「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 .... 88 89 次へ＞- LOW-VOLTAGE PROGRAMMABLE ERASE/WRITABLE FLASH MEMORY
低電圧プログラム可能−消去書込み可能型フラッシュＥＥＰＲＯＭ - 特許庁 - To provide a test method for shortening a test time of a flash memory.
フラッシュメモリの試験時間を短縮する試験方法を提案する。 - 特許庁 - METHOD FOR READING NAND FLASH MEMORY ELEMENT USING SELF-BOOSTING
セルフブースティングを用いるＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の読み出し方法 - 特許庁 - IMPROVED METHOD FOR CORRELATION WITH FLASH MEMORY COMPATIBLE ELECTRONIC DEVICE
改良されたフラッシュメモリ互換性の電子デバイスと相関する方法 - 特許庁 - STORING IN USB (FLASH) MEMORY OF PAST QUESTIONS FOR NATIONAL EXAMINATIONS
国家試験対策に向けた、過去の問題のＵＳＢ（フラッシュ）メモリー化。 - 特許庁 - FLASH CACHE MEMORY DEVICE HAVING ROW DECODING CIRCUIT OF SMALL OCCUPANCY AREA
小占有面積の行デコーディング回路を有するフラッシュメモリ装置 - 特許庁 - To provide an AND floating gate flash memory having scalability.
スケーラビリティを有するＡＮＤ型フローティングゲートフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory having an excellent utilization rate and long durable hours.
利用率が良く、耐用時間の長いフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - An operation program 8a in the flash memory 8 is used for this processing.
これにはフラッシュメモリ８内の運用プログラム８ａを使用する。 - 特許庁 - PAGE BUFFER OF FLASH MEMORY DEVICE AND DATA PROGRAM METHOD USING THE SAME
フラッシュメモリ装置のページバッファ及びこれを用いたデータプログラム方法 - 特許庁 - METHOD FOR SALICIDING SOURCE LINE IN FLASH MEMORY HAVING STI
ＳＴＩを有するフラッシュメモリ内にソースラインをサリサイド化する方法 - 特許庁 - To extend the product life of a flash memory by standardizing the number of times of rewrite of a flash memory even to a read-only file.
リードオンリーファイルに対してもフラッシュメモリの書換回数の平準化を行うことにより、フラッシュメモリの製品寿命を延長する。 - 特許庁 - A data processing device 1 includes a flash memory 20, a RAM 30, and a controller 10 that can access the flash memory 20 and the RAM 30.
データ処理装置１は、フラッシュメモリ２０と、ＲＡＭ３０と、フラッシュメモリ２０及びＲＡＭ３０にアクセス可能なコントローラ１０とを備える。 - 特許庁 - A mobile communication device includes a wait state memory register 138 for flash bus wait states that is used in using different portions of a flash memory array.
フラッシュメモリ列の異なる部分を用いて使用するためのフラッシュバス待機状態のための待機状態メモリレジスタ１３８を持つ。 - 特許庁 - A flash memory rewriting device is provided with plural blocks having a CPU, a flash memory for the CPU, and SIO.
フラッシュメモリ書き換え装置は、ＣＰＵと該ＣＰＵに対して設けられたフラッシュメモリおよびＳＩＯとを有してなるブロックを複数備えている。 - 特許庁 - To provide a word line decoder in a NAND type flash memory in which negative voltage can be applied to the word line of a flash memory cell.
フラッシュメモリセルのワードラインに負の電圧を印加することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリのワードラインデコーダを提供すること。 - 特許庁 - Initialization of the flash memory is effected by opening a communications channel between the host system and an embedded flash memory subsystem controller 49.
フラッシュメモリの初期化は、ホストシステムと組込みフラッシュメモリサブシステムコントローラ４９の間の通信チャネルを開くことによって実施される。 - 特許庁 - To provide a register forming method of a flash memory element for forming a register by the flash memory element applying SAFG process.
