「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 24 25 26 27 28 29 30 31 32 .... 88 89 次へ＞- REWRITING SYSTEM FOR FLASH MEMORY AND CONTROLLER AND IMAGE FORMING DEVICE AND PROGRAM UPDATING SYSTEM
フラッシュメモリの書き換え方式、制御装置、画像形成装置及びプログラム更新方式 - 特許庁 - After that, new page data prepared in the RAM 12 is written in the flash memory 14.
その後、ＲＡＭ１２に準備された新たなページデータをフラッシュメモリ１４に書き込む。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory in which a flash ROM in different types are available.
異なるタイプのフラッシュＲＯＭを使用可能な半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a more efficient method for programming data in a nonvolatile flash memory.
不揮発性フラッシュメモリ内のデータをプログラムする、より効率的な方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sensor circuit for a flash memory in which power consumption can drastically be reduced.
パワー消費を大幅に低減することのできるフラッシュメモリのセンサ回路を提供する。 - 特許庁 - A disk camcorder has a disk 9, a CPU 18, a DRAM 19 and a FLASH memory 21.
ディスクカムコーダは、ディスク９、ＣＰＵ１８、ＤＲＡＭ１９、ＦＬＡＳＨメモリ２１を備える。 - 特許庁 - Thereby, stress applied to the flash memory cell is relaxed and rewrite tolerance is improved.
それにより、フラッシュメモリセルに印加されるストレスは緩和され、書き換え耐性は向上する。 - 特許庁 - The key data are preliminarily recorded in a specific area 17 of the flash memory 16.
フラッシュメモリ１６の特定領域１７において鍵データが予め記録されている。 - 特許庁 - To detect the data write failure of a flash memory as degradation previously before its occurrence.
フラッシュメモリがデータ書き込み不能になる前にそれを劣化として事前に検出する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE AND ITS PROGRAM METHOD BY WHICH PROGRAM DISTURBANCE CAN BE DECREASED
プログラムディスターブを減少させることができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁 - In this case, an impurity concentration in the silicon film 13 is set to a concentration suitable for the flash memory.
この場合、シリコン膜１３中の不純物濃度を、フラッシュメモリに適した濃度とする。 - 特許庁 - The information processor 1 includes a flash memory 2, a storing part 3 and a control part 4.
情報処理装置１は、フラッシュメモリ２、記憶部３および制御部４を備えている。 - 特許庁 - The flash memory 22 performs the read operation only if a power supply voltage VDD is supplied.
また、フラッシュメモリ２２は、電源電圧ＶＤＤの供給のみでリード動作を実行する。 - 特許庁 - The application ID and the application name are saved in the correspondence table of the flash memory 104.
そのアプリＩＤとアプリケーション名称とは、フラッシュメモリ１０４の対応テーブルに保存する。 - 特許庁 - To provide a NOR flash memory device for performing a serial sensing operation.
本発明は、シリアルセンシング動作を遂行するＮＯＲフラッシュメモリ装置に関するものである。 - 特許庁 - To increase the processing efficiency of the writing of user data and additional data to a flash memory.
フラッシュメモリにユーザデータと付加データとを書込む際の処理効率を向上させる。 - 特許庁 - The flash memory is able to limit encroachment using the shallow trench isolation.
このフラッシュメモリでは、浅いトレンチアイソレーションを用いてエンクローチメントを制限することができる。 - 特許庁 - Flash memory devices having the same internal structure can configure a parity group.
同一の内部構成を有するフラッシュメモリデバイスでパリティグループを構成することができる。 - 特許庁 - To improve the efficiency of the program operation of the storage subsystem of a flash EEPROM memory base.
フラッシュＥＥＰＲＯＭメモリベースの記憶サブシステムのプログラム動作の効率を向上する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE AND ITS PROGRAMMING METHOD BY WHICH PASS VOLTAGE WINDOW CAN BE IMPROVED
パス電圧ウィンドウを向上させることができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁 - The OSD processing section 93 inputs characters for OSD in the flash memory 99.
ＯＳＤ処理９３では、フラッシュメモリ９９内のＯＳＤ用の文字を入力する。 - 特許庁 - To prevent lengthening of access time even in occurrence of rewrite in a flash memory.
フラッシュメモリに書替えが発生した場合でも、アクセス時間が長くなることを防止する。 - 特許庁 - Schedule information used for a schedule managing function is stored in a flash memory 124.
スケジュール管理機能で用いられる予定表情報は、フラッシュメモリ１２４に記憶されている。 - 特許庁 - To rewrite a control program stored in a flash memory in a safe, convenient and economic manner.
フラッシュメモリに記憶された制御プログラムの書換えを安全、便利かつ経済的にする。 - 特許庁 - The magnetic memory 31 is magnetized in response to input of an operation inhibition signal of an electronic flash circuit.
磁気メモリ３１は、ストロボ回路の動作禁止信号の入力に応答して磁化される。 - 特許庁 - The magnetic memory 31 is demagnetized to release the electronic flash circuit from the operation inhibited state.
磁気メモリ３１を消磁することにより、ストロボ回路の作動禁止状態が解除される。 - 特許庁 - FLASH MEMORY COMPRISING LOCAL SONOS STRUCTURE UTILIZING NOTCH GATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
ノッチゲートを利用したローカルＳＯＮＯＳ構造を有するフラッシュメモリ及びその製造方法 - 特許庁 - To effectively use a flash memory with an error detecting and correcting function contained in a micro-computer.
