「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 32 33 34 35 36 37 38 39 40 .... 88 89 次へ＞- When data is stored in the NAND flash memory 11, the data is stored by using each page in order.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１１にデータを保存する際、各ページを順番に使用してデータを保存する。 - 特許庁 - data area of the flash memory 80 at fixed intervals when using as a usual pedometer.
そして、一定間隔毎に歩数値の更新データをフラッシュメモリ８０の歩数データ記憶領域に記憶する。 - 特許庁 - In storing data in the NAND type flash memory 11, data are stored by using respective pages in order.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１１にデータを保存する際、各ページを順番に使用してデータを保存する。 - 特許庁 - To access a flash memory in accordance with the configuration of a chipset even though the specification of the chipset is changed.
チップセットの仕様が変更になっても、チップセットの構成に合わせてフラッシュメモリをアクセスできるようにする。 - 特許庁 - The header of the command code stores the rearing-out frequency from the NAND type flash memory 1-6.
更に命令コードのヘッダには、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１−６からの読み出し回数を格納しておく。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR UPDATING DATA OF FLASH MEMORY FOR DIGITAL SIGNAL PROCESSOR
ディジタルシグナルプロセッサ用フラッシュメモリのデータ更新装置及びディジタルシグナルプロセッサ用フラッシュメモリのデータ更新方法 - 特許庁 - To enable further more rewriting contents data in an incorporated semiconductor flash memory.
本発明は、内蔵された半導体フラッシュメモリにコンテンツデータを一段と多く書き換えられるようにする。 - 特許庁 - When the digital camera is actuated, writing speeds of an external medium and an internal flash memory are measured and compared with each other.
デジタルカメラの起動時に外部メディア及び内蔵フラッシュメモリの書き込み速度を測定、比較する。 - 特許庁 - A fingerprint template or important data such as a PKI key are stored in the data storing flash memory 300.
そして、データ格納用フラッシュメモリ３００には指紋テンプレートやＰＫＩ鍵等の重要データを格納する。 - 特許庁 - Additional information is added to the device key read from an optical disk for device keys, and written in a flash memory 20.
デバイスキー用光ディスクから読み出されたデバイスキーに付加情報を加えて、フラッシュメモリ２０に書き込む。 - 特許庁 - When an address indicated by a head pointer and a tail pointer reaches the end of the flash memory, an address of a node to be modified closest to the head address of the flash memory is pointed so as to exclude a portion not to be garbage collected at the head of the flash memory among nodes not to be modified in garbage collection.
ガーベジコレクションの際に変更不要なノードのうち、フラッシュメモリ先頭にあるガーベジコレクション処理の対象にならない部分を含めないように、headポインタとtailポインタの指すアドレスがフラッシュメモリの末尾に達した場合にフラッシュメモリの先頭アドレスに最も近い変更必要なノードのアドレスへと復帰する。 - 特許庁 - The flash memory 3 stores a prescribed user program including a program for communicating with an outside tool 10.
フラッシュメモリ３は、外部ツール１０と通信を行うためのプログラムを含む所定のユーザプログラムを格納する。 - 特許庁 - To provide the refresh method of a NAND type flash memory device which does not apply an excessive load to the controller of the device.
デバイスのコントローラに過大な負荷を掛ることのない、NAND型フラッシュメモリデバイスのリフレッシュ方法の提供。 - 特許庁 - A word line driver for a flash memory uses a NMOS circuit for decreasing parasitic capacitance load.
フラッシュメモリ用のワード線ドライバは寄生容量負荷を減少させるためＮＭＯＳ回路を使用する。 - 特許庁 - The semiconductor storage device includes a flash memory, a clock synchronization type DRAM, a control circuit which is bound to the flash memory and clock synchronization type DRAM, and controls access to the clock synchronization type DRAM and flash memory, and a plurality of input/output terminals bound to the control circuit.
半導体記憶装置は、フラッシュメモリと、クロック同期型ＤＲＡＭと、前記フラッシュメモリ及び前記クロック同期型ＤＲＡＭに結合され、前記クロック同期型ＤＲＡＭ及び前記フラッシュメモリに対するアクセスを制御するための制御回路と、前記制御回路に結合された複数の入出力端子とを含む。 - 特許庁 - The original image data are written to the flash memory 18 through DCT transformation, quantization processing and encoding processing.
