「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 33 34 35 36 37 38 39 40 41 .... 88 89 次へ＞- To provide an ATA controller with a built-in flash memory, for easily expanding the capacity of a memory card by being connected.
相互に接続することによりメモリカードの容量を容易に増設することができる、フラッシュメモリを内蔵するＡＴＡコントローラを提供する。 - 特許庁 - In a flash memory, a trench 1a in a memory cell region 3 has a large aspect ratio and a trench 2b in a peripheral circuit region 4 has a small aspect ratio.
フラッシュメモリにおいて、メモリセル領域３のトレンチ１ａは、アスペクト比が高く、周辺回路領域４のトレンチ２ｂはアスペクト比が低い。 - 特許庁 - A memory controller 1 controls access to a flash memory 2 and a nonvolatile RAM 3 on the basis of a logical address applied from a host system 4.
メモリコントローラ１は、ホストシステム４から与えられる論理アドレスに基づいて、フラッシュメモリ２と不揮発性RAM３とに対するアクセスを制御する。 - 特許庁 - After the post-processing test of the flash memory 1 is performed, these stored data are read by each memory 30 while using the pattern data as the address data.
フラッシュメモリ１の後工程試験を行った後に、各メモリ３０は、パターンデータをアドレスデータとして用いて、記憶したこれらのデータを読み出す。 - 特許庁 - A data storage device comprises a memory module having a flash memory chip in which a prescribed page size is set as an access unit, and a controller.
実施形態によれば、データ記憶装置は、所定のページサイズをアクセス単位とするフラッシュメモリチップを有するメモリモジュールと、コントローラとを具備する。 - 特許庁 - To provide an inexpensive storage device using a buffer memory whose capacity is smaller than sector capacity of a mounted flash memory.
搭載するフラッシュメモリのセクタ容量より小容量のバッファメモリを使用することを可能にした、低コストの記憶装置を提供することである。 - 特許庁 - To provide a memory controller capable of easily acquiring an access state to a flash memory, and easily suspending the access operation.
フラッシュメモリに対するアクセス状況を容易に把握できると共に、アクセス動作を容易に中止させることができるメモリコントローラを提供する。 - 特許庁 - To require much time since system start is constrained after the completion of the transfer of all programs from a flash memory to a random accessible external memory.
システム起動は、フラッシュメモリからランダムアクセス可能な外部メモリへの全プログラム転送完了後に制約されるので、多くの時間を要する。 - 特許庁 - An SD memory card interface controller 3, FLASH ROM 4, lithium battery 2 and connector terminal 5 are built in an SD memory card 1.
ＳＤメモリカード１内部には、ＳＤメモリカードインターフェースコントローラ３、ＦＬＡＳＨ ＲＯＭ４、リチウム電池２、コネクタ端子５が内蔵されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its control method in which a part of a region of a memory cell array can be erased in a flash memory.
フラッシュメモリにおいて、メモリセルアレイの領域の一部を消去することが可能な半導体装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁 - A package 10 has a known shape for the compact flash card; a female connector 11 specified for the compact flash card is provided in the front surface part of the package, and a driver circuit 21, a memory card 23 for compact flash and the like are mounted in the package, so that the package is similar to a normal compact flash card.
パッケージ１０は、コンパクトフラッシュカード用の周知の形状で、前面部に、コンパクトフラッシュカード仕様の雌コネクタ１１が設けられ、内部にドライバ回路２１及びコンパクトフラッシュ用のメモリー２３等が実装されて、通常のコンパクトフラッシュカードと同様である。 - 特許庁 - The system includes at least one flash memory chip for storing data, at least one flash controller to control the flash memory chip comprising a DMA interface including output DMA request signals which turns active when the system is in a state executable of DMA data transfer, and at least one micro controller to make the flash memory chip and control and data signals of the flash controller active.
