「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 .... 88 89 次へ＞- The memory controller 110 sets a method of accessing the main flash memory module 121 and the flash memory module 131 for extension according to the detection result.
メモリコントローラ110は更に、この検出結果に応じて、メインフラッシュメモリモジュール121及び拡張用フラッシュメモリモジュール131のアクセス方法を設定する。 - 特許庁 - To maintain a capacity of an entire storage device using a flash memory by compensating for a faulty part of the flash memory by a flash drive or flash modules in the flash drive even when a fault occurs in a flash memory chip at the end of life or the like.
フラッシュメモリを用いた記憶装置において、フラッシュメモリチップ内に寿命が尽きるなど一部分に障害が生じても、障害が生じた分のフラッシュメモリを、フラッシュドライブや、フラッシュドライブ内のフラッシュモジュールで追加することで、記憶装置全体の容量を維持することを可能にする。 - 特許庁 - A memory I/F 34 accesses a flash memory 36 in which a plurality of slots are formed.
メモリＩ／Ｆ３４は、複数のスロットが形成されたフラッシュメモリ３６にアクセスする。 - 特許庁 - DATA STORAGE DEVICE USING FLASH TYPE MEMORY AND DATA MANAGING METHOD FOR THE SAME MEMORY
フラッシュ型メモリを用いたデータ記憶装置及びフラッシュ型メモリのデータ管理方法 - 特許庁 - To extend lifetime of flash memory by reducing an erasure frequency of each memory cell.
メモリセルごとの消去回数を低減することで、フラッシュメモリの寿命を延ばす。 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE FOR REDUCING DEVIATION OF ERASE SPEED OF MEMORY CELL, AND ERASE METHOD THEREOF
メモリセルの消去速度の偏差を減らすフラッシュメモリ装置及びその消去方法 - 特許庁 - To provide a memory controller capable of efficiently creating an address conversion table, a flash memory system equipped with the memory controller, and a control method of the flash memory.
効率的にアドレス変換テーブルを作成することができるメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁 - Each memory block of the flash memory 2 has block erase flags 27-1 to 27-n.
フラッシュメモリ２の各メモリブロックにブロック消去フラグ２７−１〜２７−ｎを備える。 - 特許庁 - To facilitate the management of a storage system using a flash memory as a memory area.
フラッシュメモリを記憶領域として利用するストレージシステムの管理を容易にする。 - 特許庁 - To provide a memory controller that can write accurately data into flash memory.
フラッシュメモリに対して正しくデータを書き込むことができるメモリコントローラを提供する。 - 特許庁 - To provide a control method for a flash memory capable of suppressing time required for verification, and also to provide the memory controller, and a flash memory system equipped with the memory controller.
ベリフィケーションの時間を抑制可能なフラッシュメモリの制御方法、メモリコントローラ及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁 - REDUNDANCY CIRCUIT AND METHOD FOR REPLACING DEFECTIVE MEMORY CELL IN FLASH MEMORY DEVICE
フラッシュメモリ装置における欠陥メモリセルを置換させる冗長回路及び方法 - 特許庁 - To improve generation of a phenomenon that even when a flash memory copied from a mother flash memory is inserted into a socket of a flash memory of a flash file system which prepares the motor flash memory, data cannot be read out because a logical array of data is the same but a physical array is changed.
マザーフラッシュメモリを作成したフラッシュファイルシステムのフラッシュメモリのソケットに、マザーフラッシュメモリをコピーしたフラッシュメモリを差し込んでも、データの論理的な並びは同じでも物理的な並びが変わっているために読み取ることができない現象が生じることを改善する。 - 特許庁 - To make a memory controller be a component of a hybrid memory device having an SDRAM and a flash memory therein.
メモリ・コントローラを、ＳＤＲＡＭとフラッシュ・メモリを内部に有するハイブリッド・メモリ・デバイスの一構成要素とする。 - 特許庁 - To provide a microcomputer with built-in flash memory capable of smoothly rewriting the flash memory while still placing a rewrite program as it is on the flash memory without adding a complicated control circuit.
複雑な制御回路を付加することなく、フラッシュメモリ上に書換えプログラムを置いたまま、支障なくフラッシュメモリの書換を可能とする、フラッシュメモリ内蔵のマイクロコンピュータを得る。 - 特許庁 - To provide a power detection circuit, a flash memory device using it, a power-on read signal generation method of the flash memory device and a stable power-on read method of the flash memory device.
