「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
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メインマイコン５は、フラッシュメモリ７に記憶されているプログラムの方が、フラッシュメモリ１０に記憶されているものよりも新しいと判定したとき、フラッシュメモリ７に記憶されているサブマイコン８用のプログラムをサブマイコン８に転送する。 - 特許庁 - To provide a control system, capable of setting correct change data to a flash memory to compensate normal starting and operation of a device by adding a function for reviewing and verifying data written in the flash memory after writing to the flash memory.
フラッシュメモリへ書き込みを行った後に、フラッシュメモリに書き込まれたデータを読み返し、検証する機能を追加することにより、フラッシュメモリに正しい変更データが設定でき、装置が正常に起動、動作することを補償する制御システムを提供する。 - 特許庁 - The console panel 1 has a memory slot, a readout circuit 101 which reads data out of a flash memory 12 inserted into the memory slot, a temperature sensor which measures the temperature of the flash memory, and a control part 107 which stops the readout circuit 101 from accessing the flash memory 120 when the measured temperature exceeds a reference level.
操作パネル１には、メモリスロットと、メモリスロットに挿入されたフラッシュメモリ１２０からデータを読み出す読出回路１０１と、フラッシュメモリの温度を測定する温度センサと、測定温度が基準レベルを超えた時に、フラッシュメモリ１２０への読出回路１０１のアクセスを停止させる制御部１０７と、が配置される。 - 特許庁 - The number of flash memories 14, 14, ... connected to the flash memory controller 12 can be selected according to a necessary storage capacity.
必要な記憶容量に応じて、フラッシュメモリコントローラ１２に接続されるフラッシュメモリモジュール１４、１４、…の個数を選択できる。 - 特許庁 - A flash sequencer block 12 as a second control block controls data exchange operation between the buffer 9 and the flash memory 2.
第２の制御ブロックとしてのフラッシュシーケンサブロック１２は、バッファ９とフラッシュメモリ２との間のデータ交換動作を制御する。 - 特許庁 - In a development support system which performs product development of a user system using the MPU which carries a built-in flash memory, a cache memory corresponding to the memory space of the above built-in flash memory is connected to the emulation module of the above user system and the emulator, and this cache memory executes the function of the built-in flash memory by proxy, and the emulation is performed.
内蔵フラッシュメモリを搭載したＭＰＵを用いたユーザシステムの製品開発を行なう開発支援システムにおいて、前記ユーザシステムと接続するエミュレータのエミュレーションモジュールには、前記内蔵フラッシュメモリのメモリ空間と対応したキャッシュメモリを接続し、このキャッシュメモリが内蔵フラッシュメモリの機能を代行して、エミュレーションを行なう。 - 特許庁 - To provide a flash memory device in which variation in threshold voltage of a flash memory cell can be prevented/minimized while performing a high speed program, its programming method, a memory system including it, and a computer system.
高速プログラムを遂行しながらフラッシュメモリセルのしきい値電圧の変化を防止／最小化できるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法、並びにそれを含むメモリシステム及びコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁 - This purpose is achieved using a plurality of IC memory circuits each of which decodes a part of an address input signal and an output signal from a CAM circuit 15 provided in a flash memory 1 by a decoder 2 and outputs a chip selection signal to the flash memory 1.
デコーダ２によって、アドレス入力信号の一部およびフラッシュメモリ１内のＣＡＭ回路１５からの出力信号をデコードして、フラッシュメモリ１にチップセレクト信号を出力する。 - 特許庁 - Consequently, the 2nd memory part 110 is used in the debugging, and after the debugging, the program is written to the flash memory part 100 to minimize the frequency of writing, thereby prolonging the life of the flash memory part 100.
これにより、デバッグ中は第２メモリ部110を使用し、デバッグ完了後フラッシュメモリ部100へ書き込みを行うことにより、最小限の書き込み回数とすることができ、フラッシュメモリ部100を長寿命化できる。 - 特許庁 - A microcomputer 30 containing a flash memory includes: the CPU 1; the flash memory 2; the memory (RAM)3; an I/O 4; an address decoder 5; an instruction cycle detecting part 6; a counter 7; a register 8 and a comparator 9.
フラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータ３０には、ＣＰＵ１、フラッシュメモリ２、メモリ（ＲＡＭ）３、Ｉ／Ｏ４、アドレスデコーダ５、命令サイクル検出部６、カウンタ７、レジスタ８、及び比較器９が設けられる。 - 特許庁 - A storage control program stored in a flash memory 101 is executed by a CPU 102 so that board unique information stored in the flash memory 101 can be stored in a non-volatile memory 103 in the same way.
フラッシュメモリ１０１に記憶された記憶制御プログラムをＣＰＵ１０２が実行することで同じくフラッシュメモリ１０１に記憶されたボード固有情報を不揮発性メモリに１０３に記憶する。 - 特許庁 - To provide a flash memory capable of copying data at a high speed.
データを高速でコピーすることのできるフラッシュメモリを提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a method and a device, capable of safely and surely rewriting a flash memory rewrite program (boot program) itself being stored in a flash memory, when it is rewritten.