データを格納するための少なくとも１個のフラッシュメモリチップと、フラッシュメモリチップを制御するための少なくとも１個のフラッシュコントローラであって、システムがＤＭＡデータ転送を実行できる状態になったときにアクティブになる出力ＤＭＡ ＲＥＱＵＥＳＴ信号を含むＤＭＡインタフェースを有するフラッシュコントローラと、フラッシュメモリチップと前記フラッシュコントローラの制御およびデータ信号をアクティブにするための少なくとも１個のマイクロコントローラと、を含むシステム。 - 特許庁 - A limit number of times calculating means 15A holds previously relation between the re-writing number of times of a flash memory 10 and the data holding period, and calculates the limit rewriting number of times of the flash memory 10 based on the data holding time.
限界回数算出手段１５Ａは、フラッシュメモリ１０の書き換え回数とデータ保持期間との関係を予め保持し、データ保持期間を基にしてフラッシュメモリ１０の限界書き換え回数を算出する。 - 特許庁 - The DVD equipment 20 is furnished with a flash memory 16 whereon the key data related to the information of the DVD 1 are preliminarily recorded, to access the information of the DVD 1 by using the key data read out from the flash memory 16.
ＤＶＤ機器２０は、ＤＶＤ１の情報に関連した鍵データを予め記録したフラッシュメモリ１６を備えて、フラッシュメモリ１６から読出した鍵データを用いてＤＶＤ１の情報をアクセスする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of enhancing a reliability of the flash memory element to which a shallow trench isolation (STI) process is applied and capable of being miniaturized.
本発明は、シャロートレンチアイソレーション(shallow trench isolation：ＳＴＩ)工程が適用されるフラッシュメモリ素子の信頼性を向上させ且つ縮小化を図ることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - A portable electronic device includes: a flash memory 12 for performing read-out and write in page units defined to be a predetermined capacity; and a controller 13 for generating a file in a FAT file format stored in the flash memory 12.
所定の容量で規定されているページ単位で読み出し及び書き込みを行うフラッシュメモリ１２と、フラッシュメモリ１２へ格納されるＦＡＴファイル形式にしたがったファイルを作成する制御部１３を備える。 - 特許庁 - The cipher engine part 500 enciphers important data stored in the flash memory 300 through the use of the cipher key which is preserved in the SRAM 140 and also decodes data to be read from the flash memory 300.
また、暗号エンジン部５００により、ＳＲＡＭ１４０に保存した暗号鍵を用いて、フラッシュメモリ３００に記憶する重要データの暗号化を行い、またフラッシュメモリ３００から読み出すデータの復号化を行う。 - 特許庁 - To provide a flash memory rewriting device which can rewrite again in a state a power source is stabilized even if rewriting is not performed successfully owing to stop of a power source when a program of a flash memory incorporated in a device is rewritten.
装置に内蔵されたフラッシュメモリのプログラムを書き換える際に、電源の停止により書き換えに失敗しても、電源が安定した状態で書き換えが再度実行可能なフラッシュメモリ書き換え装置を提供する。 - 特許庁 - Only when use of data (image data etc.) saved in the flash memory 36 of the operation unit is permitted through authentication, the instruction (operation) to display the image data etc., saved in the flash memory 36 is accepted.
認証により操作ユニット３のフラッシュメモリ３６に保存されたデータ（画像データ等）の利用権限が認められた場合にのみ、フラッシュメモリ３６に保存された画像データ等の表示の指示（操作）が受け付けられる。 - 特許庁 - To provide a programming operation method for a flash memory device, capable of reducing the size of a flash memory device by using a data verification circuit to perform a programming operation of a multi-level cell without a data comparison circuit.
データ検証回路を用いて、データ比較回路を備えなくてもマルチレベルセルのプログラム動作を実行することにより、フラッシュメモリ装置の大きさを減らすことが可能なフラッシュメモリ装置のプログラム動作方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method suppressing film thinning of an STI (Shallow Trench Isolation) film by etching in a manufacturing process of a flash memory, and to provide a split gate type MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type flash memory structure attaining it.
フラッシュメモリの製造工程において、エッチングによるＳＴＩ膜の膜減りを抑制することができる製造方法と、それを可能にするスプリットゲートタイプのＭＯＮＯＳ型フラシュメモリ構造を提供する。 - 特許庁 - The normal storage of board unique information is confirmed, and an erasure program stored in the flash memory 101 is started and implemented by the CPU 102 so that the storage control program can be erased from the flash memory 101.
