「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 .... 88 89 次へ＞- When both the programs of control boards 10, 20 are rewritten, the IC card 50 and a flash memory 11 are address-swapped by an address-swapping mechanism 16 after completing the rewriting of the flash memory 11, so that the starting device is changed from the IC card 50 to the flash memory 11.
また、制御板１０および制御板２０の両方のプログラムを書き換える場合、フラッシュメモリ１１の書き換えの完了後、アドレススワップ機構１６によってＩＣカード５０とフラッシュメモリ１１とをアドレススワップすることで、起動デバイスをＩＣカード５０からフラッシュメモリ１１へと変更する。 - 特許庁 - Flash memory devices include at least one flash memory array and an address comparison circuit that is configured to indicate whether an applied row address associated with a first operation (that is. program, erase) is within or outside the unlock area of at least the one flash memory array.
フラッシュメモリ装置は、一つ以上のフラッシュメモリアレイ及び第１動作(すなわち、プログラム、消去)と関連付けて供給される供給アドレスが一つ以上のフラッシュメモリアレイの解除領域の内部にあるか外部にあるかを指示するように構成されたアドレス比較回路を含む。 - 特許庁 - To provide a data erase method of an NAND type flash memory for quickly and completely erasing the data of an NAND type flash memory where data is managed by a file system in an information processor or the like, and for preventing the leakage of the data and to provide an NAND type flash memory device using the data erase method.
情報機器等においてファイルシステムでデータ管理されるＮＡＮＤ型フラッシュメモリのデータを、高速、かつ、完全に消去し、データの漏洩を防止することができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリのデータ消去方法及び該方法を使用するＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイスの提供。 - 特許庁 - To provide an NAND type flash memory device for quickly and completely erasing the storage data of an NAND type flash memory where data is managed by a file system in an information apparatus or the like, and for preventing the leakage of the data and to provide the data erase method of the NAND flash memory.
情報機器等においてファイルシステムでデータ管理されるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記憶データを高速に、かつ、完全に消去し、データの漏洩を防止することができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイス、並びにＮＡＮＤフラッシュメモリのデータ消去方法の提供。 - 特許庁 - The rewrite of a flash memory 18 is performed from a host system through an AUD module 12, whereby the storage of a write-in control elimination program in the flash memory is dispensed with, and the storage area assigned to an application program in the flash memory can be increased by this portion.
ホストシステムからＡＵＤモジュール（１２）を介してフラッシュメモリ（１８）の書き換えを行うようにすることで、書き込み制御消去プログラムをフラッシュメモリへ格納しておく必要がなくなり、その分、フラッシュメモリにおいてアプリケーションプログラムに割り当てられる記憶エリアを増大させることができる。 - 特許庁 - The operating system mediates between the application software and the NAND flash memory to provide a device driver, allocates a plurality of physical pages of the NAND flash memory to respective virtual pages of the specified page size, and refers to the virtual page to answer the NAND flash memory access request from the application software.
オペレーティングシステムは、アプリケーションソフトとＮＡＮＤフラッシュ間の媒介となり、デバイスドライバーを提供し、ＮＡＮＤフラッシュの複数の物理ページを、特定のページサイズの各仮想ページに割り当て、仮想ページを参照することにより、アプリケーションソフトからのＮＡＮＤフラッシュアクセス要求に応答する。 - 特許庁 - This semiconductor file system is provided with a means for dividing file data into clusters for managing and storing the file data, a means for converting the divided clusters into an address of the flash memory in consideration of storage of the flash memory in the plurality of banks and a device writing means for writing the file data to the address of the flash memory.
ファイルデータを管理、格納するためにクラスタに分割する手段と、フラッシュメモリの複数のバンクに格納することを考慮して、分割したクラスタをフラッシュメモリのアドレスに変換する手段と、フラッシュメモリのアドレスにファイルデータを書き込むためのデバイス書き込み手段を備える。 - 特許庁 - An optical disk 1 used for writing a device key in a flash memory 20 is previously formed.
フラッシュメモリ２０にデバイスキーを書き込むために使用する光ディスク１を予め作成しておく。 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY DEVICE EQUIPPED WITH SECURITY REDUNDANCY BLOCK, AND METHOD FOR REPAIRING SECURITY BLOCK
保安リダンダンシーブロックを具備したＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及び保安ブロックをリペアする方法 - 特許庁 - The microprocessor 1 has a recognition circuit 6 to recognize a connection of a flash memory 4.
