「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
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その決定値が「2」の時、フラッシュメモリ制御部2はデータの書き込み／読み出しを、メモリ部3内の二つのフラッシュメモリ3a及び3bに対してパラレルに実行する。 - 特許庁 - In the fail safe mode, when a defect is detected in verify-operation after data is written in the flash memory, error correction is performed and use of the flash memory is continued.
フェイルセーフモードでは、フラッシュメモリにデータを書き込んだ後のベリファイ動作において不良を検出すると、エラー訂正してフラッシュメモリの使用は継続される。 - 特許庁 - Then the remaining quantity of a flash memory is detected when a release key is depressed and the remaining number for photographing the still image is calculated from the remaining quantity of the flash memory (S6→...→S8).
その後レリーズキーが押下されるとフラッシュメモリの残量が検出され、該残量から静止画像の撮影可能枚数が算出される（Ｓ６→…→Ｓ８）。 - 特許庁 - Thereby, a large-block flash memory can be used by using a control method of a small-block flash memory and data storage efficiency can be enhanced.
これにより、小ブロックフラッシュメモリの制御方式を用いて大ブロックフラッシュメモリを使用することができてデータ貯蔵効率を高めることができる。 - 特許庁 - To provide a microcomputer with built-in flash memory, with which the load of software at the time of write/erasure to a flash memory can be reduced and the development load of software is reduced as well.
フラッシュメモリへの書き込み／消去時におけるソフトウェアの負荷を軽減でき、ソフトウェアの開発負荷も小さいフラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータを得る。 - 特許庁 - FLASH MEMORY REWRITE CONTROL SYSTEM AND METHOD, PROGRAM FOR OPERATING PROCESSE IN FLASH MEMORY REWRITE CONTROL METHOD, AND INFORMATION STORAGE MEDIUM
フラッシュメモリ書き換え制御システム、フラッシュメモリ書き換え制御方法、フラッシュメモリ書き換え制御方法の各工程を実行させるプログラムおよび情報記録媒体 - 特許庁 - To provide a flash memory control device with a short rewrite time by dispensing with the execution of a program after erase processing in the generation of a rewrite in a flash memory part.
フラッシュメモリ部に書き換え発生時イレース処理後、プログラムを実行する必要がなく書き換え時間が短いフラッシュメモリ制御装置を提供する。 - 特許庁 - Besides, a flash memory 6 is a flash ROM (EEPROM) for SD memory card and stores a driver program for operating the radio communication function.
また、フラッシュメモリ６は、ＳＤメモリカード用のフラッシュＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）であり、無線通信機能を動作させるためのドライバプログラムを記憶している。 - 特許庁 - The flash memory rewrite circuit 1 stores in the RAM 12 the data of specified bytes to be rewritten by an instruction for rewrite of the flash memory 14 from the CPU 11.
フラッシュメモリ書き替え回路１は、ＣＰＵ１１からのフラッシュメモリ１４の書き替え命令により、書き替える指定バイトのデータをＲＡＭ１２に保存する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE WHICH CAN PREVENT PROGRAM JUDGEMENT ERROR OF FLASH MEMORY CELL, AND CAN HAVE DISTRIBUTION OF UNIFORM THRESHOLD VOLTAGE, AND ITS PROGRAM VERIFYING METHOD
フラッシュメモリセルのプログラム誤判定を防止し、均一のしきい値電圧の分布を有することができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム検証方法 - 特許庁 - The host system can then effect initialization of the flash memory subsystem, including formatting of the flash memory arrays, loading application programs, and the like, over the communications channel.
次いで、ホストシステムは、フラッシュメモリアレイのフォーマット、アプリケーションプログラムのロードなどのフラッシュメモリサブシステムの初期化を通信チャネルを介して実施することができる。 - 特許庁 - To provide a data management apparatus and method used for a flash memory, which can guarantee response time by expecting it at the time of data operation in the flash memory.
フラッシュメモリでのデータ演算時に応答時間を予測して応答時間を保証できるフラッシュメモリのデータ管理装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a management method of a flash memory wherein the flash memory looks like a readable/writable data storage device relative to an optional location to an OS.
ＯＳにとってフラッシュメモリが任意のロケーションに対する読出および書込が可能なデータ記憶装置に見えるようなフラッシュメモリの管理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory update method wherein an address translation table required for translating a logical address to a physical address so as to obtain uniform erasure/writing to a sector of a flash memory can be omitted.
フラッシュ型メモリのセクタへの消去／書き込みを均一にする場合、アドレスを物理アドレスに変換するためのアドレス変換テーブルが必要である。 - 特許庁 - To easily protect data to be stored in a flash memory by preventing erroneous rewriting of a flash memory and transition to an unintended special mode beforehand.