ボード固有情報の正常記憶を確認後、フラッシュメモリ１０１に記憶された消去プログラムをＣＰＵ１０２が起動して実行することでその記憶制御プログラムをフラッシュメモリ１０１から消去する。 - 特許庁 - To provide a storage device capable of transferring data in parallel to an information terminal and an IC card from a flash memory, by making parallel access to the flash memory and the IC card from the information terminal.
情報端末からのフラッシュメモリとＩＣカードへの並列アクセスを行うことができ、また、フラッシュメモリから情報端末とＩＣカードへのデータ転送を並列に行うことができる記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To appropriately operate a flash memory over a possible longest period by appropriately managing rewrite of the flash memory, particularly, in a structure having an interface allowing an external storage device to be mounted.
特に外部記憶装置を装着可能なインターフェースを有する構成において、適切にフラッシュメモリの書き換えを管理し、フラッシュメモリをできるだけ長期間に渡って適正に動作させることができるようにする。 - 特許庁 - To provide a flash memory cell which maintains a constant threshold voltage along the channel width dimension even if there is non-uniform charge concentration in a charge trapping structure along the channel width dimension, and also provide a method of manufacturing the flash memory cell.
チャネル幅寸法に沿った電荷捕獲構造の電荷密度が一様でない場合でもチャネル幅寸法に沿ってしきい値電圧を一様に維持したフラッシュメモリセルおよびフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To realize a flash memory element for realizing sector deletion and bit deletion, and for improving the reliability of an element by preventing the decrease of the operating speed of the element, and a method for manufacturing this flash memory element, and a method for deleting it.
セクタ消去及びビット消去を可能にし、素子の動作速度が低下しないため素子の信頼性を向上させることのできるフラッシュメモリ素子、その製造方法及び消去方法を提供すること。 - 特許庁 - In the step S230, the control unit outputs from a speaker the audio data for the test mode read from the flash memory and displays on a display unit the display data for the test mode read from the flash memory.
Ｓ２３０ステップにおいて、制御部は、前記フラッシュメモリから読み込んだテストモード用の音声データをスピーカから出力させると共に、前記フラッシュメモリから読み込んだテストモード用の表示データを表示部に表示させる。 - 特許庁 - In a step S100, a writing state flag area 304a of the flash memory 302 inside an EEPROM304 is read out and it is inspected whether each bit is zero or not for checking whether writing of the flash memory is finished normally or not.
ステップＳ１００で、ＥＥＰＲＯＭ３０４内のフラッシュメモリ３０２の書込み状態フラグ領域３０４ａを読み出し、各ビットの“０”の有無を調べ、フラッシュメモリの書込みが正常に終了したかどうかを調べる。 - 特許庁 - Then, the NAND-Flash memory controller 10 creates an error correction code in the determined data size and performs control to write the created error correction code to the NAND-Flash memory 20.
そして、ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈメモリコントローラ１０は、決定されたデータサイズの誤り訂正符号を生成し、生成された誤り訂正符号をＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈメモリ２０に書き込むように制御する。 - 特許庁 - Since gain correction data at the time of manufacture is stored in a flash memory 11 and delivered from the flash memory 11 to an RAM 12 having a backup power supply, exact gain characteristics at the time of manufacture are easily restored.
製造時のゲイン補正データはフラッシュメモリ１１に記憶されており、フラッシュメモリ１１から電源バックアップされたＲＡＭ１２に送られるため、製造時の正確なゲイン特性に簡易に戻すことができる。 - 特許庁 - To provide a microcomputer with a standardized built-in flash memory, in which holding omission of data in writing data to the flash memory is hardly caused by using an oscillating circuit installed in a microcomputer as standard equipment.
マイコンに標準装備されている発振回路を利用することでフラッシュメモリにデータを書き込む際のデータ保持抜けを生じ難くすることを可能にし、基準化したフラッシュメモリを内蔵する低コストなマイコンを提供する。 - 特許庁 - To acquire a flash memory system which can substantially increase rewritable times of a flash memory by suppressing erasure of data as much as possible, even if a microprocessor does not carry a special program.