フラッシュメモリに格納したフラッシュメモリ書き換えプログラム（ブートプログラム）自身を書き換えるときに、安全・確実に書き換えることが可能な方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - DATA UPDATING METHOD OF FLASH MEMORY, ITS DATA UPDATING PROGRAM AND DATA WRITE-IN DEVICE
フラッシュメモリのデータ更新方法、そのデータ更新プログラム、およびデータ書込み装置 - 特許庁 - Fail bit map information is examined in order of lower voltage applied to a flash memory.
フェイルビットマップ情報をフラッシュメモリに印可した電圧が小さい順に調べる。 - 特許庁 - In the flash memory control method, it is discriminated whether merge state information shows the merge state of the flash memory or not in response to input of a command.
本発明のフラッシュメモリ制御方法によれば、命令が入力されるとき、マージ状態情報が前記フラッシュメモリのマージ状態を示すか否かが判別される。 - 特許庁 - To provide an evaluation system of access frequency to a prescribed domain of a flash memory.
フラッシュメモリの所定領域に対するアクセス頻度の評価装置を提供する。 - 特許庁 - To realize a flash memory management device capable of speeding up the access to a write management area provided within a flash memory while ensuring the validity of write frequency information.
書き込み回数情報の正当性を確保すると共に、フラッシュメモリ内に設けた書き込み管理領域へのアクセスを高速化したフラッシュメモリ管理装置を実現する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for managing a flash memory, which can extend the life of flash memory.
本発明はフラッシュメモリの管理方法及び装置に関し、フラッシュメモリの寿命を長くすることができるフラッシュメモリの管理方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁 - The NAND type flash memory 3 has the second erasure block size.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３は、前記第２の消去ブロックサイズを有するメモリである。 - 特許庁 - When the disk is not rotated and a flash memory 22 is not filled (38), data is destaged to the flash memory from the DRAM (40), and write request is satisfied using the DRAM (32).
ディスクが回転していない場合で、フラッシュメモリ22が満杯でない場合(38)、DRAMからフラッシュメモリにデータをデステージし(40)、DRAMを使用して書き込み要求を満足させる(32)。 - 特許庁 - A data management table 1 is set for each data which are likely to be rewritten in a flash memory so that it is possible to stack the rewrite data in the flash memory per data kind.
フラッシュメモリ上に書き換えの可能性のあるデータ毎にデータ管理テーブル１を設定することで、データ種別毎に再書き込みデータのフラッシュメモリへのスタックを可能とする。 - 特許庁 - Data within the determined block are then temporarily saved in a flash memory (S13).
そして、この決定したブロック内のデータをフラッシュメモリに一時的に退避する（Ｓ１３）。 - 特許庁 - One or more flash memory modules 14, 14, ... are connected to a flash memory controller 12 for communicating with a host system through a serial interface 16 having only three signal lines.
ホストシステムと通信するフラッシュメモリコントローラ１２に、１個以上のフラッシュメモリモジュール１４、１４、…が、たった３本の信号線をもつシリアルインタフェース１６を介して接続される。 - 特許庁 - To provide a method for forming a dielectric film of a flash memory element by which the reliability of an element is improved by increasing a coupling ratio of a flash memory and improving characteristics of a leakage current.
フラッシュメモリのカップリング比を増加させ、漏洩電流特性を改善して素子の信頼性を改善し得るフラッシュメモリ素子の誘電体膜形成方法を開示する。 - 特許庁 - STORAGE METHOD USING FLASH MEMORY AND RECORDING MEDIUM RECORDING STORAGE CONTROL PROGRAM
フラッシュメモリを用いる記憶方法及び記憶制御プログラムを記録した記録媒体 - 特許庁 - Then, the flash memory is controlled by using the command set stored in the storage device in response to the instruction from a host system using the flash memory as a storage medium.
そして、フラッシュメモリを記憶媒体として利用するホストシステムからの命令に応じて、前記記憶装置に保持されているコマンドセットを用いて前記フラッシュメモリを制御する。 - 特許庁 - To provide a novel structure of a flash memory for enhancing the quality and integration of a prior art flash memory and to provide its fabricating method.
本発明は、従来技術によるフラッシュメモリの品質及び集積度を改善するために新しいフラッシュメモリの構造及び製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - In case an error occurs while writing a current information data part into a page of a current one of the flash memory devices, the current information data part is written into a non-flash memory.
現在の情報データ部分をフラッシュメモリデバイスの現在のものに書き込む間にエラーが生じた場合、現在の情報データ部分は非フラッシュメモリに書き込まれる。 - 特許庁 - A multifunction machine (communication terminal device) comprises a flash memory, a control part, and a display part.
複合機（通信端末装置）は、フラッシュメモリと、制御部と、表示部と、を備える。 - 特許庁 - To provide a flash memory device which can prevent program judgement errors of a flash memory cell and have distribution of uniform threshold voltage and to provide its program verifying method.
