「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 31 32 33 34 35 36 37 38 39 .... 88 89 次へ＞- To obtain a flash memory capable of drawing electrons out of the floating gate at a high speed for data deletion.
データ消去の際のフローティングゲートからの電子の引抜きを高速で行えるフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - This flash memory is provided with a general flash memory ROM area 2 where various data are to be stored and a monitor area 3 where is installed apart from the general flash memory RAM area 2 and where the rewriting frequency of the area 2 is to be stored and where a security function prior to the executing of an erasing operation is higher than that in the area 2.
各種データを記憶する通常のフラッシュロム領域２と、通常のフラッシュロム領域２とは別に設けられ、通常のフラッシュロム領域２の書き換え回数を記憶し、消去動作を実行に移すまでのセキュリティー機能が通常のフラッシュロム領域２よりも高いモニタメモリ領域３と、を備えている。 - 特許庁 - For example, the NAND flash memory is provided with a plurality of blocks BLK in the direction of word line.
たとえば、ＮＡＮＤフラッシュメモリにおいては、ワード線方向に複数のブロックＢＬＫが設けられる。 - 特許庁 - To manage a storage region so that the number of blocks for user data included in each flash memory can be made even.
各フラッシュメモリに含まれるユーザデータ用ブロックの個数が均等なるように記憶領域を管理する。 - 特許庁 - A disposal preparation program or the like stored in an external device is then downloaded and written in the flash memory.
その後、外部装置に格納されている廃棄準備プログラム等をダウンロードし、フラッシュメモリに書き込む。 - 特許庁 - To accurately perform a test of a connection performance to a flash memory and peripheral circuits thereof along with upper address lines.
フラッシュメモリとその周辺回路との接続性試験を上位アドレス線を含めて適確に行なう。 - 特許庁 - To provide a NOR flash memory apparatus using a bit scan system, and related programming method.
本発明はビットスキャン方式を使用するＮＯＲフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法に関する。 - 特許庁 - A word line driver for flash memory uses an NMOS circuit for decreasing a parasitic capacity load.
フラッシュメモリ用のワード線ドライバは寄生容量負荷を減少させるためＮＭＯＳ回路を使用する。 - 特許庁 - If the incoming call is an unwanted incoming call, its number is recorded in the recording area 7 in a flash memory.
迷惑電話の着信であれば、フラッシュメモリの迷惑電話着信履歴記録エリア７に記録する。 - 特許庁 - Since the flash memory group can be rewritten in firmware, correction and version-up can be realized.
これらのファームウエアは、フラッシュメモリ群が書き換え可能であるので、その修正やバージョンアップが可能である。 - 特許庁 - Thus, the lens data 21 of the photographic lens 200 is stored in the flash memory 142.
これにより、フラッシュメモリ１４２に撮影レンズ２００のレンズデータ２１が格納されている状態にする。 - 特許庁 - The encrypted data and the encryption key are written in a flash memory 11 incorporated in the microcomputer 1A.
暗号化されたデータおよび暗号鍵は、マイクロコンピュータ１Ａに内蔵のフラッシュメモリ１１へ書き込まれる。 - 特許庁 - To provide a new state detection method of a flash memory by which natural writing accuracy of the flash memory can be individually estimated to contribute to its quality control in a manufacturer shipment step and the whole writing accuracy of the flash memory and secular change (degradation) of a stored value can be known in a user usage step.
工場出荷段階において、個別にその生来的書込み精度を推定しその品質管理に資することができるとともに、ユーザによる使用段階においては、当該フラッシュメモリの総体的な書込み精度や記憶値の経年変化（劣化）を知ることのできる、フラッシュメモリの新たな状態検出方法の提供。 - 特許庁 - On a monitor 12, the list information stored in the flash memory 5 can be displayed in a list.
モニタ１２には、フラッシュメモリ５に記憶されているリスト情報を一覧で表示させることができる。 - 特許庁 - The digital camera transmits the image data in a flash memory to the printer, and the printer performs printing, based on the image data.