フラッシュメモリの誤った書換えや意図せぬ特殊モードへの遷移を未然に防止し、フラッシュメモリに格納されるデータの保護を容易に実現できるようにする。 - 特許庁 - To propose a storage device and a data deduplication method which effectively uses a flash memory, while extending the life of the flash memory as a storage medium.
記憶媒体としてのフラッシュメモリの長寿命化を図りながら、フラッシュメモリを有効活用し得るストレージ装置及びデータ重複排除方法を提案する。 - 特許庁 - A memory controller disclosed here is connected to the nonvolatile memory (e.g., a NAND flash memory) and a volatile memory (e.g., a DRAM or SDRAM).
ここに開示されるメモリコントローラは不揮発性メモリ(例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリ)および揮発性メモリ(例えば、ＤＲＡＭまたはＳＤＲＡＭ)に連結されている。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory which comprises a memory cell array comprised of sidewall type memory cells, and is capable of block erasure equal with a flash memory.
サイドウォール型メモリセルで構成されたメモリセルアレイを備え、且つ、フラッシュメモリと同等にブロック消去が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The blood bag (70) is equipped with an information memory medium (91) comprising a radio IC memory, a flash memory, or a memory element with functions similar to those.
ラジオＩＣメモリーまたはフラッシュメモリーまたはこれらと同等の機能を有する記憶素子からなる情報記憶媒体（９１）を装着した血液バッグ（７０）。 - 特許庁 - A flash memory chip and a synchronous dynamic memory chip (an SDRAM chip) are fixed in a parallel state on the main surface of a wiring substrate, and other SDRAM chip is fixed on the flash memory chip.
配線基板の主面にフラッシュメモリチップとシンクロナス・ダイナミックメモリチップ（ＳＤＲＡＭチップ）を並列状態で固定するとともに、前記フラッシュメモリチップ上に他のＳＤＲＡＭチップを固定する。 - 特許庁 - The flash memory module is mounted with a connector 14a to be electrically connected to a bus of a host system, a flash memory 2, and a memory controller 3 on a substrate, so as to be mounted inside the host system.
ホストシステムの持つバスに電気的に接続されるコネクタ１４ａと、フラッシュメモリ２と、メモリコントローラ３とを、基板に搭載し、ホストシステムの内部に実装されるようになっている。 - 特許庁 - To provide a memory controller and a flash memory system therewith capable of enhancing an allowable level to the occurrence of defective blocks without reducing the efficiency for using a flash memory.
フラッシメモリの使用効率を低下させることなく、不良ブロックの発生に対する許容量を向上させることができるメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供する。 - 特許庁 - The memory controller 32 accesses either the master flash memory 33 or the slave flash memory 34 according to information provided by a host system 31 connected thereto via an external bus 36.
メモリコントローラ３２は、外部バス３５を介して接続されているホストシステム３１から供給される情報に従って、マスタ側のフラッシュメモリ３３又はスレーブ側のフラッシュメモリ３４にアクセスする。 - 特許庁 - By such a common interface system, DRAM devices, SRAM devices, NAND flash memory devices, and NOR type flash memory devices are controlled by only one memory controller independently (or individually).
このような共通インターフェイス方式によると、DRAM装置、SRAM装置、NAND型フラッシュメモリ装置、そしてNOR型フラッシュメモリ装置は、ただ一つのメモリコントローラによって独立的に（又は個別的に）制御される。 - 特許庁 - This evaluation system evaluates access frequency to a memory device which is provided with a flash memory in which writing and erasing are performed page by page and block by block basis and a controller which controls the flash memory.
ページ、ブロック単位で書き込み、消去がそれぞれ行われるフラッシュメモリと、フラッシュメモリを制御するコントローラと、を具備する記憶デバイスへのアクセス頻度を評価する評価装置。 - 特許庁 - The memory protection system is configured so that voltage is supplied from the power supply part 40 to the flash memory part 20 while being accessed from the control part 10 to the flash memory part 20 through the bus line 60.
そして、バスライン６０を介して制御部６０からフラッシュメモリ部２０へアクセスされる間に、電源部４０からフラッシュメモリ部２０へ電圧を供給するように構成する。 - 特許庁 - A CPU 24 then reads the G signal from the video frame memory 25 via the video signal processing block 23, separately extracts the flash memory write data and writes them into a flash memory 26.
その後、ＣＰＵ２４が映像信号処理ブロック２３を介して映像用フレームメモリ２５からＧ信号を読み出して、フラッシュメモリ書込みデータを分離抽出してフラッシュメモリ２６に書き込む。 - 特許庁 - To provide a memory controller and a control method which do not stop the operation of a CPU even in the time when writing back to a flash memory is being processed in a device which has a single flash memory.