マスクＲＯＭ内蔵マイコン１はフラッシュメモリ４の接続を認識する認識回路６を有する。 - 特許庁 - An image processing program 40 for controlling the image processing unit 21 is stored in the flash memory 13.
フラッシュメモリ１３には、画像処理ユニット２１を制御する画像処理プログラム４０が格納される。 - 特許庁 - An initial dust image signal extracting images of dust when initial setting is stored into the flash memory 55.
初期設定時にゴミの像を抽出した初期ゴミ画像信号をフラッシュメモリ５５に格納する。 - 特許庁 - A flash memory 18 stores writing identification information relating to permission and prohibition of writing.
フラッシュメモリ１８は、書込み許可および書込み禁止に係る書込み識別情報を記憶する。 - 特許庁 - A serial flash memory 402 stores a plurality of pieces of identical configuration data divided into pieces of block data.
シリアルフラッシュメモリ４０２に、同じコンフィギュレーションデータがブロックデータに分けて複数個格納される。 - 特許庁 - To shorten a write inhibit period and reduce the number of times of writing data into a flash memory.
書き込み禁止時間を短くするとともに、フラッシュメモリへデータを書き込む回数を少なくする。 - 特許庁 - To provide a flash memory device having improved reliability and its refresh method.
信頼性を向上させることができるフラッシュメモリ装置及びそのリフレッシュ方法を提供する。 - 特許庁 - To provide bias structure of a flash memory in which power consumption and chip size can be reduced.
消費電力とチップサイズを減らすことができるフラッシュメモリのバイアス構造を提供すること。 - 特許庁 - This device operates normally as the DRAM 9 and operates as the flash memory 11 when the power source is turned OFF.
通常動作時はＤＲＡＭ９として動作し、電源オフ時はフラッシュメモリ１１として動作する。 - 特許庁 - DATA INPUT/OUTPUT CIRCUIT OF FLASH MEMORY DEVICE WITH STRUCTURE FOR ENHANCING DATA INPUT/OUTPUT SPEED
データ入出力速度を改善させる構造を有するフラッシュメモリ装置のデータ入出力回路 - 特許庁 - To provide a flash memory device wherein time required for a stress test can be reduced and to provide a stress test method.
ストレステスト時間を減らすことができるフラッシュメモリ装置とそのストレステスト方法を提供する。 - 特許庁 - A control part 1 comprises a controlling computer 2 and the flash memory 7 for storing an operation program.
制御部１は、制御用のコンピュータ２と動作プログラムを記憶するフラッシュメモリ７を備えている。 - 特許庁 - A data storage situation to a flash memory 150 is managed in an erasure block management table 43.
消去ブロック管理テーブル４３にてフラッシュメモリ１５０へのデータ記憶状況を管理しておく。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of a failure when the number of acquired defective blocks increases in a flash memory.
フラッシュメモリ内で後天性の不良ブロック数が増加したときの不具合の発生を防止する。 - 特許庁 - To provide a decoder counter selector for improving the performance speed of a flash memory device.
フラッシュメモリ装置の性能速度を向上することができるデコーダカウンタセレクタの提供を図る。 - 特許庁 - A flash memory 101 is set to a test mode by setting a test pad TP to a L level.
テストパッドＴＰをＬレベルに設定することによってフラッシュメモリ１０１はテストモードにセットされる。 - 特許庁 - To provide a NAND type flash memory which prevents an unselected block from being erased by mistake.
非選択ブロックの誤消去を防止することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - The sewing machine sews an embroidery pattern according to the sewing data stored in the flash memory.
ミシンは、フラッシュメモリに記憶された縫製データに従って、刺繍模様を縫製することができる。 - 特許庁 - To shorten the test time, before product shipment by adding a simple constitution to a flash memory.
フラッシュメモリに簡単な構成を付加することにより製品出荷前の試験時間を短縮する。 - 特許庁 - To realize the data updating control of a flexible flash memory which is not dependent on the size of updated data.
更新データのサイズに依存しないフレキシブルなフラッシュメモリのデータ更新制御を実現すること。 - 特許庁 - In the printer 20, a data input part 21 accepts the video data from the flash memory card M or the like.