マイクロコンピュータに内蔵されたエラー検出訂正機能付きフラッシュメモリを有効利用する。 - 特許庁 - To obtain a flash memory in which shortening the time for programming and accurate read-out can be compatible.
プログラムの時間短縮と正確なリードとを両立し得るフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE WITH ENHANCED PREPROGRAM FUNCTION, AND ITS PREPROGRAM OPERATION CONTROL METHOD
向上したプリプログラム機能を有するフラッシュメモリ装置およびそのプリプログラム動作制御方法 - 特許庁 - METHOD FOR SETTING PROGRAMMING START BIAS FOR FLASH MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD USING THE SAME
フラッシュメモリ素子のプログラム開始バイアス設定方法及びこれを用いたプログラム方法 - 特許庁 - To provide a flash memory element which can read out the other sector during programming/erasing.
プログラム／消去中に他のセクタを読み出すことのできるフラッシュメモリ素子を提供すること。 - 特許庁 - To improve the reliability of storage data in a semiconductor storage device such as a flash memory.
フラッシュメモリなどの半導体記憶デバイスにおける記憶データの信頼性を高める。 - 特許庁 - PROGRAM CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR FLASH MEMORY DEVICE HAVING MULTI-LEVEL CELL
マルチ−レベルセルを有するフラッシュメモリ装置のプログラム制御回路及びそのプログラム制御方法 - 特許庁 - Also, adjustment data 41 unique to the camera module 1 is stored in the flash memory 13.
また、フラッシュメモリ１３には、カメラモジュール１に固有の調整データ４１が格納される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device for handling a flash memory as an EEPROM.
フラッシュメモリをＥＥＰＲＯＭのように扱うことができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - The gate electrodes MG, SG and PG of a NAND flash memory include a cobalt silicide film 4.
ＮＡＮＤフラッシュメモリのゲート電極ＭＧ、ＳＧ、ＰＧにコバルトシリサイド膜４を設ける。 - 特許庁 - To restore data, the SDRAM subsystem copies data from the flash memory to the SDRAM.
データを復元するために、ＳＤＲＡＭサブシステムは、データをフラッシュ・メモリからＳＤＲＡＭにコピーする。 - 特許庁 - PROGRAM COUNT CIRCUIT, AND PROGRAM WORD LINE VOLTAGE GENERATING CIRCUIT FOR FLASH MEMORY ELEMENT USING THIS CIRCUIT
プログラムカウント回路及びこれを用いたフラッシュメモリ素子のプログラムワードライン電圧発生回路 - 特許庁 - To safely achieve firmware rewriting even by the use of a microcomputer with a built-in flash memory.
フラッシュメモリ内蔵のマイクロコントローラを使用しても安全にファームウェア書換えを行う。 - 特許庁 - The NAND flash memory includes multiple pages, and each page includes multiple sectors.
ＮＡＮＤフラッシュンメモリーは複数のページを持ち、各々のページは複数のセクターで構成される。 - 特許庁 - To provide a flash memory for restricting writing frequencies and enabling ware levelling.
書き込み回数を制限することができ，ウエアレベリングを可能にするフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - POSITIVE CHARGE PUMPING VOLTAGE SWITCHING CIRCUIT AND ROW DECODER CIRCUIT OF FLASH MEMORY USING IT
ポジティブ・チャージ・ポンピング電圧スイッチング回路及びそれを用いたフラッシュ・メモリのローデコーダ回路 - 特許庁 - To provide an IC card which enables rewriting of flash memory by one byte, in a single step.
１ステップでフラッシュメモリのバイト単位の書き替えを可能とするＩＣカードを提供する。 - 特許庁 - The storage device includes a flash memory, an error correction code (ECC) detector, and a controller.
記憶装置は、フラッシュメモリと、誤り訂正符号（ＥＣＣ）検出器と、コントローラとを含む。 - 特許庁 - When the downloading of all the firmware is finished, the firmware is installed in a flash memory.
ファームウェア全体のダウンロードが完了した場合に、フラッシュメモリーに対してインストールを行う。 - 特許庁 - GATE STRUCTURE OF FLASH MEMORY CELL, METHOD OF FORMING SAME, AND METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM FOR SAME
フラッシュメモリセルのゲート構造とその形成方法及び誘電体膜形成方法 - 特許庁 - Then, the data in a page, other than the specified bytes in the flash memory 14, are sent to the RAM 12.
次に、フラッシュメモリ１４内の指定バイト以外のページのデータをＲＡＭ１２に送る。 - 特許庁 - To provide a method for minimizing performance degradation at an access of a flash memory by using a logical/physical mapping method, a method for efficiently storing and managing information relating to logical/physical mapping in the flash memory, and the flash memory using these methods.
論理・物理マッピング手法を用いてフラッシュメモリのアクセス時に性能低下を最小限に抑える方法、フラッシュメモリに前記論理・物理マッピングに関する情報を効率よく格納し管理する方法及びそれらの方法を用いたフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - In the case where a new data is added to a plurality of the data memorized in a flash memory 185 and is memorized, if the capacity of the flash memory 185 is insufficient, the cryptographic sequrity of the data memorized in the flash memory and the newly memorized data are evaluated.
フラッシュメモリ１８５に記憶されている複数のデータに、新たなデータを追加して記憶させる場合、フラッシュメモリ１８５の容量が足りないとき、フラッシュメモリ１８５に記憶されているデータと、新たに記憶されるデータの暗号学的な安全度が評価される。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