元画像データは、ＤＣＴ変換、量子化処理、符号化処理を経て、フラッシュメモリ１８に書き込まれる。 - 特許庁 - The flash memory part 100 includes a data block 130, a spare block 110 and a management block 120.
前記フラッシュメモリ部１００はデータブロック１３０、予備ブロック１１０、および管理ブロック１２０を含む。 - 特許庁 - A BD player includes a micro computer 31, a flash memory in which rewritable software 15a is stored, and the like.
ＢＤプレーヤは、マイコン３１と、書き換え可能なソフトウェア１５ａを記憶したフラッシュメモリ等を備える。 - 特許庁 - ERASURE AND WRITING METHOD FOR SYNCHRONOUS-TYPE FLASH MEMORY DEVICE SHARING SYSTEM BUS WITH SYNCHRONOUS-TYPE RAM DEVICE
同期型ＲＡＭ装置とシステムバスを共有する同期型フラッシュメモリ装置の消去及び書込み方法 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing flash memory elements which prevents a polysilicon film from residing at gate etching.
ゲートエッチングの際にポリシリコン膜の残留を防止するためのフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The mode setting signal Smod is set to H-level in a mode other than the flash memory writing mode.
また、フラッシュメモリ書込みモード以外のときには、モード設定信号ＳｍｏｄをＨレベルに設定する。 - 特許庁 - To provide a NAND type flash memory apparatus having a page buffer which can verify prior erasing.
事前消去を検証することが可能なページバッファを有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置の提供。 - 特許庁 - To provide a system, method, and apparatus for multiplexing a parallel bus interface with a flash memory interface.
広く１つのフラッシュメモリインターフェースで１つのパラレルバスインターフェースを多重化するシステム、方法、および装置。 - 特許庁 - A flash memory 5 registers the main storage 2 and hard disk 9 together with the serial numbers 21 and 91.
フラッシュメモリ５は、主記憶２及びハードディスク９をそのシリアル番号２１、９１と共に登録する。 - 特許庁 - To improve the reliability in a semiconductor device including a flash memory having an auxiliary gate electrode structure.
補助ゲート電極構成を持つフラッシュメモリを有する半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁 - SYSTEM, METHOD, AND COMPUTER PROGRAM FOR PROBABILISTIC MULTILAYER ERROR CORRECTION OF NAND FLASH MEMORY
ＮＡＮＤフラッシュ・メモリにおける確率論的多層エラー訂正のためのシステム、方法、およびコンピュータ・プログラム - 特許庁 - The flash memory 7 is provided with the buffer 11 consisting of a main buffer area 12 and a standby buffer area 13.
フラッシュメモリ７に主バッファ領域１２と予備バッファ領域１３から成るバッファ１１を設ける。 - 特許庁 - The controller 4 executes the access to the NAND type flash memory 3 by use of the second address.
コントローラ４は、前記第２のアドレスを用いてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３に対するアクセスを実行する。 - 特許庁 - For example, a test of the flash memory chip 3 is performed during a data holding period of a hold-test of the SRAM chip 2.
たとえばＳＲＡＭチップ２のホールドテストのデータ保持期間内にフラッシュメモリチップ３のテストを行なう。 - 特許庁 - Unit information of the unit to permit connection is stored as a connection permissible unit list in a flash memory 3.
接続を許可するユニットのユニット情報を接続許可ユニットリストとしてフラッシュメモリ３に保持している。 - 特許庁 - FLASH MEMORY DEVICE FOR REDUCING ERROR OCCURRENCE RATIO IN PROGRAM OPERATION AND METHOD OF CONTROLLING PROGRAM OPERATION THEREOF
プログラム動作時のエラー発生比率を減少させるフラッシュメモリ装置およびそのプログラム動作制御方法 - 特許庁 - A flash memory 20 stores in advance standard photographing conditions set at factory shipment.
フラッシュメモリ２０には工場出荷時に設定される標準の撮影条件が予め記録されている。 - 特許庁 - The CPU 10 temporarily stores recording data relating to the write operation into a flash memory 10.
ＣＰＵ１０は、当該ライト動作に関係する記録データをフラッシュメモリ１１０に一時的に記憶する。 - 特許庁 - In a first mode (automatic answering telephone), digitally encoded voice data are recorded in a flash memory 14.