ＳＡＦＧ工程を適用したフラッシュメモリ素子でレジスタを形成するためのフラッシュメモリ素子のレジスタ形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To miniaturize a substrate and to reduce the cost by enabling measurement data to be written in a flash memory by using one flash memory.
一つのフラッシュメモリを用いて計測データをフラッシュメモリへ書込み可能とすることにより、基板の小型化及びコスト低減を図ること。 - 特許庁 - MEMORY REWRITING CONTROL SYSTEM FOR FLASH MEMORY, MEMORY REWRITING CONTROL METHOD, AND PROGRAM ALLOWING EXECUTION OF EACH PROCESS OF MEMORY REWRITING CONTROL METHOD
フラッシュメモリのメモリ書き換え制御システム、メモリ書き換え制御方法及びメモリ書き換え制御方法の各工程を実行させるプログラム - 特許庁 - The memory controller is provided with an access control means controlling access to the flash memory and a signal output means outputting a writing data signal for diagnosing the operation of the flash memory or the quality of the block to a data bus of the flash memory.
フラッシュメモリに対するアクセスを制御するアクセス制御手段と、フラッシュメモリのデータバスに、フラッシュメモリの動作若しくはブロックの良否を診断するための書込みデータ信号を出力する信号出力手段を備える。 - 特許庁 - The memory control unit selectively performs either first write processing for writing data into a flash memory of the SSD or second write processing for writing data into the flash memory after deleting unnecessary data recorded in the flash memory.
メモリ制御部は、ＳＳＤのフラッシュメモリにデータを書き込む第１の書き込み処理と、フラッシュメモリに記録された不要データを消去した後にフラッシュメモリにデータを書き込む第２の書き込み処理の一方を選択的に行う。 - 特許庁 - To provide a controller with a flash memory and a method of writing data to the flash memory which can enhance the writing efficiency of a CPU built-in type flash memory without using a memory region for writing management.
メモリ領域を書込管理のために使用することなく、ＣＰＵ内蔵型のフラッシュメモリの書込みの効率化を図ることができる、フラッシュメモリを備えた制御装置及びフラッシュメモリへのデータ書込み方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of controlling flash memory access in a memory system configured to use concurrent operation in different flash memory arrays and allowing performance to be easily changed in systems supporting concurrent flash operations in different flash arrays.
異なるフラッシュメモリアレイでの同時オペレーションを使用するように構成されたメモリシステムで、フラッシュメモリアクセスを制御し、異なるフラッシュアレイでの同時フラッシュオペレーションをサポートするシステムで、性能を簡単に変更できるようにする方法を提供する。 - 特許庁 - This evaluation device of a non-volatile semiconductor memory provided with a group of flash memory cells in series connection, comprises plural flash memory cells (101-104), and the gate (100C) of each flash memory cell is commonly connected respectively, and the source or drain of the flash memory cell is connected to the source or drain of an adjacent flash memory cell.
複数のフラッシュメモリセル（１０１〜１０４）からなり、各フラッシュメモリセルのゲート（１００Ｃ）がそれぞれ共通に接続され、且つ、或るフラッシュメモリセルが有するソースまたはドレインと、当該或るフラッシュメモリセルと隣接するフラッシュメモリセルが有するソースまたはドレインとが互いに接続された直列接続のフラッシュメモリセル群を備えた、不揮発性半導体記憶装置の評価装置である。 - 特許庁 - To perform reading and writing of many kinds of flash memory cards in a memory card reader.
メモリカード読取装置において、多種類のフラッシュメモリカードの読み取り及び書き込みを行なう。 - 特許庁 - An SD memory card 10 incorporates an RF circuit 20, a controller LSI 21 and a flash memory 22.
ＳＤメモリカード１０にはＲＦ回路２０、コントローラＬＳＩ２１、フラッシュメモリ２２が内蔵されている。 - 特許庁 - To provide a memory card reading apparatus that reads and writes information to/from plural kinds of flash memory cards.