デジタルカメラはフラッシュメモリ内の画像データをプリンタへ送信し、プリンタは画像データを基に印刷を行う。 - 特許庁 - Only at the time of executing the starting program (system boot), the multivalue NAND flash memory 3 is used in the same manner as a binary NAND flash memory, whereby a small-scale 1-bit error correction circuit 4 used in binary NAND flash memory access can be used as the error correction circuit, and the circuit scale can be reduced.
起動プログラム実行時（システム起動時）のみ、多値ＮＡＮＤフラッシュメモリ３を２値ＮＡＮＤフラッシュメモリと同等の使い方にすることで、エラー訂正回路として２値ＮＡＮＤフラッシュメモリアクセス時に用いる小規模な１ビットエラー訂正回路４を使用することが可能となり、回路規模を削減することが可能になる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of raising a quality of a tunnel oxide film.
トンネル酸化膜のクォリティーを向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory device recharging pumping voltage and its pumping voltage recharging method.
ポンピング電圧を再充電するフラッシュメモリ装置及びそのポンピング電圧再充電方法を提供する。 - 特許庁 - To achieve high speed of read operation and verify operation in a NAND type flash memory.
本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、リード動作およびヴェリファイ動作を高速化できるようにする。 - 特許庁 - To provide a controller effectively utilizing storage areas in flash memories, and also to provide a memory system.
フラッシュメモリ上の記憶領域を有効活用することができるコントローラ、及びメモリシステムを提供する。 - 特許庁 - A decoder 203 decodes video data stored in the flash memory 202 to generate an image.
デコーダ２０３は、フラッシュメモリ２０２に記憶されている映像データをデコードすることでイメージを生成する。 - 特許庁 - To provide a flash memory device and its program method by which program disturbance can be decreased.
プログラムディスターブを減少させることができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory device for efficiently avoiding the destruction of data due to read disturbance.
リードディスターブによるデータの破壊を効率よく回避することが可能なフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - The dust image processing part 50 includes a binary circuit 53, a flash memory 55, and a dust image correcting circuit 56.
ダスト画像処理部５０は、二値化回路５３、フラッシュメモリ５５、およびゴミ画像補正回路５６を有する。 - 特許庁 - To process cache mis-request processing and flash processing while keeping the consistency of a cache memory.
キャッシュメモリの整合性を保ちながら、キャッシュミスリクエスト処理とフラッシュ処理とを並行して処理する。 - 特許庁 - The vehicle code F2(x) is a code assigned to each vehicle 1 and is written in a flash memory.
車両コードＦ２(ｘ)は、車両１ごとに割り振られたコードであって、フラッシュメモリに書き込まれる。 - 特許庁 - The embroidery frame 200 includes a frame storage device 210 including a flash memory storing sewing data or the like.
刺繍枠２００は、縫製データ等を記憶したフラッシュメモリを含む枠記憶装置２１０を備えている。 - 特許庁 - Data in a flash memory and data in a magnetic disk device are updated with the update data by the update program.
更新用プログラムにより更新データでフラッシュメモリのデータと磁気ディスク装置のデータを更新する。 - 特許庁 - To provide a flash memory having a local SONOS structure that utilizes a notch gate, and its manufacturing method.
ノッチゲートを利用したローカルＳＯＮＯＳ構造を有するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - DEVICE LIFE WARNING GENERATION SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE MOUNTED WITH FLASH MEMORY, AND METHOD FOR THE SAME
フラッシュメモリを搭載した半導体記憶装置における装置寿命警告発生システムとその方法 - 特許庁 - To provide a flash memory that variably controls the programming voltage, and to provide a method of programming the same.
プログラム電圧を可変的に制御できるフラッシュメモリ装置及びそのプログラミング方法を提供する。 - 特許庁 - The correction coefficient acquisition part 145 is configured to acquire a correction coefficient table E held in the flash memory 242.
補正係数取得部１４５はフラッシュメモリ２４２に格納された補正係数テーブルＥを取得する。 - 特許庁 - The plurality of peripherals include at least one among an image photographing module, a display and a flash memory.
複数の周辺装置は映像撮影モジュール、ディスプレイ及びフラッシュメモリのうち少なくとも一つを含む。 - 特許庁 - PAGE BUFFER CIRCUIT OF FLASH MEMORY DEVICE REDUCING FAIL OF PROGRAM OPERATION, AND PROGRAM OPERATION METHOD THEREOF
プログラム動作のフェールを減少させるフラッシュメモリ装置のページバッファ回路およびそのプログラム動作方法 - 特許庁 - An address A1 from the multiplexer 13 is impressed to a present address latch 19 for a flash memory bank 21.