プリンタ２０において、データ入力部２１は、フラッシュメモリカードＭ等からビデオデータを受け付ける。 - 特許庁 - To provide a flash memory device that improves coupling ratio of a cell and method of manufacturing the same.
セルのカップリング比を向上させるフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The second load element includes an end connected with a bit line of a reference cell array within the flash memory device.
第２負荷素子は、フラッシュメモリ装置内の基準セルアレイのビットラインに一端が連結される。 - 特許庁 - The second controller chip 4 is bonded to the upper surface of the flash memory chip 2 using an insulating paste.
その後、絶縁ペーストを用いてフラッシュメモリチップ２の上面に第２コントローラチップ４を接着する。 - 特許庁 - Table data into which the erasure time of each sector is written in the initialization processing of the flash memory is previously provided.
フラッシュメモリの初期化処理で各セクタの消去時間を書き込んだテーブルデータを設けておく。 - 特許庁 - A re-writing number of times counting means 16A calculates re-writing number of times of the flash memory 10.
書換回数計数手段１６Ａは、フラッシュメモリ１０の書き換え回数を算出する。 - 特許庁 - To store verified updated data in a NOR flash memory.
正当性が確保された更新後のデータをNOR型フラッシュメモリに記憶させておくことができるようにする。 - 特許庁 - Consequently, a flash memory 1 is manufactured which has the charge layer 12 parted by electrode films 4.
これにより、チャージ層１２が電極膜４ごとに分断されたフラッシュメモリ１が製造される。 - 特許庁 - To suppress variation of data caused by read-disturbance by controlling generation of defective read of a flash memory.
フラッシュメモリのリード不良の発生を抑制し，リードディスターブによるデータの変化を抑制する。 - 特許庁 - If there is not abnormality in data comparison between them, a CPU 4c determines that the flash memory is normal.
これらのデータ比較に異常がなければ、ＣＰＵ４ｃはフラッシュメモリ２が正常と判断する。 - 特許庁 - To read management information of a plurality of clusters in a short time in an AG-AND type flash memory.
ＡＧ−ＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、複数のクラスタの管理情報を短時間に読み出す。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR PRESERVING WORD LINE PASS BIAS USING ROM IN NAND TYPE FLASH MEMORY
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ内のＲＯＭを利用したワードラインパスバイアスの保存方法及び装置 - 特許庁 - A CPU 111 updates the contents of a flash memory 112 through the use of the developed update file.
ＣＰＵ１１１は、展開された更新ファイルを用いて、フラッシュメモリ１１２の内容を更新する。 - 特許庁 - MULTI-PLANE TYPE FLASH MEMORY DEVICE, AND METHOD OF CONTROLLING PROGRAM OPERATION AND READ-OUT OPERATION THEREOF
マルチプレーン型フラッシュメモリ装置並びにそのプログラム動作および読出し動作の制御方法 - 特許庁 - At night, when the power rate is low, data is copied from the hard disk to the flash memory device (Step S1).
電力料金の安い夜間に、ハードディスクからフラッシュメモリデバイスにデータをコピーする（Ｓ１）。 - 特許庁 - The flash memory 22 performs the program operation or the erasing operation by receiving supply of the voltage VPP.
フラッシュメモリ２２は、電圧ＶＰＰの供給を受け、プログラム動作またはイレース動作を実行する。 - 特許庁 - Thereby, a rewritable disc device is simulated by using the flash memory storage system.
従って、書き換え可能ディスクがフラッシュメモリー記憶システムを使用することによりシミュレーションされる。 - 特許庁 - In a step 140, the time and mode of becoming the voltage E2 or below are recorded in the flash memory 55.
ステッフ゜１４０では、電圧Ｅ２以下となった時刻及びモードを、フラッシュメモリ５５に記録する。 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR FILE SYSTEM MANAGEMENT USING FLASH-ERASABLE, PROGRAMMABLE, READ-ONLY MEMORY
フラッシュ消去可能なプログラマブル・リードオンリメモリを用いてファイルシステムをマネージする方法及びシステム - 特許庁 - The first load element includes an end connected with a bit line of main cell array within the flash memory device.
第１負荷素子は、フラッシュメモリ装置内のメインセルアレイのビットラインに一端が連結される。 - 特許庁 - The memory controllers perform parallel data access to flash memories on the basis of a read command from a host.
メモリコントローラは、ホストからのリードコマンドに基づいて、フラッシュメモリから並列にデータをアクセスする。 - 特許庁
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