フラッシュメモリを１個有する装置においてフラッシュメモリへの書き戻し処理中であっても、ＣＰＵの動作をストップさせることがないメモリ制御装置及び制御方法の提供。 - 特許庁 - Before the post-processing test of a flash memory 1 is performed, data of chip codes stored in each flash memory 1, defective block information, etc. are stored in each memory 30 while using pattern data as address data.
フラッシュメモリ１の後工程試験を行う前に、各メモリ３０は、パターンデータをアドレスデータとして用いて、各フラッシュメモリ１に記憶されたチップコード、不良ブロック情報等のデータを記憶する。 - 特許庁 - This electronic equipment with built-in flash memory has an auxiliary nonvolatile memory for recording information of a bus of connecting the flash memory to a control part for controlling it, at prescribed timing.
本発明は、フラッシュメモリを内蔵する電子機器において、フラッシュメモリとそれを制御する制御部とを接続するバスの情報を、所定のタイミングで記録する補助不揮発性メモリを有する。 - 特許庁 - On a semiconductor chip 1 as a unit, a NOR-type flash memory forming area 2, including NOR type memory cell transistors and a DINOR-type flash memory formation area 3 are formed.
１単位の半導体チップ１にＮＯＲ型メモリセルトランジスタを含むＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域２とＤＩＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域３とが作り込まれている。 - 特許庁 - To provide a system controller in which a system controller program does not have to be rewritten when executing a command peculiar to a memory controller, and to provide a flash memory system and the control method of a flash memory module.
メモリコントローラ独自のコマンドを実行させる際に、システムコントローラのプログラムを書き換える必要のないシステムコントローラ、フラッシュメモリシステムおよびフラッシュメモリモジュールの制御方法を提供する。 - 特許庁 - In accessing to the flash memory 11, address data based on a physical address retained in the address register 23a is given to the flash memory 11, and a physical address for next access to the flash memory 1 is set in the address register 23b.
フラッシュメモリ１１にアクセスする際には、アドレスレジスタ２３ａに保持された物理アドレスに基づくアドレスデータがフラッシュメモリ１１に与えられ、アドレスレジスタ２３ｂには、次にフラッシュメモリ１１にアクセスする際の物理アドレスが設定される。 - 特許庁 - Moreover, since the state LED 40 indicates that a flash memory cannot record image data, the image data the flash memory becomes full and the user can easily recognize that the image data of the flash memory are not writable.
さらに、状態ＬＥＤ４０はフラッシュメモリが画像データを記録不可能な状態であることを表示するので、フラッシュメモリの画像データが満杯となり、書き込み不可であることを使用者が容易に認識することができる。 - 特許庁 - When the insertion of a flash memory card in a flash memory card I/F is detected by a CPU 502, the content of the flash memory card is read by the CPU 502 and stored in an SDRAM 505 to renew the content of each set item.
そして、フラッシュメモリカードのフラッシュメモリカードＩ／Ｆ５３３への挿入がＣＰＵ５０２により検出されると、ＣＰＵ５０２によりこのフラッシュメモリカードの内容を読み出し、ＳＤＲＡＭ５０５に記憶して各設定項目の内容を更新させる。 - 特許庁 - When the remaining capacity of the first flash memory FL1 becomes zero, the data storage device 10 writes normal data to the second flash memory FL2 while deleting the ECC data already written to the second flash memory FL2.
また、データ記憶装置１０は、第１フラッシュメモリＦＬ１の残容量がゼロになると、第２フラッシュメモリＦＬ２に対して既に書き込まれたＥＣＣデータを消去しながら、この第２フラッシュメモリＦＬ２にも通常のデータを書き込む。 - 特許庁 - A NAND flash memory controller CN decides an address of a memory block having data to be written for each NAND flash memory based on a error flag stored in NAND flash memories N-1 to N-n (n: natural number).
ＮＡＮＤフラッシュメモリコントローラＣＮは、ＮＡＮＤフラッシュメモリＮ−１〜Ｎ−ｎ（ｎは自然数）が記憶するエラーフラグに基づき、書き込み対象のデータがあるメモリブロックのアドレスを各々のＮＡＮＤフラッシュメモリ毎に決定する。 - 特許庁 - To provide a memory system which can identify pieces of data before and after a flash command and can receive another command after the flash command.
フラッシュコマンド前後のデータを区別可能とし、フラッシュコマンド後他のコマンドを受け付け可能としたメモリシステムを提供する。 - 特許庁 - When a power failure occurs during erasure processing of the flash memory 150, the erasure block management table 43 is referred to, and the data corresponding to the erasure from the flash memory 150 based on the data storage situation are newly evacuated to the flash memory 150 from a cache memory 130.