第１のモード（留守番電話）においては、デジタル符号化された音声データは、フラッシュメモリ１４に記録する。 - 特許庁 - To provide an NAND-type flash memory device having shared string/ground selection line structure.
共有されたストリング／グラウンド選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a flash memory device capable of improving a program speed and its programming method.
プログラム速度を向上させることができるフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a hybrid hard disk drive, a computer system incorporating the hybrid hard disk drive, and a flash memory DMA (Direct Memory Access) circuit for the hybrid hard disk drive.
ハイブリッドハードディスクドライブ、ハイブリッドハードディスクドライブを内蔵するコンピュータシステム、そしてハイブリッドハードディスクドライブのフラッシュメモリＤＭＡ回路を提供する。 - 特許庁 - The CPU 101 reads Kg from a secret information preserver 204 in a flash memory 104, and reads the value of the variable M from the memory 102.
ＣＰＵ１０１は、フラッシュメモリ１０４の秘密情報保存部２０４からＫｇを読み取るとともに、メモリ１０２から変数Ｍの値を読み取る。 - 特許庁 - To provide a memory controller that can secure reliability of data stored in a flash memory and be simplified in constitution.
フラッシュメモリに格納されるデータの信頼性を確保するとともに、構成を簡略化することができるメモリコントローラを提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a method specifying a production date or production lot of a memory card with a flash memory without using a serial number.
シリアル番号を使用することなく、フラッシュメモリを搭載したメモリカードの製造日や製造ロットを特定することが可能な方法を提供する。 - 特許庁 - To reduce the erroneous writing to a memory cell MC0 caused by an excessive boost voltage of a channel in a NAND type flash memory.
本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、チャネルのブースト電圧過多によるメモリセルＭＣ０の誤書き込みを低減できるようにする。 - 特許庁 - To substantially increase a data write cyclability per sector of a non-volatile memory represented by a flash memory or the like to extend a service life.
フラッシュメモリ等に代表される不揮発性メモリのセクタ当たりのデータ書換え可能回数を実質的に増加し、寿命を延ばすようにする。 - 特許庁 - To sufficiently achieve both various characteristics of a memory cell transistor and a cut off characteristic of a select gate transistor in a NAND type flash memory.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおけるメモリセルトランジスタの様々な特性と選択ゲートトランジスタのカットオフ特性とを共に良好に実現する。 - 特許庁 - To make a flash memory, etc., of multiple bit configuration a basic element and to reduce test cost of a memory card performing an input-output operation of data in one-bit unit.
多ビット構成のフラッシュメモリ等を基本素子とし、１ビット単位でデータの入出力動作を行うメモリカードの試験コストを低減する。 - 特許庁 - To provide a high-density flash memory matrix comprising a memory cell capable of storing many bits, the number of which is far larger than two.
その数が２を遙かに超える多数のビットを格納する能力のあるメモリ・セルを備える高密度のフラッシュ・メモリ・マトリクスの開示を提供する。 - 特許庁 - To provide a memory system for validly using relaxation effects, and for constructing a highly reliable system in case of using a flash memory.
フラッシュメモリを用いる場合に、リラクゼーション効果を有効利用でき、信頼性の高いシステムを構築することが可能となるメモリシステムを提供する。 - 特許庁 - In this implementation configurations, a power source 8 supplies a voltage V to a controller 3, a flash memory 7 and a charging circuit 5 of the memory drive device 2.
尚、本実施形態では、電源８がメモリドライブ装置２のコントローラ３、フラッシュメモリ７、及び充電回路５に電圧Ｖを供給している。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of writing a product program into flash memory from external memory, without increasing capacity of boot ROM.
ブートＲＯＭの容量を増やすことなく、製品プログラムを外部メモリからフラッシュメモリに書き込むことが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - A high-k dielectric layer can be patterned to allow the formation of a non-memory transistor together with a process of forming the flash memory cell.
ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層は、フラッシュメモリセルを形成するプロセスとともに、非メモリトランジスタの形成を可能にするようにパターニングされ得る。 - 特許庁 - A memory system 1 in the embodiment includes an MLC flash memory 112, a block management unit 102 and a transcription unit (107, 108 and 109).
実施の形態によるメモリシステム１は、ＭＬＣフラッシュメモリ１１２と、ブロック管理部１０２と、転記部（１０７、１０８および１０９）と、を備える。 - 特許庁
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