フラッシュメモリセルのプログラム誤判定を防止し、均一のしきい値電圧の分布を有することができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム検証方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF FORMING TRANSISTOR OF NAND FLASH MEMORY ELEMENT USING STEP STI PROFILE
ステップＳＴＩプロファイルを用いたＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のトランジスタ形成方法 - 特許庁 - The segmentation calculating part updates the segmentation position data stored in a flash memory of the solid-state imaging apparatus, based on the inputted amount of displacement and overwrites it in the flash memory.
切出演算部は、入力されたズレ量を基に、立体撮像装置のフラッシュメモリに記憶された切出位置データを更新し、それをフラッシュメモリに上書きする。 - 特許庁 - NAND TYPE FLASH MEMORY DEVICE COMPATIBLE WITH SEQUENTIAL ROM INTERFACE, AND CONTROLLER THEREFOR
シーケンシャルＲＯＭインターフェース対応ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーデバイス及びそのコントローラ - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE THAT CAN IMPROVE PROGRAM PERFORMANCE AND ITS PROGRAMMING METHOD
プログラム性能を向上させることができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁 - NAND-TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND STARTING METHOD FOR COMPUTING SYSTEM USING IT
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイス及びこれを利用したコンピューティングシステムの起動方法 - 特許庁 - Further, at least a first NAND flash memory cell is connected to the first bit line portion, and at least a second NAND flash memory cell is connected to the second bit line portion.
少なくとも第一のＮＡＮＤフラッシュメモリセルは第一のビットライン部分に接続され、少なくとも第二のＮＡＮＤフラッシュメモリセルは第二のビットライン部分に接続される。 - 特許庁 - When data for one page are recorded in a flash memory (FM1), and a writing stand-by state is obtained, data for the next page are immediately written in another flash memory (FM2).
フラッシュメモリ（ＦＭ１）に１ページ分のデータを記録して書き込み待ち状態になったとき、直ちに別のフラッシュメモリ（ＦＭ２）に次の１ページ分のデータを書き込みにいく。 - 特許庁 - To provide an improved method for correlation with a flash memory compatible electronic device.
改良されたフラッシュメモリ互換性の電子デバイスと相関する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a multi-bit flash memory device, a program thereof, and a read method.
マルチビットフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム及び読み出し方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a fit-in type flash memory cell structure which reduces manufacturing cost by simultaneously manufacturing a flash memory cell structure and a CMOS device on a substrate, and simplifies a manufacturing process.
基板上にフラッシュメモリセル構造とＣＭＯＳ装置を同時に製作して製造コストを下げ、製造工程を簡素化する嵌入式フラッシュメモリセル構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a CAM cell of flash memory element operating stably even at a low voltage.
低電圧でも安定的に動作するフラッシュメモリ素子のＣＡＭセルを提供する。 - 特許庁 - To provide a data managing method for stacking rewrite data in a flash memory per data kind, and reducing the number of times of data erasing on the flash memory.
データ種別毎に再書き込みデータのフラッシュメモリへのスタックを可能とし、フラッシュメモリ上でのデータの消去回数を減少させるデータ管理方法を提供する。 - 特許庁 - After switching to an array reading mode of the flash memory is ended, the flash memory outputs an interruption signal to a processor through an interruption output terminal B.
フラッシュメモリのアレイ読み出しモードへの切り替えが終了した後、このフラッシュメモリは、割り込み出力端子［Ｂ］を通じてプロセッサに割り込み信号を出力する。 - 特許庁 - WALL OXIDE FILM FORMING METHOD AND ELEMENT ISOLATION FILM FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT
フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及び素子分離膜形成方法 - 特許庁 - To provide a positive charge pumping voltage switching circuit in which a write-in time characteristic of a flash memory can be improved, and a row decoder circuit of a flash memory using it.
フラッシュ・メモリの書き込み時間(Write time)特性を改善し得るポジティブ・チャージ・ポンピング電圧スイッチング回路及びそれを用いたフラッシュ・メモリのローデコーダ回路を提供すること。 - 特許庁 - To provide a multi-channel flash memory system using a plurality of flash memory chips and having an increased overall bandwidth, and a programming method therefor.
複数個のフラッシュメモリチップを使用する多チャンネル（multi-channel）方式のフラッシュメモリシステムで、全体帯域幅を向上させるフラッシュメモリシステム及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁 - The character ROM 195 is provided with a NAND type flash memory 195a, and the image data and all the program are stored in the NAND type flash memory 195a.
キャラクタＲＯＭ１９５には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１９５ａが設けられており、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１９５ａに画像データと全てのプログラムが記憶されている。 - 特許庁 - Furthermore, the CPU specifies the flash memory being the installation destination of the differential package from the package information, and calculates an update processing time in installing the differential package in the flash memory.
更にパッケージ情報から差分パッケージのインストール先となるフラッシュメモリを特定し、差分パッケージを該フラッシュメモリにインストールする際のアップデート処理時間を算出する。 - 特許庁 - To provide a device for accessing a flash memory to obtain a dual-channel flash memory set that increases a transmission band width and obtains data backup capability.
伝送帯域幅を増大させうるとともに、データのバックアップ能力を得ることができるデュアルチャネルフラッシュメモリセットを得るためのフラッシュメモリのアクセス装置を提供する。 - 特許庁
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