フラッシュメモリ１５０の消去処理中に停電が起こった場合には、消去ブロック管理テーブル４３を参照し、データ記憶状況に基づいてフラッシュメモリ１５０から消去した分のデータを、キャッシュメモリ１３０からフラッシュメモリ１５０に再度退避させる。 - 特許庁 - The memory module includes the flash memory, the SDRAM, a control circuit for controlling each access of the flash memory and SDRAM, and transferring data stored in the SDRAM to the flash memory according to store instructions from the outside, and a plurality of input/output terminals connected to the control circuit.
フラッシュメモリと、ＳＤＲＡＭと、フラッシュメモリ及びＳＤＲＡＭの夫々のアクセスを制御し、外部からのストア命令に従って、ＳＤＲＡＭに記憶されるデータをフラッシュメモリに転送するための制御回路とそれに結合された複数の入出力端子を含む。 - 特許庁 - To provide a flash memory controller, a flash memory system with the memory controller and a control method for a flash memory, allowing efficient discrimination of corresponding relationship between a logical page and a physical page, or corresponding relationship between a logical sector area and a physical sector area.
論理ページと物理ページとの対応関係又は論理セクタ領域と物理セクタ領域との対応関係を効率的に判別することができるフラッシュメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁 - A computer that executes a disk array constitution program when relocating a file from a hard disk to a flash memory, stores the file in a cache memory instead of immediately writing it to the flash memory when the file size is smaller than the block size of the flash memory.
本発明に係るディスクアレイ構成プログラムを実行するコンピュータは、ファイルをハードディスクからフラッシュメモリに再配置する際に、ファイルサイズがフラッシュメモリのブロックサイズより小さい場合は、ファイルをフラッシュメモリに即座に書き込まずにキャッシュメモリに格納しておく。 - 特許庁 - This portable communication terminal is provided with a flash memory and a cache memory as a memory for storing data, and at the time of preserving data, the data are temporarily preserved in the cache memory, and then the data preserved in the cache memory are rewritten in the flash memory in a stand-by state that any other processing is not performed.
データ格納用のメモリとして、フラッシュメモリ及びキャッシュメモリを備え、データ保存時には、一旦キャッシュメモリにデータを保存した後、他の処理が行われていない待ち受け状態時において、キャシュメモリに保存したデータをフラッシュメモリへ書き移す。 - 特許庁 - A memory mapping circuit 13 makes settings according to the output signal of a microcomputer 11 and mapping information in an EEPROM 14 so that the 2nd program is written to the flash memory 15 and also sets the flash memories 16 and 16 so that after the 2nd program is written to the flash memory 15, the data are written to the flash memory 16.
メモリマッピング回路１３は、マイクロコンピュータ１１の出力信号およびＥＥＰＲＯＭ１４のマッピング情報に基づき、第２のプログラムがフラッシュメモリ１５に書き込まれるように設定し、第２のプログラムがフラッシュメモリ１５に書き込まれた後、データがフラッシュメモリ１６に書き込まれるようにフラッシュメモリ１５，１６を設定する。 - 特許庁 - This device controlling the flash memory includes the flash memory storing its own control information, a first memory storing a programming code for controlling the flash memory, a control part substituting the control information for the programming code to generate a control code for controlling the flash memory, and a transmission/receipt part transmitting the control code.
フラッシュメモリを制御する装置は、自身の制御情報を格納するフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリを制御するためのプログラミングコードを格納する第１メモリと、前記プログラミングコードに前記制御情報を代入することによって、前記フラッシュメモリを制御するための制御コードを生成する制御部と、および前記制御コードを送信する送受信部とを含む。 - 特許庁 - The flash memory storage system comprises a plurality of flash memory devices each having a plurality of flash memories, and a controller having an I/O processing control part for accessing one of the plurality of flash memory devices identified by a destination specified in an I/O request received from an external device.
フラッシュメモリストレージシステムが、複数のフラッシュメモリを備えたフラッシュメモリデバイスを複数個と、複数のフラッシュメモリデバイスのうち、外部装置から受信したＩ／Ｏリクエストで指定のアクセス先から特定されるフラッシュメモリデバイスにアクセスするＩ／Ｏ処理制御部を有するコントローラーとを備える。 - 特許庁 - The flash memory controller 200 includes a controller 210 and an extended apparatus 220.
フラッシュメモリ制御装置２００は、コントローラー２１０と拡張器２２０とからなる。 - 特許庁 - To enable reconfiguration of flash memory without erasing data.
フラッシュメモリの再構成を、データを消去せずに行い、フラッシュメモリの有効化を図る。 - 特許庁 - This invention is applicable, for example, to reading of data from a NAND type flash memory.
本発明は、例えば、NAND型フラッシュメモリからのデータの読み出しに適用できる。 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE HAVING MULTI-PAGE COPYBACK FUNCTIONALITY AND RELATED BLOCK REPLACEMENT METHOD
マルチ−ページコピーバック機能を有するフラッシュメモリー装置及びそのブロック置換方法 - 特許庁
- 特許庁
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