メモリカード読取装置において、複数種類のフラッシュメモリカードの読み取り及び書き込みを行なう。 - 特許庁 - INCREASING MEMORY PERFORMANCE IN FLASH MEMORY DEVICE BY SIMULTANEOUSLY WRITING SECTORS TO MULTIPLE DEVICES
複数のデバイスへ同時書き込み操作を行うことにより高まるフラッシュメモリデバイスにおけるメモリ性能 - 特許庁 - The flash memory module 8 is comprised of a power source circuit 9 and the memory sections 10_1 to 10_N.
フラッシュメモリモジュール８は、電源回路９、およびメモリ部１０_1 〜１０_N から構成されている。 - 特許庁 - To enhance use efficiency of a memory capacity in the flash memory of an electronic controller for automobile.
自動車用電子制御装置のフラッシュメモリにおいて、メモリ容量の使用効率を高める。 - 特許庁 - The flash memory cell array 101 has two or more memory elements having control gates and floating gates.
フラッシュメモリセルアレイ１０１は、制御ゲート及び浮遊ゲートを有する記憶素子を複数備える。 - 特許庁 - To considerably shorten an evaluation time for a nonvolatile semiconductor memory such as a NAND flash memory.
ＮＡＮＤフラッシュメモリ等の不揮発性半導体メモリの評価時間を大幅に短縮する。 - 特許庁 - Disclosed is error correction of a NAND flash memory including a system for retrieving data from a memory.
メモリからデータを検索するためのシステムを含むＮＡＮＤフラッシュ・メモリにおけるエラー訂正。 - 特許庁 - Subsequently, a memory information is written on the memory cell of the flash ROM in a probe inspection process.
続いて、プローブ検査工程においてフラッシュＲＯＭのメモリセルに記憶情報を書き込む。 - 特許庁 - To increase the operating speed of a microcomputer device having a flash memory and a random access memory.
フラッシュメモリとランダムアクセスメモリを有するマイクロコントローラ装置において、動作速度を高速化すること。 - 特許庁 - MEMORY-CELL STRUCTURE OF NON-VOLATILE FLASH MEMORY WITH SLIT TYPE GATE ELECTRODE AND ITS OPERATING METHOD
スリット式ゲート電極を有する不揮発性フラッシュメモリの記憶セル構造及びその操作方法 - 特許庁 - This flash memory device includes a memory cell 100 and a voltage adjustment circuit 200.
本発明に従うフラッシュメモリ装置は、メモリセル１００と電圧調節回路２００とを含む。 - 特許庁 - The flash memory device includes a memory cell array, a precharge voltage generator, and a plurality of page buffers.
フラッシュメモリ装置は、メモリセルアレイと、プリチャージ電圧発生器と、複数のページバッファとを備えてなる。 - 特許庁 - The shared memory device may be EEPROM or a serial flash memory device, for example.
共有メモリ・デバイスは、例えば、ＥＥＰＲＯＭまたはシリアル・フラッシュ・メモリ・デバイスであることが可能である。 - 特許庁 - To provide a method of remapping a flash memory which extends the life of the flash memory by evenly using the entire area of the flash memory, to minimize the number of times the flash memory is accessed in order to process user's data recording requisition and to provide a quick response to a user.
フラッシュメモリのあらゆる領域を均一に使用可能にして、フラッシュメモリの寿命を延長できるフラッシュメモリのリマッピング方法を提供するとともに、ユーザーのデータ記録要請を処理するためのフラッシュメモリへの接近回数を最小化してユーザーに速い応答を提供する。 - 特許庁 - Depending on the state of a nonvolatile latch 7, a rewrite program in the second area of a flash memory 2 is copied to an SRAM 3 and rewriting of the flash memory 2 is started or a rewrite program in the third area of the flash memory 2 is copied to the SRAM 3 and rewriting of the flash memory 2 is started.