マイクロプロセッサが特別なプログラムを搭載していなくても、できる限りデータの消去回数を抑制して、実質的にフラッシュメモリの書き換え可能回数を増やすことができるフラッシュメモリ装置を得ることを目的とする。 - 特許庁 - To provide a USB port for a USB flash memory easy in installation/uninstallation, having beautiful appearance without projection of its outer shape in a state that the USB flash memory is connected to the USB port provided in a car audio system or the like.
カーオーディオ等に設けられたＵＳＢポートにＵＳＢフラッシュメモリを接続した状態で、その外形が突出することなく、着脱が容易で、見た目も美しくなるＵＳＢフラッシュメモリ用ＵＳＢポートを提供する。 - 特許庁 - In the device, a flash memory 17 is provided as a built-in disk apart from RAM 18 for program work, and setting information and patch file stipulating the operating environment of the program are stored to this flash memory 17.
プログラム作業用のＲＡＭ１８とは別にＦｌａｓｈメモリ１７を内蔵ディスクとして備え、このＦｌａｓｈメモリ１７にプログラムの動作環境を規定する設定情報やパッチファイルを記憶させておく。 - 特許庁 - In the circumferential area of the NOR-type flash memory formation area 2 and the DINOR-type flash memory formation area 3, a peripheral circuit formation area 7 including transistors, etc., for a peripheral circuit is formed.
さらに、ＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域２及びＤＩＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域３の周辺領域に周辺回路用のトランジスタ等を含む周辺回路形成領域７が作り込まれている。 - 特許庁 - A NAND-Flash memory controller 10 measures a time required for deleting data stored in a NAND-Flash memory 20 and determines the data size of an error correction code according to the measured time.
ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈメモリコントローラ１０は、ＮＡＮＤ−Ｆｌａｓｈメモリ２０に記憶されたデータの消去に要した時間を計測し、計測された時間に応じて、誤り訂正符号のデータサイズを決定する。 - 特許庁 - Also, the flash memory 10 can be alternatively provided with a temperature sensor 11 for measuring a temperature of the flash memory circuit and a controller 15 for controlling the heater according to a predetermined annealing condition on the basis of a detection value of the temperature sensor.
また、フラッシュメモリ１０は、フラッシュメモリ回路の温度を計測する温度センサ１１と、温度センサの検出値に基づいて所定のアニーリング条件に従ってヒータを制御する制御部１５と、を備えてもよい。 - 特許庁 - The program on the flash memory controls propriety of execution of programs afterward by reading the identification information of the ASIC at predetermined timing and collating it with the management information recorded on the flash memory.
フラッシュメモリ上のプログラムは、所定のタイミンングでＡＳＩＣの識別情報を読み出し、フラッシュメモリ上に記録されている管理情報とを照合することによって以降のプログラムの実行の可否を制御する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a flash memory element which can keep electrostatic capacitance required of cell operation by increasing a breakdown voltage and improve a retention property of a flash memory cell in such a way that impurities doped in polysilicon film used as a floating gate is prevented from spreading to the outside.
フローティングゲートとして用いられるポリシリコン膜にドーピングされた不純物の外部への拡散を防止して上述した問題点を解決できるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The data extracting portion 47b extracts the history data retrieved before a prescribed time from a time when a specific event occurs, among the history data in the flash memory 45 from the flash memory 45 when the specific event occurs.
データ抽出部４７ｂは、所定イベント発生時、フラッシュメモリ４５内の履歴データのうち、所定イベントが発生した時間から所定時間前までに取り込まれた履歴データをフラッシュメモリ４５から抽出する。 - 特許庁 - When updating the version of the firmware stored in a flash memory by using a disk stored in the firmware for rewriting, byte codes #15 and #16 at a disk side corresponding to reserved codes (byte codes #15 and #16) at a flash memory side are ignored.