パワー検出回路、これを用いたフラッシュメモリ装置、そのフラッシュメモリ装置のパワーオン読み出し信号発生方法、およびフラッシュメモリ装置の安定的なパワーオン読み出し方法を提供する。 - 特許庁 - A flash memory is referred to by a CFI command (S11), a command set ID for showing the command type of the flash memory is acquired (S12), and the command type of the flash memory is determined based on the acquired command set ID (S13).
フラッシュメモリをCFIコマンドで照会し（Ｓ１１）、フラッシュメモリのコマンドタイプを示すコマンドセットIDを取得し（Ｓ１２）、取得したコマンドセットIDに基づいてフラッシュメモリのコマンドタイプを判定する（Ｓ１３）。 - 特許庁 - To provide a system controller improving the efficiency of access processing to a flash memory, a flash memory system having the system controller, and a method for controlling a flash memory module.
フラッシュメモリに対するアクセス処理の効率も向上させることができるシステムコントローラ、システムコントローラを有するフラッシュメモリシステム、およびフラッシュメモリモジュールの制御方法を提供する。 - 特許庁 - When the flash memory is applied to a system to be easily influenced by a peak current and a page size of the flash memory is large, the flash memory is made to operate in the low consumption current mode.
フラッシュメモリを、ピーク電流の影響を受け易いシステムに適用する場合や、フラッシュメモリのページサイズが大きい場合などにおいては、フラッシュメモリを低消費電流モードで動作させる。 - 特許庁 - To provide a connector for a flash memory card capable of mounting the flash memory card and a chip card in a small space and holding a connection condition of the chip card even when mounting and dismounting the flash memory card.
フラッシュメモリカードおよびチップカードを小さなスペースで装着でき、しかも、フラッシュメモリカードの着脱時にも、チップカードの接続状態を保持できるフラッシュメモリカード用コネクタを提供する。 - 特許庁 - The controller determines an access method for the first flash memory and the second flash memory according to whether the flash memory is inserted into the first socket for memory extension and the second socket for memory extension.
コントローラは、第１のメモリ拡張用ソケット及び第２のメモリ拡張用ソケット内にフラッシュメモリが挿入されているかどうかに応じて第１のフラッシュメモリ及び第２のフラッシュメモリに関して実行すべきアクセス方法を決定する。 - 特許庁 - A storage memory comprises at least one flash unit, and each flash unit comprises a plurality of blocks.
記憶メモリは、少なくとも一つのフラッシュ・ユニットを持ち、各フラッシュ・ユニットは、複数のブロックを持つ。 - 特許庁 - To shorten the cache flash time so that a main memory can perform burst write operation at the time of cache flash.
キャッシュフラッシュ時にメインメモリがバーストライト動作するようにしてキャッシュフラッシュ時間を短縮する。 - 特許庁 - To provide a control method and control device for flash memory, capable of extending the life of a flash memory by shortening the time required for rewrite of data in the flash memory and controlling a rewrite area of the flash memory or an area subjected to electric deleting processing to reduce the deterioration of the flash memory to a minimum area.
フラッシュメモリのデータ書き換えに要する時間を短縮すると共に、フラッシュメモリの書き換えエリア、すなわち電気的消去処理を行うエリアを制御し、フラッシュメモリの劣化を最低限のエリアとすることにより、フラッシュメモリの寿命を延ばすことができるフラッシュメモリ制御方法及び制御装置を提供する。 - 特許庁 - To reduce, in a flash memory system, the number of data transfer operations and data writing operations from a buffer within a memory controller to a flash memory without interfering with access to the flash memory by a host system.
フラッシュメモリシステムにおいて、ホストシステムによるフラッシュメモリへのアクセスに支障を来たさずに、メモリコントローラ内のバッファからフラッシュメモリへのデータ転送動作及びフラッシュメモリへのデータ書込み動作の実行回数を減らす。 - 特許庁 - To realize a general-purpose IC memory card capable of operating a boot block flash memory by an existing host system expecting an even block flash memory.
均等ブロックフラッシュメモリを想定した既存ホストシステムによりブートブロックフラッシュメモリを動作させることができる、汎用性のあるＩＣメモリカードを実現する。 - 特許庁 - The memory controller 110 detects whether the main flash memory module 121 and the flash memory module 131 for extension have single- or double-sided configuration, to obtain a detection result.
メモリコントローラ110は、メインフラッシュメモリモジュール121及び拡張用フラッシュメモリモジュール131が片面であるか両面であるかを検出することにより、検出結果を得る。 - 特許庁 - A controller 3 controls a 2-Gbit flash memory in the memory card 1, and flash memories 2a, 2b each having 1-Gbit memory capacity.
