - 特許庁 - To provide a portable telephone which comprises a flash memory having sector data structure.
セクタデータ構造を有するフラッシュメモリを備えた携帯電話を提供する。 - 特許庁 - To shorten a time elapsed until a NAND flash memory is usable.
ＮＡＮＤフラッシュメモリが使用できるようになるまでの時間を短縮する。 - 特許庁 - An HDD 1 has a flash memory device 25.
本発明の一形態において、ＨＤＤ１は、フラッシュ・メモリ装置２５を有する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY IN WHICH PROGRAM DISTURBANCE BY PARTIAL PROGRAM IS PREVENTED
部分プログラムによるプログラムディスターブを防止することができるフラッシュメモリ装置 - 特許庁 - To minimize the time required for each access from a flash memory.
フラッシュメモリからのそれぞれのアクセスに要求される時間を最小化する。 - 特許庁 - DELETING METHOD FOR FLASH MEMORY DEVICE AND SUBSTRATE VOLTAGE SUPPLY CIRCUIT FOR RECOVERY
フラッシュメモリ装置の消去方法及びリカバリ用基板電圧供給回路 - 特許庁 - A boot flash memory control circuit 303 is arranged in an interface IC302.
インターフェースＩＣ３０２にブートブロックフラッシュメモリ制御回路３０３を設ける。 - 特許庁 - The microcomputer includes one semiconductor chip provided with a CPU and the flash memory.
マイクロコンピュータはＣＰＵとフラッシュメモリを１個の半導体チップに備える。 - 特許庁 - The read module 20 performs write processing of the transferred data into a flash memory.
読取モジュール２０は、転送されたデータをフラッシュメモリへ書き込み処理する。 - 特許庁 - MOBILE COMMUNICATION DEVICE HAVING INTEGRATED EMBEDDED FLASH AND SRAM MEMORY
集積化埋込型フラッシュ及びＳＲＡＭメモリを有する移動通信装置 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a flash memory cell having a split-gate structure.
分離ゲート構造を有するフラッシュメモリセルの製造方法を提供する - 特許庁 - To provide a split-gate type flash memory element and a method of manufacturing the same.
スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The technique is applicable to an apparatus having a NOR flash memory.
本発明は、NOR型のフラッシュメモリを有する装置に適用することができる。 - 特許庁 - To increase a degree of freedom in setting the size of the erased block of a flash memory.
フラッシュメモリにおいて、消去ブロックサイズ設定の自由度を大きくする。 - 特許庁 - To provide a method of measuring threshold voltage for NAND flash memory device.
ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のしきい電圧測定方法を提供すること。 - 特許庁 - When writing data, an address is transferred as the 2-Gbit flash memory.
データ書き込み時には、２Ｇｂｉｔのフラッシュメモリとしてアドレスが転送される。 - 特許庁 - To reduce a cell area in a flash memory device of a single gate structure.
単層ゲート構造のフラッシュメモリ装置において、セル面積を縮小する。 - 特許庁 - SILICON THIN FILM, SILICON MONOCRYSTAL PARTICLE ASSEMBLAGE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND FLASH MEMORY CELL
シリコン薄膜、シリコン単結晶粒子群、半導体装置、及び、フラッシュメモリセル - 特許庁 - The user data are written in the region of the flash memory corresponding to the address.
このアドレスに対応したフラッシュメモリの領域にユーザデータが書き込まれる。 - 特許庁 - The application software requests NAND flash memory access with a specified page size.
アプリケーションソフトは、特定のページサイズで、ＮＡＮＤフラッシュアクセスを要求する。 - 特許庁 - PROCESS FOR ETCHING TUNGSTEN SILICIDE ON POLYSILICON PARTICULARLY IN FLASH MEMORY
特にフラッシュメモリにおいてポリシリコンの上にある珪化タングステンをエッチングするプロセス - 特許庁 - This invention includes a flash memory part 100 and a bad block management part 200.
本発明はフラッシュメモリ部１００とバッドブロック管理部２００とを含む。 - 特許庁 - ... is a USB based flash memory drive and works just like a hard drive.
...はUSBベースのフラッシュメモリドライブであり、ハードドライブとまったく同様に動作する。 - コンピューター用語辞典 - WINDOW-BASED FLASH MEMORY STORAGE SYSTEM, AND ITS MANAGING METHOD AND ACCESS METHOD
ウィンドウベース・フラッシュメモリー記憶システムとその管理方法ならびにアクセス方法 - 特許庁 - DETERMINATION METHOD OF FLASH MEMORY IN PRINTER, PROGRAM ALLOWING COMPUTER TO EXECUTE METHOD, RECORDING MEDIUM RECORDING PROGRAM AND PRINTER EQUIPPED WITH FLASH MEMORY
プリンタにおけるフラッシュメモリの判定方法、この方法をコンピュータに実行させるプログラム、このプログラムを記録した記録媒体、フラッシュメモリを備えるプリンタ - 特許庁 - To provide a flash memory system for suppressing the deterioration of a flash memory when using an error correction code whose error correcting capability is high.