書換え用のファームウェアが格納されたディスクを用いて、フラッシュメモリに格納されたファームウェアをバージョンアップする場合において、フラッシュメモリ側のリザーブコード（バイトコード＃１５，＃１６）に対応するディスク側のバイトコード＃１５，＃１６を無視する。 - 特許庁 - It is examined whether temporary storage data read from a flash memory 4 by a host system 2 exceeds a threshold value relating to a bit error, and when it exceeds the threshold value, read temporary storage data is re-written in the flash memory 4.
フラッシュメモリ４からホストシステム２によって読み出された一時記憶データが、ビットエラーに関連する閾値を超えているか否かを調べ、閾値を超えている場合に、読み出した一時記憶データをフラッシュメモリ４に書き戻す。 - 特許庁 - At the time of moving contents from a flash memory 61-1 to a contents database 114, a utilization condition managing program updates a variable seq1, which is stored in the 0th-order defect block of a medium defect list in the flash memory 61-1, into new value seq2.
フラッシュメモリ６１−１からコンテンツデータベース１１４にコンテンツを移動するとき、利用条件管理プログラムは、フラッシュメモリ６１−１のmedia defect listの０番目のdefect blockに記憶されている変数seq１を、新たな値seq２に更新する。 - 特許庁 - The data comparator 102 compares the data written in the flash memory 101 and the rewrite data stored in the RAM 104, and does not rewrite the flash memory 101 when the comparison result shows matching.
データ比較器１０２ではフラッシュメモリ１０１に書き込まれているデータとＲＡＭ１０４上に格納している書換えデータを比較し、比較結果が一致した場合はフラッシュメモリ１０１の書換えは行わない。 - 特許庁 - To provide a memory controlling method for an option device using an inexpensive memory such as a flash ROM as a memory means for storing data such as printing information without the need of using an expensive memory such as an EEPROM.
プリント情報等のデータを記憶する記憶手段として、高価なＥＥＰＲＯＭ等のメモリを使用せずに、安価なフラッシュＲＯＭ等のメモリで代用することができるオプション装置のメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a blood bag equipped with a memory element such as a radio IC memory (e.g. semiconductor memory such as EPROM or EEPROM) or a flash memory for improving work efficiency without uselessly producing refuse.
作業効率が向上するとともに、無駄にごみを出さないラジオＩＣメモリー（例えばＥＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭなどの半導体メモリー）またはフラッシュメモリー等の記憶素子を装着した血液バッグを提供すること。 - 特許庁 - The flash memory device utilizes a part of a memory area in the dual port memory as the working memory, accordingly, a circuit structure may be simplified and the chip size thereof may be reduced.
前記フラッシュメモリ装置は、前記デュアルポートメモリの一部領域をワーキングメモリとして使用することによって、メモリコントローラにワーキングメモリを具備しなくても良いので、回路構成が簡単になり、かつチップサイズが減少する。 - 特許庁 - When an icon 'SAVE' on a memory control icon selection picture is selected, a series of solution process expressions are transferred and stored to an ALG memory 18a built in a flash memory (EEPROM) 18.
メモリ制御のアイコン選択画面で[SAVE]を選択すると演算過程データメモリ17cに記憶された一連の求解過程式がフラッシュメモリ(EEPROM)18に確保されるALGメモリ18aに転送記憶されて保存される。 - 特許庁 - After finishing writing, the main body 20 executes a rewriting program on its own memory and performs rewriting in a flash memory 4 being its own program memory on the basis of the program data in the RAM 5.
書き込み終了後、本体２０は自己のメモリ上の書き換えプログラムを実行し、ＲＡＭ５内のプログラムデータに基づき、自己のプログラムメモリであるフラッシュメモリ４に書き換える。 - 特許庁 - A control part 132 of the SSD 130 uses a part of the main memory 120 having a DRAM (Dynamic Random Access Memory) as a buffer area 121 in the data storage into a NAND type flash memory 131.
そして、ＳＳＤ１３０の制御部１３２が、ＤＲＡＭを有するメインメモリ１２０の一部を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３１へのデータ格納におけるバッファ領域１２１として利用する。 - 特許庁
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