マルチプレクサ１３からのアドレスＡ１は、フラッシュメモリ・バンク２１用の現在アドレスラッチ１９に印加される。 - 特許庁 - The data of the logical group data storage area are transferred to a corresponding physical block in the flash memory 2.
論理グループデータ記憶領域のデータは、フラッシュメモリ２内の対応する物理ブロックに転送される。 - 特許庁 - The storage control device 1 includes a hard disk 6 and a flash memory device 7 which are differed in power consumption.
記憶制御装置１は、消費電力の異なるハードディスク６及びフラッシュメモリデバイス７を備える。 - 特許庁 - Data supplied from a PC 2 are encrypted by an encryption module 33A and stored in a flash memory 22.
PC２から供給されたデータは暗号モジュール３３Ａにより暗号化され、フラッシュメモリ２２に記憶される。 - 特許庁 - STORAGE DEVICE USING FLASH MEMORY, AND DELETION FREQUENCY LEVELING METHOD AND DELETION FREQUENCY LEVELING PROGRAM FOR THE SAME
フラッシュメモリを用いた記憶装置、その消去回数平準化方法、及び消去回数平準化プログラム - 特許庁 - To provide a technique capable of improving the reliability of a semiconductor device equipped with a flash memory.
フラッシュメモリを有する半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。 - 特許庁 - In addition, data can be shared by only mounting the flash memory 13 in which data are recorded to the other expansion card.
又、データを記録したフラッシュメモリ１３を、他の拡張カードに装着するだけでデータを共用できる。 - 特許庁 - The flash memory includes a farm data area storing farm data that is a control program for the card controller.
フラッシュメモリは、カードコントローラのための制御プログラムであるファームデータを格納するファームデータ領域を有する。 - 特許庁 - To provide a method for producing flash memory device, with which the coupling ratio of a gate electrode can be improved.
ゲート電極のカップリング比を高くすることができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a NAND type flash memory apparatus that has a shared string/ground selection line structure.
共有されたストリング／グラウンド選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a NAND-type flash memory allowing reduction of the time required for writing and verification.
書き込みとベリファイに要する時間を短縮することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - A storage area in a flash memory having the same capacity as that of the logical block is allocated to a logical sub-block.
論理サブブロックには論理ブロックと同じ容量のフラッシュメモリ内の記憶領域が割り当てられる。 - 特許庁 - Examples of operating modes may include (1) reading or writing to a flash memory when connected to an external power source, (2) reading from the flash memory when powered by a portable power source (e.g., battery), and (3) writing to the flash memory when powered by a portable power supply.
動作モードの例としては、（１）外部電源に接続されたときにフラッシュメモリの読出しまたは書込みを行うもの、（２）携帯型電源（例えば、バッテリ）から給電されたときにフラッシュメモリの読出しを行うもの、および（３）携帯型電源から給電されたときにフラッシュメモリへの書込みを行うものを挙げることができる。 - 特許庁 - To shorten the time required to update data written in a NOR flash memory.
NOR型フラッシュメモリに書き込まれているデータの更新にかかる時間を短縮することができるようにする。 - 特許庁 - Performance control boards 30 and 30z have a NAND type flash memory 340 as a character ROM.
演出制御基板３０，３０ｚは、キャラクタＲＯＭとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３４０を備えている。 - 特許庁 - The storage device is constituted so that a table representing correspondence relation between a physical address of a physical block constituting a storage area of a flash memory 21 and a logical address of a logical block written in the physical block is created by unit of segment when processing for reading the data from the flash memory 21 or writing the data in the flash memory 21 is performed.
フラッシュメモリ２１からデータを読み出し、又はフラッシュメモリ２１にデータを書き込む処理を行う際に、フラッシュメモリ２１の記憶領域を構成する物理ブロックの物理アドレスとこの物理ブロックに書き込まれた論理ブロックの論理アドレスとの対応関係を示すテーブルが、セグメント単位で作成されるようにしている。 - 特許庁
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