誤りの訂正能力が高い誤り訂正符号を用いた場合に、フラッシュメモリの劣化を抑制することができるフラッシュメモリシステムを提供する。 - 特許庁 - The device comprises a flash memory 15 and an SDRAM 14 higher in information writing and reading speed than the flash memory as caches to a hard disk 13.
ハードディスク（１３）に対して、フラッシュメモリ（１５）と、それより情報の書き込み及び読み出し速度が速いＳＤＲＡＭ（１４）とをキャッシュとして備える。 - 特許庁 - Each time the number of writing times exceeds 1000N (N=1, 2, 3,...) times, data of the number of writing times representing the number of times of writing data in the flash memory 21 is recorded in the flash memory 21.
書込み回数が１０００Ｎ（Ｎ＝１，２，３，．．．）回を超える毎に、フラッシュメモリ２１へのデータ書込み回数を表す書込み回数データがフラッシュメモリ２１に記録される。 - 特許庁 - To make it compatible with a flash memory on which a conventional error correcting circuit is not mounted by automatically performing error correcting processing inside of a flash memory.
フラッシュメモリの内部で自動的に誤り訂正処理を行わせ、従来の誤り訂正回路を搭載しないフラッシュメモリと互換性を持たせる。 - 特許庁 - To provide a data storing method for a flash memory by which the efficiency of processing of writing data in a flash memory can be improved and a long life can be achieved.
フラッシュメモリへのデータ書き込み処理の効率向上と共に、長寿命化を図ることのできるフラッシュメモリへのデータ記憶方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an NOR-interface flash memory device and an access method concerned in order to allow random access to data by increasing a data access rate of a flash memory.
フラッシュメモリのデータアクセス速度を上げ、データのランダムアクセスを可能にするために、ＮＯＲインターフェイスフラッシュメモリ装置及び関連アクセス方法を提供する。 - 特許庁 - That is, the second flash memory 70 is suitable for storing data having a higher frequency in update than data stored in the first flash memory 60.
すなわち、第２フラッシュメモリ７０、第１フラッシュメモリ６０に格納されるデータと比較して更新頻度の高いデータを格納することに適している。 - 特許庁 - To provide a NAND-type flash memory for suppressing variations in a threshold of a selection transistor in a write operation of the NAND-type flash memory.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み動作において、選択トランジスタの閾値の変動を抑制することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing an increase in the fraction defective of a flash memory, when the flash memory and other semiconductor devices are mounted mixedly.
フラッシュメモリと他の半導体素子が混載される場合に、フラッシュメモリの不良率が上がることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a NAND type flash memory wherein an error is hard to occur without adding dedicated hardware in an apparatus including the NAND type flash memory.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備えた機器において、専用ハードウェアを追加することなく、エラーの起こりにくいＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - The wait state specifies such the number of cycles of a flash memory bus that a flash memory access unit has to wait until a retrieval of data by a read-out operation.
待機状態は、フラッシュメモリアクセスユニットが読出し動作によるデータの検索まで待機しなければならないような、フラッシュメモリバスの周期の数を指定する。 - 特許庁 - To provide a NAND flash memory having a descending-order read command, while employing the basic specification of a NAND flash memory interface.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリインターフェースの基本仕様をそのまま踏襲しつつ降順読み出しコマンドに対応したＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - Thereby, a large-block flash memory can be used by using a control method of a small-block flash memory and data storage efficiency can be enhanced.
これにより、小ブロックフラッシュメモリの制御方式を用いて大ブロックフラッシュメモリを使用することができてデータ貯蔵効率を高めることができる。 - 特許庁 - The system uses the identical flash memory by sharing a storage method for data with the dictionary device and another computer and by rewriting the flash memory in a common method.
電子辞書装置と他のコンピュータとでデータの格納方法を共通化し共通の方法でフラッシュメモリを書き換えて同一のフラッシュメモリを使用する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY, FLASH MEMORY REWRITING FREQUENCY STORING METHOD AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM RECORDED WITH PROGRAM MAKING COMPUTER EXECUTE THE METHOD
フラッシュメモリ、フラッシュメモリ書き換え回数記憶方法およびその方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
- Copyright (C) 1994- Nichigai Associates, Inc., All rights reserved.