不揮発性ラッチ７の状態により、フラッシュメモリ２の第２領域の書換プログラムをＳＲＡＭ３へコピーしてフラッシュメモリ２の書き換えを開始するか、フラッシュメモリ２の第３領域の書換プログラムをＳＲＡＭ３へコピーしてフラッシュメモリ２の書き換えを開始するかを切り換える。 - 特許庁 - On a memory card including a flash memory which includes a data storage area and a control section and a controller which executes data recording and reading control for the flash memory, a controller ID (CID) read by the controller and a flash ID (FID) read by the controller of the flash memory are recorded.
データ記憶領域と制御部を有するフラッシュメモリ部と、フラッシュメモリ部に対するデータ記録と読み出し制御を実行するコントローラ部を有するメモリカードにコントローラ部が読み出すコントローラＩＤ（ＣＩＤ）と、フラッシュメモリ部の制御部が読み出すフラッシュＩＤ（ＦＩＤ）を記録する。 - 特許庁 - To provide an image processing apparatus with a function of writing scanned image data to a flash memory of USB connection for relieving a complicated job to transfer data from the flash memory for the purpose of increasing a free capacity when the free capacity of the connected flash memory is deficient in the case that the apparatus is going to write the data to the flash memory.
スキャンした画像データをＵＳＢ接続のフラッシュメモリに書き出す機能を有する画像処理装置において、書き出そうとする時に接続したフラッシュメモリの空き容量が不足しているときに、フラッシュメモリからデータを移動して空容量を増やすための煩雑な作業の軽減。 - 特許庁 - By transferring the data stored in the nonvolatile memory FLASH to the volatile memory SDRAM together with the error code without having to perform an error correction for the data stored in the nonvolatile memory FLASH, transfer time of the data from the nonvolatile memory FLASh to the volatile memory SDRAM is shortened.
不揮発性メモリＦＬＡＳＨに記憶されたデータをエラー訂正することなく、エラー訂正コードとともに揮発性メモリＳＤＲＡＭに転送することで、不揮発性メモリＦＬＡＳＨから揮発性メモリＳＤＲＡＭへのデータの転送時間を短くできる。 - 特許庁 - To improve the controllability of a memory device which is equipped with a volatile memory (for example, SDRAM) and a non-volatile memory (for example, flash memory) from a host by allowing the host to control data transfer between the SDRAM and the flash memory.
本発明は、揮発性メモリ（例えば、SDRAM）と不揮発性メモリ（例えば、フラッシュメモリ）間のデータ転送をホストから制御可能とし、揮発性メモリと不揮発性メモリとを備えたメモリ装置のホストからの制御性を向上する。 - 特許庁 - A USB memory 1 has a flash memory 50, a USBI/F 20, and a main controller 10 controlling read processing and write processing for the flash memory 30.
ＵＳＢメモリ１は、フラッシュメモリ５０と、ＵＳＢＩ／Ｆ２０と、フラッシュメモリ５０に対する読み出し処理及び書き込み処理を制御するメインコントローラ１０とを有する。 - 特許庁 - To provide a memory controller for controlling various models of flash memories having different specifications for command sets and a flash memory system equipped with the memory controller.
本発明は、コマンドセットの仕様が異なる多品種のフラッシュメモリを制御できるメモリコントローラ、及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a flash memory device capable of generating uniform voltage drop by a source line regardless of the number of memory cells to be programmed and a method of programming the flash memory device.
プログラムされるメモリーセルの個数に関係なくソースラインで均一な電圧降下を発生することができるフラッシュメモリー装置及びこの装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁 - The memory block of the flash memory is divided to a plurality of data blocks by a flash memory division setting means, and read and write of data are controlled in the divided data block units.
フラッシュメモリのメモリブロックをフラッシュメモリ分割設定手段により複数のデータブロックに分割し、分割されたデータブロック単位でデータの読み出し、書き込みを制御する。 - 特許庁
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