メモリカード１において、コントローラ３は、２Ｇｂｉｔのフラッシュメモリを制御するものであり、フラッシュメモリ２ａ，２ｂは、それぞれ１Ｇｂｉｔのメモリ容量からなる。 - 特許庁 - A memory controller 20 to which a NAND type flash memory is connected includes an address conversion part 24 for converting a logical address into a physical block address of the flash memory.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリが接続されるメモリコントローラ２０には、論理アドレスを、フラッシュメモリの物理ブロックアドレスに変換するアドレス変換部２４を設けている。 - 特許庁 - The memory controller for controlling access to a flash memory 11 comprises address registers 23a and 23b for retaining physical addresses on the flash memory 11.
フラッシュメモリ１１へのアクセスを制御するメモリコントローラに、フラッシュメモリ１１上の物理アドレスを保持させるためのアドレスレジスタ２３ａ，２３ｂを備えている。 - 特許庁 - To provide a device and a method for controlling a flash memory for updating flash memory control information stored in a predetermined volatile memory every time when the type of the flash memory is changed and using the updated control information to control the changed flash memory.
フラッシュメモリを制御する装置および方法に関し、所定の揮発性メモリに格納されたフラッシュメモリの制御情報をフラッシュメモリの種類が変わる毎に更新し、更新された制御情報を用いて変更されたフラッシュメモリを制御するフラッシュメモリを制御する装置および方法を提供する。 - 特許庁 - MANAGING SYSTEM AND MANAGING METHOD FOR STORAGE SYSTEM USING FLASH MEMORY
フラッシュメモリを用いたストレージシステムの管理システム及び管理方法 - 特許庁 - To provide a NAND type flash memory element and its driving method.
ナンド型フラッシュメモリ素子及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁 - MULTI-BIT FLASH MEMORY DEVICE, PROGRAM THEREOF, AND READ METHOD
マルチビットフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム及び読み出し方法 - 特許庁 - PAGE BUFFER OF FLASH MEMORY DEVICE, AND PROGRAMMING METHOD USING THE SAME
フラッシュメモリ装置のページバッファおよびそれを用いたプログラム方法 - 特許庁 - METHOD AND PROGRAM FOR CONTROLLING DATA ACCESS FOR FLASH MEMORY
フラッシュメモリにおけるデータアクセス制御方法、データアクセス制御プログラム - 特許庁 - PAGE BUFFER AND VERIFYING METHOD OF FLASH MEMORY DEVICE USING THE SAME
ページバッファおよびこれを用いたフラッシュメモリ素子の検証方法 - 特許庁 - DATA STORAGE DEVICE INCLUDING FLASH MEMORY AND ITS MERGING METHOD
フラッシュメモリを含んだデータ貯蔵装置及びそれのマージ方法 - 特許庁 - To correctly manage data in data management of flash memory.
フラッシュメモリのデータ管理において、正しくデータを管理すること。 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE HAVING SPLIT STRING SELECTION LINE STRUCTURE
分離されたストリング選択ライン構造を有するフラッシュメモリ装置 - 特許庁 - FLASH MEMORY, ITS WRITING AND ERASING METHOD AND ITS MANUFACTURE
フラッシュメモリ、その書き込み・消去方法、およびその製造方法 - 特許庁 - METHOD AND CIRCUIT FOR READING MULTILEVEL NAND FLASH MEMORY CELL
マルチレベルＮＡＮＤフラッシュメモリセルの読み出し方法及び回路 - 特許庁 - CIRCUIT AND METHOD FOR ERASING OR PREERASING FLASH MEMORY ARRAY
フラッシュメモリアレイを消去又は前消去する回路及び方法 - 特許庁 - A NAND-type flash memory device comprises a plurality of row selectors.
ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は複数の行選択器を含む。 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MERGING DATA STORED IN THE SAME
フラッシュメモリ装置、及び、それに記憶されたデータのマージ方法 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a split gate type flash memory device.
スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A flash memory cell is favorably manufactured within a silicon substrate 20.
フラッシュ・メモリ・セルは好適にシリコン基板２０内に製造される。 - 特許庁 - NAND TYPE FLASH MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリおよびＳＯＩ基板の製造方法 - 特許庁 - CONTROLLER OF SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND FLASH MEMORY STORAGE SYSTEM
半導体記憶装置の制御装置およびフラッシュメモリストレージシステム - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY CELL HAVING SPLIT-GATE STRUCTURE
分離ゲートの構造を有するフラッシュメモリセルを製造する方法 - 特許庁
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